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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Taglia/dimensione | Pacchetto/custodia | Tipo | Numero del prodotto base | Peso | Tensione - Alimentazione | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Fattore di forma | Velocità: leggi | Velocità - Scrivi | Corrente: max | Velocità di trasferimento (Mb/s, MT/s, MHz) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | A4K04Q18BLPBME | 74.3576 | ![]() | 1122 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Massa | Attivo | 288-MiniUDIMM | A4K04 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 25 | SDRAM DDR4 | 4GB | 2400 | ||||||||||||
![]() | AG32L64D6SHC4M | 50.0625 | ![]() | 1366 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Vassoio | Attivo | 184-UDIMM | AG32L64 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 200 | SDRAM DDR | 256 MB | |||||||||||||
![]() | AF256GSTCJ-2BBXX | 101.2200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | A600Vc | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C | 100,00 mm x 69,90 mm x 7,00 mm | SATAIII | - | - | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1282-AF256GSTCJ-2BBXX | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 8 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 256GB | 2,5" | 560MB/sec | 525MB/s | - | |||||
![]() | AW12P7218BLF8M | 68.2776 | ![]() | 6658 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Massa | Attivo | 240-UDIMM | AW12P7218 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 50 | 4GB | ||||||||||||||
![]() | AW48P64F8BNF8M | 224.8155 | ![]() | 9873 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Vassoio | Attivo | 240-UDIMM | AW48P64 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 200 | SD-RAM DDR3 | 16GB | 1600 | ||||||||||||
![]() | A4F08QD8BNWEME | 92.7900 | ![]() | 77 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Vassoio | Attivo | 260-SODIMM | A4F08 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1282-A4F08QD8BNWEME | EAR99 | 8542.32.0036 | 50 | SDRAM DDR4 | 8GB | 3200 | |||||||||||
![]() | AQ12P72X8BLK0M | 60.7544 | ![]() | 6096 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Massa | Attivo | Modulo | AQ12P72 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 50 | 4GB | ||||||||||||||
![]() | AQ12P6418BKF8M | 105.2444 | ![]() | 4344 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Massa | Attivo | Modulo | AQ12P6418 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 50 | 4GB | ||||||||||||||
![]() | AT32L7238SQB3M | 114.2128 | ![]() | 5032 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Vassoio | Attivo | - | AT32L7238 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 200 | SDRAM DDR | 256 MB | |||||||||||||
![]() | AF8GSAEL-OEM | 60.2722 | ![]() | 5833 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Scatola | Attivo | 0°C ~ 70°C | 54,00 mm x 39,00 mm x 4,00 mm | SATAII | AF8G | - | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8523.51.0000 | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (MLC) | 8GB | SATA sottile | 250MB/s | 190MB/s | - | ||||
![]() | AF120GSTHI-7BBIP | - | ![]() | 1669 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | A600S | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | 50,80 mm x 29,85 mm x 3,50 mm | SATAIII | - | 3,3 V | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1282-AF120GSTHI-7BBIP | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 120GB | mSATA | 560MB/sec | 440MB/sec | - | ||||||
![]() | AF1TSZIA-2BBXX | 153.1200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | A600Vc | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C | 42,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm | SATAIII | - | - | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1282-AF1TSTIA-2BBXX | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 50 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 1TB | Modulo M.2 | 560MB/sec | 525MB/s | - | |||||
![]() | AY12M7258BLH9M | 59.9125 | ![]() | 3135 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Massa | Attivo | 204-MiniRDIMM | AY12M7258 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 50 | 4GB | ||||||||||||||
![]() | AY24P7238BLH9M | 106.5330 | ![]() | 3900 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Massa | Attivo | 204-MiniUDIMM | AY24P7238 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | ||||||||||||||
![]() | AF1T92STCJ-7BAIP | - | ![]() | 5000 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | 100,00 mm x 69,90 mm x 7,00 mm | SATAIII | AF1T92 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1282-AF1T92STCJ-7BAIP | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 12 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (3D) | 1,92 TBC | 2,5" | 560MB/sec | 480MB/sec | |||||||
![]() | AF512GSTHI-2BBXX | 78.0850 | ![]() | 5854 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | A600Vc | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C | 50,80 mm x 29,85 mm x 3,50 mm | SATAIII | - | - | scaricamento | REACH Inalterato | 1282-AF512GSTHI-2BBXX | 32 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 512GB | mSATA | 560MB/sec | 525MB/s | - | ||||||||
![]() | AF960GSTIC-7BFIP | 344.9027 | ![]() | 1607 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | A600S | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | 80,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm | SATAIII | - | 3,3 V | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1282-AF960GSTIC-7BFIP | 30 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 960GB | Modulo M.2 | 560MB/sec | 440MB/sec | - | |||||||
![]() | AQ48M64B8BNK0M | 230.6441 | ![]() | 4712 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Vassoio | Attivo | Modulo | AQ48M64 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 200 | SDRAM DDR3L | 16GB | 1600 | ||||||||||||
![]() | AF1T92STCJ-7BDIP | 652.1088 | ![]() | 6090 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | A600Si | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | 100,00 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | - | 5 V | - | REACH Inalterato | 1282-AF1T92STCJ-7BDIP | 8 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND | 1,92 TBC | 2,5" | 560MB/sec | 520MB/s | - | ||||||||
![]() | AF240GSTIA-7BEIP | - | ![]() | 6935 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | * | Vassoio | Attivo | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1282-AF240GSTIA-7BEIP | 50 | ||||||||||||||||||
![]() | AF240GSTCJ-7BBIP | - | ![]() | 6457 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | A600S | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | 100,00 mm x 69,90 mm x 9,20 mm | SATAIII | - | 5 V | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1282-AF240GSTCJ-7BBIP | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 240GB | 2,5" | 560MB/sec | 500MB/s | - | ||||||
![]() | AF512GSTCJ-2BBXX | 100.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | A600Vc | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C | 100,00 mm x 69,90 mm x 7,00 mm | SATAIII | - | - | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1282-AF512GSTCJ-2BBXX | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 8 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 512GB | 2,5" | 560MB/sec | 525MB/s | - | |||||
![]() | AF128GSMIC-OEM | 138.0850 | ![]() | 9404 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C | 80,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm | SATAIII | AF128 | - | - | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 2 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (MLC) | 128GB | Modulo M.2 | - | - | - | |||||
![]() | AW12M7218BLF8MW | 75.2320 | ![]() | 4054 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Vassoio | Attivo | 204-UDIMM | AW12M7218 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 50 | SD-RAM DDR3 | 4GB | 1066 | ||||||||||||
![]() | AF80GSAIA-7BCIP | - | ![]() | 8179 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | A600S | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | 42,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm | SATAIII | - | 3,3 V | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1282-AF80GSAIA-7BCIP | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (pSLC) | 80GB | Modulo M.2 | 560MB/sec | 520MB/s | - | |||||||
![]() | CF2TSTKA-CBAIX | 987.5000 | ![]() | 6880 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | * | Vassoio | Attivo | - | REACH Inalterato | 1282-CF2TSTKA-CBAIX | 24 | |||||||||||||||||||
![]() | AF120GSTCJ-7BDIP | 162.9088 | ![]() | 2404 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | A600Si | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | 100,00 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | - | 5 V | - | REACH Inalterato | 1282-AF120GSTCJ-7BDIP | 8 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND | 120GB | 2,5" | 560MB/sec | 450MB/sec | - | ||||||||
![]() | AF160GSACJ-7BBIP | 224.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | A750Pi | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | 100,00 mm x 69,90 mm x 9,20 mm | SATAIII | - | 5 V | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1282-AF160GSACJ-7BBIP | 8523.51.0000 | 8 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (pSLC) | 160GB | 2,5" | 560MB/sec | 520MB/s | - | ||||||
![]() | AL24M72B8BLMAM | 110.5230 | ![]() | 9158 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Vassoio | Attivo | Modulo | AL24M72 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 50 | SDRAM DDR3L | 8GB | 1866 | ||||||||||||
![]() | CF3T84STJA-CBAIXH1 | 1.0000 | ![]() | 7606 | 0.00000000 | ATP Elettronica, Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | 80,00 mm x 22,00 mm x 3,60 mm | NVMe | - | 3,3 V | - | REACH Inalterato | 1282-CF3T84STJA-CBAIXH1 | 64 | - | 3,84 TBC | Modulo M.2 | 2,2GB/sec | 1,2GB/sec | - |

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