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Schede di memoria, moduli(1151)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Taglia/dimensione Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Tecnologia Peso Tensione - Alimentazione Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Tipo di memoria Dimensioni della memoria Fattore di forma Velocità: leggi Velocità - Scrivi Corrente: max Velocità di trasferimento (Mb/s, MT/s, MHz)
AF240GSTCJ-7BCXP ATP Electronics, Inc. AF240GSTCJ-7BCXP 172.9025
Richiesta di offerta
 ECAD 2130 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. A650Si/A650S Vassoio Attivo 0°C ~ 70°C 100,00 mm x 69,90 mm x 9,20 mm SATAIII - 5 V scaricamento REACH Inalterato 1282-AF240GSTCJ-7BCXP 8 Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) 240GB 2,5" 560MB/s 500MB/s -
AF240GSTIA-7BFXP ATP Electronics, Inc. AF240GSTIA-7BFXP 122.8690
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 ECAD 3141 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. A600S Vassoio Attivo 0°C ~ 70°C 42,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm SATAIII - 3,3 V - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1282-AF240GSTIA-7BFXP 50 Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) 240GB Modulo M.2 560MB/s 440MB/sec -
A4B08QG8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4B08QG8BNPBSE 80.6100
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 ECAD 3 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Massa Attivo 288-RDIMM A4B08 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8473.30.1140 50 SDRAM DDR4 4GB 2133
AW12P7258BLF8M ATP Electronics, Inc. AW12P7258BLF8M 75.8620
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 ECAD 9845 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Massa Attivo 204-RDIMM AW12P7258 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8473.30.1140 10 4GB
AT64L7218SHC4M ATP Electronics, Inc. AT64L7218SHC4M 58.1807
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 ECAD 5302 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Vassoio Attivo 200-SODIMM AT64L7218 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8473.30.1140 200 SDRAM DDR 512 MB
A4D04QC6BNWEME ATP Electronics, Inc. A4D04QC6BNWEME 53.2700
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 ECAD 4164 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Vassoio Attivo 288-UDIMM A4D04 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1282-A4D04QC6BNWEME EAR99 8542.32.0036 50 SDRAM DDR4 4GB 3200
A4B08QF4BLPBME ATP Electronics, Inc. A4B08QF4BLPBME 181.4672
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 ECAD 9774 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Massa Attivo Modulo A4B08 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8473.30.1140 25 SDRAM DDR4 8GB 2133
AF512GSMEL-OEM ATP Electronics, Inc. AF512GSMEL-OEM 432.3450
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 ECAD 7404 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Massa Attivo -40°C ~ 85°C 54,00 mm x 39,00 mm x 4,00 mm SATAIII AF512 - - scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 3A991B1A 8471.70.6000 2 Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (MLC) 512GB SATA sottile - - -
AF960GSTJA-8BFXP ATP Electronics, Inc. AF960GSTJA-8BFXP 337.6660
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 ECAD 8451 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. N600S Vassoio Attivo 0°C ~ 70°C 80,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm NVMe - 3,3 V - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1282-AF960GSTJA-8BFXP 30 Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) 960GB Modulo M.2 3,42GB/sec 3,05GB/sec -
AT16L64A6SQC4M ATP Electronics, Inc. AT16L64A6SQC4M 36.5258
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 ECAD 6735 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Massa Attivo 200-SODIMM AT16L64 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 3A991B2A 8471.70.9000 50 SDRAM DDR 128 MB
AF120GSTCJ-7BFXP ATP Electronics, Inc. AF120GSTCJ-7BFXP 125.9458
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 ECAD 4714 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. A600S Vassoio Attivo 0°C ~ 70°C 100,00 mm x 69,90 mm x 9,20 mm SATAIII - 5 V - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1282-AF120GSTCJ-7BFXP 8 Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) 120GB 2,5" 560MB/s 500MB/s -
AF256GSMHI-OEM ATP Electronics, Inc. AF256GSMHI-OEM 257.6450
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 ECAD 6811 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Massa Attivo -40°C ~ 85°C 50,80 mm x 29,80 mm x 3,70 mm SATAIII AF256 - - scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 3A991B1A 8471.70.6000 2 Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (MLC) 256GB mSATA - - -
AF64GUD4-BBBXM ATP Electronics, Inc. AF64GUD4-BBBXM 28.1000
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 ECAD 55 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Vassoio Attivo -25°C~85°C AF64GUD4 TLC scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1282-AF64GUD4-BBBXM 3A991B1A 8523.51.0000 120 Classe 10, Classe UHS 3 microSDXC™ 64GB
A4D08QA8BNWEME ATP Electronics, Inc. A4D08QA8BNWEME 86.0600
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 ECAD 6 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Vassoio Attivo 288-UDIMM A4D08 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1282-A4D08QA8BNWEME EAR99 8542.32.0036 50 SDRAM DDR4 8GB 3200
AF32GUD4-BBCIM ATP Electronics, Inc. AF32GUD4-BBCIM 14.4729
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 ECAD 6343 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C - - REACH Inalterato 1282-AF32GUD4-BBCIM 120 Classe 10, Classe UHS 1 microSDHC™ 32GB
AF960GSTIC-7BDIP ATP Electronics, Inc. AF960GSTIC-7BDIP 343.8123
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 ECAD 4680 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. A600Si Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C 80,00 mm x 22,00 mm x 3,35 mm SATAIII - 3,3 V - REACH Inalterato 1282-AF960GSTIC-7BDIP 30 Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND 960GB Modulo M.2 560MB/s 500MB/s -
AF480GSTJA-8BCXX ATP Electronics, Inc. AF480GSTJA-8BCXX 200.7700
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 ECAD 7780 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. N650Sc Vassoio Attivo 0°C ~ 70°C 80,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm NVMe - 3,3 V - REACH Inalterato 1282-AF480GSTJA-8BCXX 30 Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND 480GB Modulo M.2 3,42GB/sec 2,35GB/sec -
AQ12M6418BKH9M ATP Electronics, Inc. AQ12M6418BKH9M 105.2444
Richiesta di offerta
 ECAD 6260 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Massa Attivo Modulo AQ12M6418 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8473.30.1140 50 4GB
AF240GSTIC-7BDIP ATP Electronics, Inc. AF240GSTIC-7BDIP 151.8147
Richiesta di offerta
 ECAD 1959 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. A600Si Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C 80,00 mm x 22,00 mm x 3,35 mm SATAIII - 3,3 V - REACH Inalterato 1282-AF240GSTIC-7BDIP 30 Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND 240GB Modulo M.2 560MB/s 500MB/s -
A4D04Q38BLRCME ATP Electronics, Inc. A4D04Q38BLRCME 63.9380
Richiesta di offerta
 ECAD 4292 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Massa Attivo Modulo A4D04 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8473.30.1140 25 SDRAM DDR4 4GB 2400
AF120GSTIA-7BEXP ATP Electronics, Inc. AF120GSTIA-7BEXP 87.5028
Richiesta di offerta
 ECAD 4034 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. A600S Vassoio Attivo 0°C ~ 70°C 42,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm SATAIII - 3,3 V - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1282-AF120GSTIA-7BEXP 50 Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) 120GB Modulo M.2 560MB/s 440MB/sec -
AF256GUD4-BBCIM ATP Electronics, Inc. AF256GUD4-BBCIM 94.8978
Richiesta di offerta
 ECAD 4189 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. * Vassoio Attivo - REACH Inalterato 1282-AF256GUD4-BBCIM 120
AF16GSSEL-OEM ATP Electronics, Inc. AF16GSSEL-OEM 213.3200
Richiesta di offerta
 ECAD 2 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Scatola Attivo -40°C ~ 85°C 54,00 mm x 39,00 mm x 4,00 mm SATAIII AF16 - 5 V scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3A991B1A 8523.51.0000 1 Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (SLC) 16GB SATA sottile 530MB/s 430MB/sec -
AF128GSTCJ-2BBXX ATP Electronics, Inc. AF128GSTCJ-2BBXX 54.2225
Richiesta di offerta
 ECAD 7483 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. A600Vc Vassoio Attivo 0°C ~ 70°C 100,00 mm x 69,90 mm x 7,00 mm SATAIII - - scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 1282-AF128GSTCJ-2BBXX 3A991B1A 8523.51.0000 8 Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) 128GB 2,5" 560MB/s 525MB/s -
A4B16QB4BLPBME ATP Electronics, Inc. A4B16QB4BLPBME 303.8840
Richiesta di offerta
 ECAD 2477 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Vassoio Attivo Modulo A4B16 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8473.30.1140 200 SDRAM DDR4 16GB 2133
AW12P6438BLF8S ATP Electronics, Inc. AW12P6438BLF8S 42.8782
Richiesta di offerta
 ECAD 3669 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Massa Attivo 204-UDIMM AW12P6438 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8473.30.1140 50 4GB
AF480GSTJC-DBBXX ATP Electronics, Inc. AF480GSTJC-DBBXX 91.3100
Richiesta di offerta
 ECAD 13 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. N600Vc Vassoio Attivo 0°C ~ 70°C 42,00 mm x 22,00 mm x 3,60 mm NVMe - - scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 1282-AF480GSTJC-DBBXX 3A991B1A 8523.51.0000 50 Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) 480GB Modulo M.2 2,6GB/sec 1,87GB/sec -
A4F08QD8BNWEME ATP Electronics, Inc. A4F08QD8BNWEME 92.7900
Richiesta di offerta
 ECAD 77 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Vassoio Attivo 260-SODIMM A4F08 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1282-A4F08QD8BNWEME EAR99 8542.32.0036 50 SDRAM DDR4 8GB 3200
AW12P6438BLK0S ATP Electronics, Inc. AW12P6438BLK0S 42.8782
Richiesta di offerta
 ECAD 3840 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Massa Attivo 204-UDIMM AW12P6438 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8473.30.1140 50 4GB
AT32L7238SQB3M ATP Electronics, Inc. AT32L7238SQB3M 114.2128
Richiesta di offerta
 ECAD 5032 0.00000000 ATP Elettronica, Inc. - Vassoio Attivo - AT32L7238 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8473.30.1140 200 SDRAM DDR 256 MB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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