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Schede di memoria, moduli(2975)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Taglia/dimensione | Pacchetto/custodia | Tipo | Numero del prodotto base | Peso | Tensione - Alimentazione | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Fattore di forma | Velocità: leggi | Velocità - Scrivi | Corrente: max | Velocità di trasferimento (Mb/s, MT/s, MHz) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTFDDAK1T0TBN-1AR12ABDB | - |  | 3828 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 1100 | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | 5 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 50 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 1TB | 2,5" | 530MB/s | 500MB/s | - | |||||||
| MTFDHBE1T6TDG-1AW42ABYY | - | | 6851 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 7300 | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | - | NVMe | - | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MTFDHBE1T6TDG-1AW42ABYY | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 1,6TB | Modulo U.2 | 3GB/s | 1,55GB/sec | - | |||||
| MTFDDAK3T8TDS-1AW1ZABYY TR | - | | 8238 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5300 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | - | 5 V, 12 V | scaricamento | REACH Inalterato | 557-MTFDDAK3T8TDS-1AW1ZABYYTR | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 3,84 TBC | 2,5" | 540MB/s | 520MB/s | - | |||||||
| MT18KSF51272PDZ-1G6M1 | - | | 9445 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | 240-RDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | SD-RAM DDR3 | 4GB | 1600 | |||||||||||||
| MTFDDAK960TDT-1AW1ZHCYY | - | | 5845 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5300 | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | - | 5 V, 12 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MTFDDAK960TDT-1AW1ZHCYY | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 960GB | 2,5" | 540MB/s | 520MB/s | - | |||||
| MT16KTF1G64AZ-1G6E1 | - | | 2425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 240-UDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR3L | 8GB | 1600 | |||||||||||||
| MTA18ASF2G72PDZ-2G9J3 | - | | 6468 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SDRAM DDR4 | Vassoio | Obsoleto | 288-RDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 557-MTA18ASF2G72PDZ-2G9J3 | OBSOLETO | 100 | SDRAM DDR4 | 16GB | 2933 | |||||||||||||
| MTA4ATF1G64AZ-2G6E1 | - | | 6853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | MTA4ATF1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 557-MTA4ATF1G64AZ-2G6E1 | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | |||||||||||||||
| MTA4ATF51264HZ-2G3E1 | - | | 9180 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SDRAM DDR4 | Vassoio | Obsoleto | 260-SODIMM | - | Conformità ROHS3 | 557-MTA4ATF51264HZ-2G3E1 | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR4 | 4GB | 2400 | |||||||||||||
| MT18VDDF12872G-335F1 | - | | 8143 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 184-RDIMM | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR | 1GB | 333 | ||||||||||||
| MT4VDDT1664AG-40BF3 | - | | 6227 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Obsoleto | 184-UDIMM | MT4VDDT | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR | 128 MB | 400 | ||||||||||||
| MTEDCBR008SAJ-1N2IT | - | | 4025 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | Modulo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 150 | FLASH-NAND (SLC) | 8GB | - | ||||||||||||
| MT9VDVF6472Y-335F1 | - | | 3126 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 184-RDIMM | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR | 512MB | 333 | ||||||||||||
| MT4LSDT1664AG-13ED1 | - | | 3044 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | 168-UDIMM | MT4LSDT | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM | 128 MB | 133 | |||||||||||
 | MT9HTF6472AY-667D4 | - | | 6308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 240-UDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR2 | 512MB | 667 | ||||||||||||
| MTA18ASF2G72XF1Z-2G9WP1AB | - | | 7251 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 288-NVDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 557-MTA18ASF2G72XF1Z-2G9WP1AB | OBSOLETO | 60 | SDRAM DDR4 | 16GB | 2933 | |||||||||||||
 | MT16KTF1G64HZ-1G6N1 | - | | 9052 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 204-SODIMM | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR3L | 8GB | 1600 | ||||||||||||
| MTFDDAK960TBY-1AR1ZABYY | - | | 2390 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5100 | Scatola | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | 2,47 una volta (70,38 g) | 5 V, 12 V | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 50 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 960GB | 2,5" | 540MB/s | 520MB/s | - | |||||
| MTFDDAK1T9TDT-1AW16HCYY TR | - | | 1468 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5300 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | - | 5 V, 12 V | - | REACH Inalterato | 557-MTFDDAK1T9TDT-1AW16HCYYTR | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 1,92 TBC | 2,5" | 540MB/s | 520MB/s | - | |||||||
| MTFDHAR7T6TCT-1AR1ZABYY | - | | 9118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 9200 | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 55°C | 167,65 mm x 68,89 mm x 18,74 mm | NVMe | 0,353 una volta (10 g) | 12V | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 10 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 7,68 TBC | HHHL | 4,7GB/sec | 2,4GB/sec | 2,5 A | |||||
| MTA72ASS4G72LZ-2G1A1 | - | | 8010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 288-LRDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | SDRAM DDR4 | 32GB | 2133 | |||||||||||||
| MT36KSF2G72PZ-1G4E1 | - | | 7267 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 240-RDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR3L | 16GB | 1333 | ||||||||||||
| MTFDHBE7T6TDF-1AW1BABYY | - | | 1852 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 7300 | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | - | NVMe | - | - | - | 557-MTFDHBE7T6TDF-1AW1BABYY | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 7,68 TBC | Modulo U.2 | 3GB/s | 1,9GB/sec | - | ||||||||
| MT36JSF2G72PZ-1G6P1 | - | | 5112 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 240-RDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 100 | SD-RAM DDR3 | 16GB | 1600 | ||||||||||||
| MTFDDAK3T8TDD-1AT16ABYY | - | | 9617 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5100 | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | 5 V, 12 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 5 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 3,84 TBC | 2,5" | 540MB/s | 520MB/s | - | |||||||
 | MTA36ASF4G72PZ-2G3B1 | - | | 6690 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 288-RDIMM | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1180 | 1 | SDRAM DDR4 | 32GB | 2400 | ||||||||||||
| MTA72ASS8G72LZ-2G6D2 | - | | 2122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 288-UDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B2A | 8471.70.9000 | 1 | SDRAM DDR4 | 64 GB | 2666 | |||||||||||||
| MTA9ASF1G72HBZ-3G2E1 | - | | 4422 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SDRAM DDR4 | Massa | Obsoleto | 260-SODIMM | scaricamento | 557-MTA9ASF1G72HBZ-3G2E1 | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR4 | 8GB | 3200 | ||||||||||||||
| MTA72ASS8G72LZ-2G6R2 | 463.1250 | | 5211 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SDRAM DDR4 | Scatola | Attivo | 288-LRDIMM | scaricamento | 557-MTA72ASS8G72LZ-2G6R2 | 1 | SDRAM DDR4 | 64 GB | 2666 | ||||||||||||||||
| MT9MBF51272AKZ-1G4E1 | - | | 1449 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR3 | 4GB | 1333 |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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