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Schede di memoria, moduli(2975)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Taglia/dimensione | Pacchetto/custodia | Tipo | Numero del prodotto base | Peso | Tensione - Alimentazione | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Fattore di forma | Velocità: leggi | Velocità - Scrivi | Corrente: max | Velocità di trasferimento (Mb/s, MT/s, MHz) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT4VDDT1664HY-335M1 | - |  | 9851 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | 200-SODIMM | MT4VDDT | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 100 | SDRAM DDR | 128 MB | 333 | |||||||||||
| MT9HVF6472PKZ-667H1 | - | | 2553 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | 244-MiniRDIMM | MT9HVF6472 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 100 | SD-RAM DDR2 | 512 MB | 667 | |||||||||||
| MTFDDAK480TDT-1AW16TAYY | - | | 6648 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5300 | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | - | 5 V, 12 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MTFDDAK480TDT-1AW16TAYY | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 480GB | 2,5" | 540MB/s | 460MB/s | - | |||||
| MTA16ATF2G64AZ-2G1A1 | - | | 9029 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 288-UDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 100 | SDRAM DDR4 | 16GB | 2133 | ||||||||||||
| MTFDCAE004SAF-1B1 | 75.7527 | | 6451 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | RealSSD™ | Massa | Interrotto alla SIC | Modulo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8471.70.9000 | 100 | FLASH-NAND (SLC) | 4GB | - | ||||||||||||
| MTFDKCB3T8TFR-1BC15ABYY | 748.8000 | | 7694 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 7450 | Scatola | Attivo | 0°C ~ 70°C | - | NVMe | - | - | scaricamento | 1 (illimitato) | 557-MTFDKCB3T8TFR-1BC15ABYY | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 3,84 TBC | 2,5" | 6,8GB/sec | 5,3GB/sec | - | ||||||||
| MTFDDAK256MBF-1AN12ABYY | - | | 1244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | M600 | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | 2,29 una volta (65,25 g) | 5 V | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 50 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (MLC) | 256GB | 2,5" | 560MB/sec | 510MB/sec | - | ||||||
| MTA8ATF2G64HZ-3G2B1 | - | | 2679 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SDRAM DDR4 | Vassoio | Obsoleto | 260-SODIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 557-MTA8ATF2G64HZ-3G2B1 | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR4 | 16GB | 3200 | ||||||||||||
| MTFDHBM1T0TDQ-1AT12ATYY TR | 540.6750 | | 2002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | M500IT | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | - | NVMe | - | - | scaricamento | 1 (illimitato) | 557-MTFDHBM1T0TDQ-1AT12ATYYTR | 1.000 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 1TB | BGA | 2GB/s | 1,8GB/sec | - | ||||||||
| MTFDHAR1T9TCT-1AR1ZABYY | - | | 2795 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 9200 | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 55°C | 167,65 mm x 68,89 mm x 18,74 mm | NVMe | 0,353 una volta (10 g) | 12V | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 10 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 1,92 TBC | HHHL | 4,3GB/sec | 1,95GB/sec | 2,5 A | |||||
| MT36HTF51272FZ-80EH1D6 | - | | 4179 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | 240-FBDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | SD-RAM DDR2 | 4GB | 800 | ||||||||||||
| MT16KTF51264HZ-1G6M1 | - | | 4152 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | 204-SODIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | SDRAM DDR3L | 4GB | 1600 | |||||||||||||
| MTFDDAK7T6TDS-1AW1ZHCYY TR | - | | 2658 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5300 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | - | 5 V, 12 V | - | REACH Inalterato | 557-MTFDDAK7T6TDS-1AW1ZHCYYTR | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 7,68 TBC | 2,5" | 540MB/s | 520MB/s | - | |||||||
 | MT8HTF6464AY-53EB3 | - | | 3504 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | 240-UDIMM | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR2 | 512 MB | 533 | ||||||||||||
 | MT8HTF12864HDY-667A3 | 401.9213 | | 2364 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | 200-SODIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR2 | 1GB | 667 | ||||||||||||
| MT18KSF1G72PDZ-1G4P1 | - | | 3043 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 240-RDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 100 | SDRAM DDR3L | 8GB | 1333 | |||||||||||||
| MT18HTF25672PKZ-667H1 | - | | 4968 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | 244-MiniRDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | SD-RAM DDR2 | 2GB | 667 | |||||||||||||
| MTA16ATF2G64HZ-2G6E1 | 76.7250 | | 8022 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | 260-SODIMM | MTA16 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR4 | 16GB | 2666 | |||||||||||
| MTA16ATF2G64AZ-2G6B1 | - | | 4572 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 288-UDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 100 | SDRAM DDR4 | 16GB | 2666 | ||||||||||||
| MTA4ATF1G64AZ-3G2E1 | - | | 3266 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SDRAM DDR4 | Massa | Obsoleto | 288-UDIMM | MTA4ATF1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 557-MTA4ATF1G64AZ-3G2E1 | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR4 | 8GB | 3200 | ||||||||||
| MT4KTF25664AZ-1G6P1 | - | | 5479 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 240-UDIMM | MT4KTF25664 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 100 | SDRAM DDR3L | 2GB | 1600 | |||||||||||
| MT9JSF51272AZ-1G9P1 | - | | 4780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 240-UDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR3 | 4GB | 1866 | ||||||||||||
| MTFDKBA2T0TGD-1BK15ABYY | - | | 4569 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | - | REACH Inalterato | 557-MTFDKBA2T0TGD-1BK15ABYY | 1 | |||||||||||||||||||
| MT16HTF12864AY-800D1 | - | | 4951 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | 240-UDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR2 | 1GB | 800 | ||||||||||||
| MT16HTF12864AY-80ED4 | - | | 3894 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 240-UDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR2 | 1GB | 800 | ||||||||||||
| MT9HTF6472AY-80ED4 | - | | 3201 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 240-UDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR2 | 512 MB | 800 | ||||||||||||
| MTFDDAK1T9QDE-2AV1ZFPYY | - | | 2651 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5210 | Scatola | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | 2,47 una volta (70,38 g) | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MTFDDAK1T9QDE-2AV1ZFPYY | OBSOLETO | 5 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (QLC) | 1,92 TBC | 2,5" | 540MB/s | 260MB/s | - | |||||
| MT16JTF1G64HZ-1G6E1 | - | | 2179 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 204-SODIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR3 | 8GB | 1600 | |||||||||||||
| MTFDKCE1T9TDZ-1AZ4DABYY | - | | 6053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 7400 | Scatola | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | - | NVMe | - | - | - | 1 (illimitato) | 557-MTFDKCE1T9TDZ-1AZ4DABYY | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 1,92 TBC | - | 6,5GB/sec | 2,2GB/sec | - | |||||||
| MTEDFAE008SCA-1P2IT | - | | 4574 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 500euro | Vassoio | Obsoleto | Modulo | MTEDFAE008 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 150 | FLASH-NAND (SLC) | 8GB | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
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