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Schede di memoria, moduli(2975)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Taglia/dimensione | Pacchetto/custodia | Tipo | Numero del prodotto base | Peso | Tensione - Alimentazione | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Fattore di forma | Velocità: leggi | Velocità: scrivi | Corrente: max | Velocità di trasferimento (Mb/s, MT/s, MHz) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTFDHBA1T0TCK-1AT1AABDA | - |  | 3410 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 2200 | Massa | Obsoleto | - | - | NVMe | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 180 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 1TB | Modulo M.2 | 3GB/s | 1,6GB/sec | - | ||||||||
| MTFDDAK3T8TDD-1AT1ZTAYY | - | | 4466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5100 | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | 5 V, 12 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 5 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 3,84 TBC | 2,5" | 540MB/s | 520MB/s | - | |||||||
| MT36KSF1G72PZ-1G6K2 | - | | 2039 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 240-RDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 100 | SDRAM DDR3L | 8 GB | 1600 | |||||||||||||
| MTFDKBA480TFR-1BC4DABYY | 198.0000 | | 2597 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 7450 | Scatola | Attivo | 0°C ~ 70°C | - | NVMe | - | - | scaricamento | 1 (illimitato) | 557-MTFDKBA480TFR-1BC4DABYY | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 480GB | Modulo M.2 | 5GB/s | 700MB/s | - | ||||||||
| MTFDCAE004SAJ-1N1 | - | | 1467 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | Modulo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 150 | FLASH NAND (SLC) | 4GB | - | ||||||||||||
| MTFDKBA512TGD-1BK15ABYY | - | | 6232 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | - | - | NVMe | - | - | - | REACH Inalterato | 557-MTFDKBA512TGD-1BK15ABYY | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 512GB | Modulo M.2 | 6,6GB/sec | 3,6GB/sec | - | ||||||||
| MTFDDAV256TBN-1AR1ZABYY | - | | 5261 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 1100 | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 80,00 mm x 22,00 mm x 2,15 mm | SATAIII | MTFDDAV256 | 0,353 una volta (10 g) | 3,3 V | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 100 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 256GB | Modulo M.2 | 530MB/s | 500MB/s | - | ||||
| MTFDHAR3T8TCT-1AR1ZABYY | - | | 5416 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 9200 | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 55°C | 167,65 mm x 68,89 mm x 18,74 mm | NVMe | 0,353 una volta (10 g) | 12V | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 10 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 3,84 TBC | HHHL | 6GB/s | 2,4GB/sec | 2,5 A | |||||
| MTFDDAT256MBF-1AN12ABYY | - | | 2261 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | M600 | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 50,80 mm x 29,85 mm x 4,75 mm | SATAIII | 0,353 una volta (10 g) | 3,3 V | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 100 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (MLC) | 256GB | mSATA | 560MB/sec | 510MB/sec | - | ||||||
| MTFDDAK240MBB-1AE1ZABYY | - | | 1287 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | M500DC | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,20 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | - | 5 V | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 50 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (MLC) | 240GB | 2,5" | 425MB/sec | 330MB/s | - | |||||
| MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 | - | | 9522 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 260-SODIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | SDRAM DDR4 | 8 GB | 2400 | ||||||||||||
| MT18KSF1G72AZ-1G4E1 | - | | 1298 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 240-UDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | SDRAM DDR3L | 8 GB | 1333 | ||||||||||||
| MTFDDAK1T9TBY-1AR1ZABYY | - | | 3750 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5100 | Scatola | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | 2,47 una volta (70,38 g) | 5 V, 12 V | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 50 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 1,92 TBC | 2,5" | 540MB/s | 520MB/s | - | |||||
| MT4VDDT3264WG-335C1 | - | | 7078 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | 172-UDIMM | MT4VDDT | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR | 256MB | 333 | |||||||||||
| MTFDDAK3T8TDT-1AW15TAYY TR | - | | 5780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5300 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | - | 5 V, 12 V | - | REACH Inalterato | 557-MTFDDAK3T8TDT-1AW15TAYYTR | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 3,84 TBC | 2,5" | 540MB/s | 520MB/s | - | |||||||
| MT18JDF51272PDZ-1G9K2 | - | | 6916 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | 240-RDIMM | MT18JDF51272 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | SD-RAM DDR3 | 4GB | - | |||||||||||
| MTA9ASF1G72PZ-2G3A1 | - | | 3573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 288-RDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 100 | SDRAM DDR4 | 8 GB | 2400 | ||||||||||||
| MT18HTF12872FDY-667B5D3 | - | | 3585 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 240-FBDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR2 | 1GB | 667 | ||||||||||||
| MT8KTF51264AZ-1G6E1 | - | | 7943 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 240-UDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | SDRAM DDR3L | 4GB | 1600 | ||||||||||||
| MT4JSF12864HZ-1G1D1 | - | | 4876 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | 204-SODIMM | MT4JSF | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 100 | SD-RAM DDR3 | 1GB | 1066 | |||||||||||
 | MT8HTF3264AY-53EB3 | - | | 5085 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 240-UDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 557-1144 | EAR99 | 8473.30.1140 | 1 | SD-RAM DDR2 | 256MB | 267 | |||||||||||
| MT18VDVF12872G-335D4 | - | | 6570 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Obsoleto | 184-RDIMM | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR | 1GB | 333 | |||||||||||||
| MT8HTF12864AY-53ED1 | 455.5514 | | 5600 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | 240-UDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR2 | 1GB | 533 | ||||||||||||
| MTFDDAV512TBN-1AR1ZTAYY | 199.1950 | | 4138 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 1100 | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C | 80,00 mm x 22,00 mm x 2,15 mm | SATAIII | MTFDDAV512 | 0,353 una volta (10 g) | 3,3 V | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 100 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 512GB | Modulo M.2 | 530MB/s | 500MB/s | - | ||||
| MTFDDAK480TDS-1AW1ZABYY TR | - | | 8397 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5300 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | - | 5 V, 12 V | scaricamento | REACH Inalterato | 557-MTFDDAK480TDS-1AW1ZABYYTR | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 480GB | 2,5" | 540MB/s | 410MB/sec | - | |||||||
| MTFDDAK3T8TDC-1AT1ZTAYY | - | | 9956 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5200 | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | 5 V, 12 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 5 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 3,84 TBC | 2,5" | 540MB/s | 520MB/s | - | |||||||
| MT4HTF3264HY-40EA3 | - | | 4232 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Interrotto alla SIC | 200-SODIMM | MT4HTF | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR2 | 256MB | 400 | |||||||||||
| MTEDCAE002SAJ-1M4 | - | | 1084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | Modulo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 150 | FLASH NAND (SLC) | 2GB | - | |||||||||||||
| MTA8ATF2G64HZ-3G2F1 | 74.4900 | | 9142 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SDRAM DDR4 | Vassoio | Attivo | 260-SODIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MTA8ATF2G64HZ-3G2F1 | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR4 | 16GB | 3200 | |||||||||||
| MTA36ASF4G72PZ-3G2J4 | - | | 1689 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SDRAM DDR4 | Vassoio | Obsoleto | 288-RDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 557-MTA36ASF4G72PZ-3G2J4 | OBSOLETO | 100 | SDRAM DDR4 | 32 GB | 3200 |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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