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Schede di memoria, moduli(2975)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Taglia/dimensione | Pacchetto/custodia | Tipo | Numero del prodotto base | Peso | Tensione - Alimentazione | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Fattore di forma | Velocità: leggi | Velocità - Scrivi | Corrente: max | Velocità di trasferimento (Mb/s, MT/s, MHz) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTA4ATF1G64HZ-3G2B2 | - |  | 3661 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SDRAM DDR4 | Vassoio | Obsoleto | 260-SODIMM | MTA4ATF1 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 557-MTA4ATF1G64HZ-3G2B2 | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR4 | 8 GB | 3200 | |||||||||||
 | MT18VDDF12872Y-40BJ1 | - | | 5713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | 184-RDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 100 | SDRAM DDR | 1GB | 400 | ||||||||||||
| MT18HTF25672AZ-80EH1 | - | | 5939 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | 240-UDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | SD-RAM DDR2 | 2GB | 800 | ||||||||||||
 | MT8HTF3264AY-53EB4 | 76.1469 | | 1388 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Interrotto alla SIC | 240-UDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR2 | 256MB | 533 | ||||||||||||
 | MT4VDDT3264HY-335F2 | - | | 2183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 200-SODIMM | MT4VDDT | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR | 256MB | 333 | |||||||||||
| MTA18ASF2G72PDZ-2G6H1TR | - | | 8412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 288-RDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MTA18ASF2G72PDZ-2G6H1TR | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | SDRAM DDR4 | 16GB | 2666 | ||||||||||||
| MT18LSDT12872AG-133C1 | - | | 5365 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Interrotto alla SIC | 168-UDIMM | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM | 1GB | 133 | ||||||||||||
| MT9KSF25672AZ-1G4K1 | - | | 6581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 240-UDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR3L | 2GB | 1333 | |||||||||||||
 | MTFDKBA2T0TFH-1BC15ABYY | 234.4400 | | 233 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 3400 | Massa | Acquisto per l'ultima volta | - | - | - | - | - | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 557-MTFDKBA2T0TFH-1BC15ABYY | 5A992C | 8523.51.0000 | 180 | - | 2TB | Modulo M.2 | - | - | - | ||||
| MTFDKCB1T6TFC-1AZ15ABYY | - | | 1637 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 7400 | Scatola | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | - | NVMe | - | - | - | 1 (illimitato) | 557-MTFDKCB1T6TFC-1AZ15ABYY | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 1,6TB | 2,5" | 6,5GB/sec | 2,2GB/sec | - | |||||||
 | MTFDHAL3T8TDP-1AT1ZABYY | - | | 6940 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 9300 | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 70,10 mm x 15,00 mm | NVMe | MTFDHAL3 | - | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 5 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 3,84 TBC | Modulo U.2 | 3,5GB/sec | 3,1GB/sec | - | ||||||
| MTFDCAE004SAJ-1N1IT | - | | 3996 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | Modulo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 150 | FLASH-NAND (SLC) | 4GB | - | ||||||||||||
| MTA8ATF1G64AZ-3G2J3 | - | | 5614 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | 288-UDIMM | MTA8ATF1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MTA8ATF1G64AZ-3G2J3 | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR4 | 8 GB | 3200 | ||||||||||
| MTA18ASF2G72PF1Z-3G2WP1AB | - | | 1745 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SDRAM DDR4 | Vassoio | Attivo | 288-NVDIMM | MTA18 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MTA18ASF2G72PF1Z-3G2WP1AB | EAR99 | 8473.30.1140 | 60 | SDRAM DDR4 | 16GB | 3200 | ||||||||||
| MTFDKCC3T8TDZ-1AZ15ABYY | - | | 1960 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 7400 | Scatola | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | - | NVMe | - | - | - | 1 (illimitato) | 557-MTFDKCC3T8TDZ-1AZ15ABYY | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 3,84 TBC | 2,5" | 6,6GB/sec | 3,5GB/sec | - | |||||||
| MTFDDAV240TDS-1AW1ZABYY TR | - | | 8887 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5300 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 80,00 mm x 22,00 mm x 3,80 mm | SATAIII | - | 3,3 V | scaricamento | REACH Inalterato | 557-MTFDDAV240TDS-1AW1ZABYYTR | OBSOLETO | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 240GB | Modulo M.2 | 540MB/s | 310MB/sec | - | |||||||
| MTFDKCC6T4TFS-1BC45ABYY | 1.0000 | | 1149 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 7450 | Scatola | Attivo | 0°C ~ 70°C | - | NVMe | - | - | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 557-MTFDKCC6T4TFS-1BC45ABYY | 1 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 6,4 TBC | 2,5" | 6,8GB/sec | 5,6GB/sec | - | |||||||
| MT9JSF12872AZ-1G4J1 | - | | 7340 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 240-UDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR3 | 1GB | 1333 | ||||||||||||
| MTA9ASF51272PZ-2G1A2 | - | | 3081 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 288-RDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | SDRAM DDR4 | 4GB | 2133 | |||||||||||||
| MT9HTF12872KY-53ED1 | 1.0000 | | 3488 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | 244-MiniRDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR2 | 1GB | 533 | ||||||||||||
| MT5HTF3272KY-40EB1 | - | | 5638 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Obsoleto | 244-MiniRDIMM | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR2 | 256MB | 400 | |||||||||||||
| MT9HTF6472FY-53EB4D3 | - | | 1460 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 240-FBDIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SD-RAM DDR2 | 512 MB | 533 | ||||||||||||
| MTFDBAC025SAE-1B1 | - | | 7935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | RealSSD™ | Massa | Interrotto alla SIC | - | - | - | - | - | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8471.70.9000 | 100 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND | 25GB | - | - | - | - | |||||
| MTFDDAK2T0TBN-1AR1ZTAYY | - | | 2486 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 1100 | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,45 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | 56 g (1,98 una volta) | 5 V | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 50 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (TLC) | 2TB | 2,5" | 530MB/s | 500MB/s | - | |||||
| MTA18ASF1G72HZ-2G6B1 | - | | 8963 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 260-SODIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | SDRAM DDR4 | 8 GB | 2666 | ||||||||||||
| MTA18ASF2G72PF1Z-2G9WP1AB | 577.5000 | | 1949 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | 288-NVDIMM | MTA18 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MTA18ASF2G72PF1Z-2G9WP1AB | 60 | SDRAM DDR4 | 16GB | 2933 | ||||||||||||
| MTA9ASF51272PZ-2G1B1 | - | | 8093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 288-RDIMM | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | SDRAM DDR4 | 4GB | 2133 | ||||||||||||
| MTA16ATF2G64HZ-2G3E1 | - | | 5573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SDRAM DDR4 | Vassoio | Obsoleto | 260-SODIMM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 557-MTA16ATF2G64HZ-2G3E1 | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR4 | 16GB | 2400 | |||||||||||||
| MT8VDDT6464AG-335F3 | - | | 5627 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | 184-UDIMM | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM DDR | 512 MB | 333 | ||||||||||||
| MTFDDAK256MAM-1K12 | - | | 3840 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | C400 | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | 100,50 mm x 69,85 mm x 7,00 mm | SATAIII | - | 5 V | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 50 | Unità a stato solido (SSD) FLASH - NAND (MLC) | 256GB | 2,5" | 500MB/s | 260MB/sec | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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