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Isolatori(2080)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Agenzia di approvazione	Numero di canali	Tipo di uscita	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Corrente - Uscita/Canale	Velocità dati	Orario di salita/discesa (tip.)	Tensione - Uscita (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - CC diretta (Se) (Max)	Tensione - Isolamento	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Corrente - Mantieni (Ih)	Ingressi: Lato 1/Lato 2	Immunità transitoria in modalità comune (min)	Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max)	Rapporto di trasferimento corrente (min)	Rapporto di trasferimento corrente (max)	Orario di accensione/spegnimento (tip.)	Saturazione Vce (massima)	Circuito Zero Crossing	dV/dt statico (Min)	Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max)	Attiva ora
ILQ74-X001	1.7754	Richiesta di offerta	5307	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	16 DIP (0,300", 7,62 mm)	ILQ74	DC		4	Transistor		16-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	1.000	-		-	20 V	1,3 V	60 mA	5300 Vrm							12,5% a 16 mA	-	3μs, 3μs	500mV
SFH6186-4T	1.0200	Richiesta di offerta	2	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	SFH6186	DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		3,5 µs, 5 µs	55 V	1,1 V	60 mA	5300 Vrm							160% a 1 mA	320% a 1 mA	6μs, 5,5μs	400mV
ILD615-3	1.8300	Richiesta di offerta	2	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	ILD615	DC		2	Transistor		8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	50	50mA		2μs, 2μs	70 V	1,15 V	60 mA	5300 Vrm							100% a 10 mA	200% a 10 mA	3μs, 2,3μs	-
IL211AT	1.0800	Richiesta di offerta	35	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IL211	DC		1	Transistor con base		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.000	-		-	30 V	1,3 V	60 mA	4000 Vrm							20% a 10 mA	-	3μs, 3μs	400mV
SFH6136-X007	-	Richiesta di offerta	8385	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	SFH6136	DC		1	Transistor con base		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.000	8 mA		-	25 V	1,6 V	25 mA	5300 Vrm							19% a 16 mA	-	200ns, 200ns	-
VOL617A-3X001T	0,5000	Richiesta di offerta	23	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	VOL617	DC		1	Transistor		4-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		3,5 µs, 5 µs	80 V	1,16 V	60 mA	5000 Vrm							100% a 5 mA	200% a 5 mA	6μs, 5,5μs	400mV
IL202-X001	-	Richiesta di offerta	4951	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	IL202	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.000	-		-	70 V	1,2 V	60 mA	5300 Vrm							125% a 10 mA	250% a 10 mA	-	400mV
4N38-X007	0,2167	Richiesta di offerta	5599	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	4N38	DC		1	Transistor con base		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		-	80 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm							20% a 20 mA	-	10μs, 10μs	-
TCET1108G	0,1761	Richiesta di offerta	9610	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)	TCET1108	DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	4.000	50mA		3μs, 4,7μs	70 V	1,25 V	60 mA	5000 Vrm							130% a 5 mA	260% a 5 mA	6μs, 5μs	300mV
SFH655A-X009T	-	Richiesta di offerta	3713	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	SFH655	DC		1	Darlington		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	125 mA		14μs, 14μs	55 V	1,15 V	60 mA	5300 Vrm							600% a 1 mA	-	16μs, 15μs	1 V
SFH615AGR	0,7100	Richiesta di offerta	2	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	SFH615	DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	100	50mA		-	70 V	1,25 V	60 mA	5300 Vrm							100% a 5 mA	300% a 5 mA	2μs, 25μs	400mV
VO4156H	-	Richiesta di offerta	4159	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	VO4156		cUR, UR	1	Triac		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.000					1,2 V	60 mA	5300 Vrm	600 V	300mA	500μA								SÌ	5 kV/μs	2mA	-
TCLT1118	0,2596	Richiesta di offerta	3668	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 5 conduttori	TCLT1118	DC		1	Transistor con base		6-SOP, 5 pin	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		3μs, 4,7μs	70 V	1,25 V	60 mA	5000 Vrm							130% a 5 mA	260% a 5 mA	6μs, 5μs	300mV
VO3063-X009T	0,6186	Richiesta di offerta	3520	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	VO306		cUR, UR	1	Triac		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	1.000					1,2 V	60 mA	5300 Vrm	600 V	100 mA	200μA (suggerimento)								SÌ	1,5 kV/μs	5mA	-
SFH615A-3X007T	1.0000	Richiesta di offerta	845	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	SFH615	DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		2μs, 2μs	70 V	1,35 V	60 mA	5300 Vrm							100% a 10 mA	200% a 10 mA	3μs, 2,3μs	400mV
K814P	0,6900	Richiesta di offerta	3	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	K814	CA, CC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	100	50mA		3μs, 4,7μs	70 V	1,25 V	60 mA	5000 Vrm							20% a 5 mA	300% a 5 mA	6μs, 5μs	300mV
TCLT1007	0,7200	Richiesta di offerta	80	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	TCLT1007	DC		1	Transistor		4-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		3μs, 4,7μs	70 V	1,25 V	60 mA	5000 Vrm							80% a 5 mA	160% a 5 mA	6μs, 5μs	300mV
ILD250	-	Richiesta di offerta	7339	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	ILD250	CA, CC		2	Transistor			scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.000	-		-	30 V	1,2 V	60 mA	5300 Vrm							50% a 10 mA	-	-	400mV
6N1136-X009T	-	Richiesta di offerta	5717	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	6N1136	DC		1	Transistor con base		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	8 mA		-	15 V	1,6 V	25 mA	5300 Vrm							19% a 16 mA	-	200ns, 200ns	-
VO2631-X006	3.3400	Richiesta di offerta	2	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	8 DIP (0,400", 10,16 mm)	VO2631	DC		2	Aprire lo scarico	4,5 V ~ 5,5 V	8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.000	50 mA	10 MBd	23ns, 7ns		1,42 V	15 mA	5300 Vrm				2/0	5 kV/μs	100ns, 100ns
CNY17-1X017	0,2509	Richiesta di offerta	3955	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	CNY17	DC		1	Transistor con base		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		2μs, 2μs	70 V	1,39 V	60 mA	5000 Vrm							40% a 10 mA	80% a 10 mA	3μs, 2,3μs	400mV
IL755-1X007	0,7379	Richiesta di offerta	3665	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	IL755	CA, CC		1	Darlington con base		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.000	-		50 µs, 50 µs	60 V	1,2 V	60 mA	5300 Vrm							750% a 2 mA	-	-	1 V
VOS615A-2X001T	0,6400	Richiesta di offerta	4034	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	VOS615	DC		1	Transistor		4-SSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		3μs, 4μs	80 V	1,2 V	50 mA	3750 Vrm							63% a 10 mA	125% a 10 mA	5μs, 5μs	400mV
SFH610A-3	1.0400	Richiesta di offerta	2	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	SFH610	DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	100	50mA		2μs, 2μs	70 V	1,25 V	60 mA	5300 Vrm							100% a 10 mA	200% a 10 mA	3μs, 2,3μs	400mV
HWXX58438SS1R	-	Richiesta di offerta	6014	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Massa	Obsoleto				HWXX5							-				751-HWXX58438SS1R	OBSOLETO		1.000
TCET1101G	0,5500	Richiesta di offerta	4084	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)	TCET1101	DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	4.000	50mA		3μs, 4,7μs	70 V	1,25 V	60 mA	5000 Vrm							40% a 10 mA	80% a 10 mA	6μs, 5μs	300mV
IL300-EFG-X016	-	Richiesta di offerta	3761	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	IL300	Massa	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	8 DIP (0,400", 10,16 mm)		DC		1	Fotovoltaico, Linearizzato		8-DIP	-				751-IL300-EFG-X016	EAR99	8541.49.8000	1.000	-		1μs, 1μs	-	1,25 V	60 mA	4420Vrm							-	-	-	-
VO615A-6X009T	0,1298	Richiesta di offerta	3741	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	VO615	DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		3μs, 4,7μs	70 V	1,43 V	60 mA	5000 Vrm							100% a 5 mA	300% a 5 mA	6μs, 5μs	300mV
SFH619A-X007T	1.4100	Richiesta di offerta	46	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	SFH619	DC		1	Darlington		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	125 mA		3,5 µs, 14,5 µs	300 V	1,2 V	60 mA	5300 Vrm							1000% a 1 mA	-	4,5 µs, 29 µs	1,2 V
CNY17F-3X009	0,7100	Richiesta di offerta	370	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	CNY17	DC		1	Transistor		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	50mA		2μs, 2μs	70 V	1,39 V	60 mA	5000 Vrm							100% a 10 mA	200% a 10 mA	3μs, 2,3μs	400mV