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Isolatori(2080)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CNY17-1. | 0,6600 |  | 997 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | SFH6316T | 1.8900 | | 9 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | SFH6316 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 8mA | - | 25 V | 1,6 V | 25 mA | 4000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 250 nanometri, 500 nanometri | - | |||||||||||||||
 | VOT8024AB-V | 0,4370 | | 8692 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VOT8024 | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - | ||||||||||||||||
 | IL300-FG-X007T | - | | 7002 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | IL300 | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 3 | Fotovoltaico, Linearizzato | 8-SMD | - | 751-IL300-FG-X007T | OBSOLETO | 1 | - | 1,75 µs, 1,75 µs | - | 1,25 V | 60 mA | 4420Vrm | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
 | VOT8025AB-T | 1.2300 | | 2 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (5 conduttori), Ala di gabbiano | VOT8025 | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - | ||||||||||||||||
| SFH6156-3T-LB | - | | 1258 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | SFH6156 | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | - | REACH Inalterato | 751-SFH6156-3T-LB | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 14μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | |||||||||||||||||
| SFH618A-5X017 | 0,3918 | | 5331 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | SFH618 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 3,5 µs, 5 µs | 55 V | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 250% a 1 mA | 500% a 1 mA | 6μs, 5,5μs | 400mV | |||||||||||||||
 | ILQ74-X009T | 3.9500 | | 666 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, Ala di gabbiano | ILQ74 | DC | 4 | Transistor | 16-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | - | - | 20 V | 1,3 V | 60 mA | 5300 Vrm | 12,5% a 16 mA | - | 3μs, 3μs | 500mV | ||||||||||||||||
 | VOS615A-2X001T | 0,6400 | | 4034 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | VOS615 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3μs, 4μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 5μs, 5μs | 400mV | ||||||||||||||||
| 4N25-X001 | 0,2209 | | 8474 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N25 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,36 V | 60 mA | 5000 Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 500mV | ||||||||||||||||
 | VOM453T | 1.4200 | | 8 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | VOM453 | DC | 1 | Transistor | 5-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 8mA | - | 25 V | 1,4 V | 25 mA | 3750 Vrm | 20% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 500ns | - | ||||||||||||||||
| VOA300-F-X007T | - | | 1849 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | Automobilistico, AEC-Q102 | Massa | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | VOA300 | DC | 3 | Fotovoltaico, Linearizzato | 8-SMD | scaricamento | 751-VOA300-F-X007T | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 800ns, 800ns | - | 1,4 V | 60 mA | 5300 Vrm | - | - | - | - | |||||||||||||||||
| VOT8125AB | 0,4069 | | 3415 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | VOT8125 | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 751-VOT8125AB | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 5mA | - | |||||||||||||||
| VOA300-DEFG-X007 | - | | 8857 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | Automobilistico, AEC-Q102 | Massa | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | VOA300 | DC | 3 | Fotovoltaico, Linearizzato | 8-SMD | scaricamento | 751-VOA300-DEFG-X007 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | 800ns, 800ns | - | 1,4 V | 60 mA | 5300 Vrm | - | - | - | - | |||||||||||||||||
 | ILQ621-X006 | 1.4021 | | 1101 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 16 DIP (0,400", 10,16 mm) | ILQ621 | DC | 4 | Transistor | 16-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,15 V | 60 mA | 5300 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | VO617C-4X016 | 0,2307 | | 9398 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | VO617 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 5 mA | 320% a 5 mA | 6μs, 4μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | SFH6705 | - | | 8052 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH6705 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V~15 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 25 mA | 5 MBd | 25ns, 4ns | 1,6 V | 10mA | 5300 Vrm | 1/0 | 1kV/μs | 300ns, 300ns | |||||||||||||||
 | 6N1136-X009T | - | | 5717 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N1136 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8mA | - | 15 V | 1,6 V | 25 mA | 5300 Vrm | 19% a 16 mA | - | 200ns, 200ns | - | |||||||||||||||
| CNY17G-1 | 0,1993 | | 9583 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | VOW135-X001 | 1.2151 | | 4528 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 751-VOW135-X001TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.200 | 8mA | - | - | 1,38 V | 25 mA | 5300 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | - | - | ||||||||||||||||||
| IL207AT-3062 | - | | 8841 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | IL205AT | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | - | 751-IL207AT-3062 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 70 V | 1,3 V | 60 mA | 4000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||
 | CNY75GC | 0,6600 | | 118 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY75 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 4,2 µs, 4,7 µs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 7μs, 5μs | 300mV | |||||||||||||||
 | SFH615A-3X016-D | - | | 1382 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | SFH615A | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | - | REACH Inalterato | 751-SFH615A-3X016-D | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 14μs | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | |||||||||||||||||
| SFH600-3X002 | - | | 1007 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | SFH600 | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | - | REACH Inalterato | 751-SFH600-3X002 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 14μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 5,8 µs, 24 µs | 400mV | |||||||||||||||||
| SFH610A-4X016 | 1.2000 | | 5171 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | SFH610 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
| VO3021-X001 | - | | 5760 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | VO302 | CQC, CSA, cUL, FIMKO, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | - | 751-VO3021-X001 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,3 V | 50 mA | 5000 Vrm | 400 V | 100 mA | 200μA (suggerimento) | NO | 100 V/μs | 15 mA | - | |||||||||||||||||
| HWXX58236 | - | | 3132 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Massa | Obsoleto | HWXX5 | - | 751-HWXX58236 | OBSOLETO | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6N137-X006 | 1.8900 | | 618 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | 6N137 | DC | 1 | Aprire lo scarico | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 10 MBd | 23ns, 7ns | 1,4 V | 20 mA | 5300 Vrm | 1/0 | 1kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
| SFH6326-X007T | 2.4900 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | SFH6326 | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8mA | - | 25 V | 1,33 V | 25 mA | 5300 Vrm | 19% a 16 mA | - | 200ns, 500ns | - | |||||||||||||||
 | VOM617A-8X001T | 0,5700 | | 10 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VOM617 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,1 V | 60 mA | 3750 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | 6μs, 4μs | 400mV |
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