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Isolatori(2080)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VOT8025AD-V | 1.3000 |  | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Foro passante | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori | VOT8025 | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - | ||||||||||||||||
 | VO618A-4 | 0,4400 | | 9 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | VO618 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 2μs | 80 V | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 1 mA | 320% a 1 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| VO4154M-X007T | 2.7300 | | 400 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | VO4154 | cUR, UR | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 400 V | 300mA | 500μA | SÌ | 5 kV/μs | 3mA | - | ||||||||||||||||
 | SFH6732-X007T | - | | 4153 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | SFH6732 | DC | 2 | Push-pull, totem | 4,5 V~15 V | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 25 mA | 5 MBd | 40ns, 10ns | 1,6 V | 10mA | 5300 Vrm | 2/0 | 5kV/μs, 10kV/μs | 300ns, 300ns | |||||||||||||||
 | TCDT1102G | 0,6800 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | TCDT1102 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 7μs, 6,7μs | 32V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 11μs, 7μs | 300mV | |||||||||||||||
| BRT22F-X017T | - | | 5654 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | BRT22 | cUL, UR, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | - | 751-BRT22F-X017T | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,16 V | 60 mA | 5300 Vrm | 600 V | 300mA | 500μA | SÌ | 10 kV/μs | 1,2 mA | 35 µs | |||||||||||||||||
 | VO2223B-X007T | 2.3800 | | 60 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD (7 conduttori), Ala di gabbiano | VO2223 | cUR, UR | 1 | Triac, Potenza | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,4 V (massimo) | 50 mA | 4470Vrm | 600 V | 1A | 25 mA | NO | 600 V/μs (tip.) | 10mA | - | ||||||||||||||||
 | CNY17-1X007 | 0,7100 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
| VO610A-3X018T | 0,1391 | | 2515 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VO610 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 6μs, 5μs | 300mV | ||||||||||||||||
 | IL1206AT | 0,3507 | | 3726 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IL1206 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | - | 70 V | 1,3 V | 60 mA | 4000 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| ILD74-X016 | - | | 7590 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | ILD74 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | - | 20 V | 1,3 V | 60 mA | 5300 Vrm | 12,5% a 16 mA | - | 3μs, 3μs | 500mV | ||||||||||||||||
 | VOT8024AM-VT2 | 0,4370 | | 2888 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VOT8024 | cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - | ||||||||||||||||
| VOT8123AD | 1.1600 | | 3147 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | VOT8123 | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 751-VOT8123AD | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 10mA | - | |||||||||||||||
 | K825P | 1.0600 | | 984 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | K825 | DC | 2 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 80 mA | 300 µs, - | 35 V | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 600% a 1 mA | - | -, 250μs | 100mV | ||||||||||||||||
| VO4661 | 3.4500 | | 2 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | VO4661 | DC | 2 | Aprire lo scarico | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 10 MBd | 23ns, 7ns | 1,4 V | 15 mA | 5300 Vrm | 2/0 | 15 kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
 | SFH640-3X019T | 2.1800 | | 15 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | SFH640 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2,5 µs, 5,5 µs | 300 V | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 5μs, 6μs | 400mV | |||||||||||||||
 | SFH6136-X018 | - | | 4352 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | SFH6136 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 8mA | - | 25 V | 1,6 V | 25 mA | 5300 Vrm | 19% a 16 mA | - | 200ns, 200ns | - | |||||||||||||||
| 4N35-X019T | 0,2843 | | 4328 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N35 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | - | 10μs, 10μs | - | ||||||||||||||||
| SFH6135-X019 | - | | 3371 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | SFH6135 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 8mA | - | 25 V | 1,6 V | 25 mA | 5300 Vrm | 7% a 16 mA | - | 300ns, 300ns | - | |||||||||||||||
| SFH610A-1X001 | 0,3644 | | 5947 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH610 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
| SFH6750-X007T | 3.2300 | | 404 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | SFH6750 | DC | 2 | Aprire lo scarico | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 10 MBd | 23ns, 7ns | 1,4 V | 15 mA | 5300 Vrm | 2/0 | 100 V/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| TCET1104G | 0,1727 | | 6485 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TCET1104 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 6μs, 5μs | 300mV | |||||||||||||||
 | VO4154D | - | | 9990 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | VO415 | cUR, UR | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 400 V | 300mA | 500μA | SÌ | 5 kV/μs | 1,6 mA | - | ||||||||||||||||
| 6N139-X019T | 0,7237 | | 1475 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N139 | DC | 1 | Darlington con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 18 V | 1,4 V | 25 mA | 5300 Vrm | 500% a 1,6 mA | - | 600ns, 1,5μs | - | ||||||||||||||||
 | ILQ32 | 3.5900 | | 675 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | ILQ32 | DC | 4 | Darlington | 16-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 125 mA | - | 30 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 500% a 10 mA | - | 15μs, 30μs | 1 V | ||||||||||||||||
 | IL1 | - | | 8985 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | IL1 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 1,9 µs, 1,4 µs | 50 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | 300% a 10 mA | 700ns, 1,4μs | 250 mV (sugger.) | |||||||||||||||
| IL4117 | - | | 3923 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | IL4117 | BSI, CSA, cUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,3 V | 60 mA | 5300 Vrm | 700 V | 300mA | 200μA | SÌ | 10 kV/μs | 1,3 mA | 35 µs | ||||||||||||||||
| 6N136-X009 | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N136 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8mA | - | 15 V | 1,33 V | 25 mA | 5300 Vrm | 19% a 16 mA | - | 200ns, 200ns | - | ||||||||||||||||
| SFH6345-X017T | 2.2100 | | 896 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | SFH6345 | DC | 1 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8mA | - | 25 V | 1,33 V | 25 mA | 5300 Vrm | 19% a 16 mA | - | 300ns, 300ns | 400mV | |||||||||||||||
| H11A2 | - | | 3441 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | - | 70 V | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 3μs, 3μs | 400mV |
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