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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
H11A4FR2M onsemi H11A4FR2M -
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ECAD 8711 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A4FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
74OL6011SD onsemi 74OL6011SD -
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ECAD 5806 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 74OL601 Logica 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V~15 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 50ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 180ns, 120ns
74OL60003SD onsemi 74OL60003SD -
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ECAD 1711 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 74OL600 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 45ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 100ns, 100ns
74OL6000W onsemi 74OL6000W -
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ECAD 9433 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 74OL600 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 45ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 100ns, 100ns
CNY173TM onsemi CNY173TM -
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ECAD 7028 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY173 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY173TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MOC3162VM onsemi MOC3162VM -
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ECAD 5976 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC316 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato MOC3162VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,3 V 60 mA 4170Vrm 600 V 500μA (suggerimento) 1kV/μs 10mA -
MOC3021TVM onsemi MOC3021TVM 0,9300
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ECAD 789 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC302 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato MOC3021TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 15 mA -
FODM3012 onsemi FODM3012 -
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ECAD 4161 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 250 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 5mA -
MOC211R2VM onsemi MOC211R2VM 0,2439
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ECAD 6237 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC211 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
74OL6001W onsemi 74OL6001W -
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ECAD 1208 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 74OL600 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 45ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 100ns, 100ns
MCT5211S onsemi MCT5211S -
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ECAD 9634 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT5 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT5211S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,25 V 50 mA 5300 Vrm 150% a 1,6 mA - 14μs, 2,5μs 400mV
4N28TVM onsemi 4N28TVM 0,3256
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ECAD 3063 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N28 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
H11AA3300 onsemi H11AA3300 -
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ECAD 9132 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA3300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - - 400mV
4N36 onsemi 4N36 -
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ECAD 2155 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N36 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
H11AA33SD onsemi H11AA33SD -
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ECAD 3576 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA33SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - - 400mV
4N39300 onsemi 4N39300 -
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ECAD 3741 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N39 UR, VDE 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N39300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,1 V 60 mA 5300 Vrm 200 V 300 mA 1mA NO 500 V/μs 30mA 50 µs (massimo)
FOD8523SD onsemi FOD8523SD 1.3800
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ECAD 5 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD852 DC 1 Darlington 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 100 µs, 20 µs 300 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 1000% a 1 mA 15000% a 1 mA - 1,2 V
4N27SM onsemi 4N27SM 0,6700
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ECAD 5500 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N27 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N27SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
4N27300W onsemi 4N27300W -
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ECAD 2010 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N27 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N27300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
FOD4118 onsemi FOD4118 5.7700
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ECAD 9771 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD411 CSA, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500 µA 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
MOC119S onsemi MOC119S -
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ECAD 8631 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC119 DC 1 Darlington 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC119S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 300% a 10 mA - 3,5 µs, 95 µs 1 V
H11AG2S onsemi H11AG2S -
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ECAD 9396 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AG2S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 50% a 1 mA - 5μs, 5μs 400mV
FODM121BR1V onsemi FODM121BR1V -
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ECAD 8603 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 400mV
H11L1FVM onsemi H11L1FVM -
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ECAD 4527 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11L DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11L1FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
FOD050LR2 onsemi FOD050LR2 3.0400
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ECAD 2903 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD050 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 8mA - 7V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 15% a 16 mA 50% a 16 mA 1μs, 1μs (massimo) -
HCPL0601V onsemi HCPL0601V 3.4600
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ECAD 3 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL0601 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,75 V (massimo) 50mA 3750 Vrm 1/0 10 kV/μs 75ns, 75ns
H11F2W onsemi H11F2W -
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ECAD 2713 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11F DC 1 MOSFET 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11F2W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,3 V 60 mA 5300 Vrm - - 25 µs, 25 µs (massimo) -
FOD2712 onsemi FOD2712 -
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ECAD 9044 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD271 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
FODM121E onsemi FODM121E -
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ECAD 8069 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
MOC3041SVM onsemi MOC3041SVM 1.8500
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ECAD 950 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 60 mA 4170Vrm 400 V 400μA (suggerimento) 1kV/μs 15 mA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock