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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
H11A617D3SD onsemi H11A617D3SD -
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ECAD 5210 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,35 V 50 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA - 400mV
4N37SR2VM onsemi 4N37SR2VM 0,7100
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N37 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
FOD617A3SD onsemi FOD617A3SD -
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ECAD 5255 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD617 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA - 400mV
MOC3010FR2M onsemi MOC3010FR2M -
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ECAD 7459 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC301 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3010FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 250 V 100μA (suggerimento) NO - 15 mA -
H11D4SD onsemi H11D4SD -
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ECAD 9613 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11D DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11D4SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 200 V 1,15 V 80 mA 5300 Vrm 10% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
H11L3TVM onsemi H11L3TVM 1.1100
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ECAD 8332 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11L3 DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
MOC3023SM onsemi MOC3023SM 0,7700
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ECAD 7094 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC302 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 5mA -
SL5500300 onsemi SL5500300 -
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ECAD 2216 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) SL55 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato SL5500300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,23 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 300% a 10 mA 20 µs, 50 µs (massimo) 400mV
FOD270LSD onsemi FOD270LSD -
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ECAD 6283 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD270 DC 1 Darlington con base 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 7V 1,35 V 20 mA 5000 Vrm 400% a 500μA 7000% a 500μA 3μs, 50μs -
H11AG2S onsemi H11AG2S -
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ECAD 9396 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AG2S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 50% a 1 mA - 5μs, 5μs 400mV
FOD2742CR2 onsemi FOD2742CR2 -
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ECAD 7319 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -25°C~85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD274 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA - 70 V 1,2 V 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
MOC3011SR2M onsemi MOC3011SR2M 0,9400
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ECAD 5 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC301 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 250 V 100μA (suggerimento) NO - 10mA -
FODM8801CR2V onsemi FODM8801CR2V 2.1300
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ECAD 3730 0.00000000 onsemi OptoHit™ Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM8801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 30mA 5μs, 5,5μs 75 V 1,35 V 20 mA 3750 Vrm 200% a 1 mA 400% a 1 mA 6μs, 6μs 400mV
MOC3041SM onsemi MOC3041SM 1.0900
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ECAD 3 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC304 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3041SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,25 V 60 mA 4170Vrm 400 V 400μA (suggerimento) 1kV/μs 15 mA -
HCPL4502S onsemi HCPL4502S -
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ECAD 4144 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL45 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
MOC8104300W onsemi MOC8104300W -
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ECAD 6938 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8104300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 256% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
74OL6000SD onsemi 74OL6000SD -
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ECAD 3429 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 74OL600 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 45ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 100ns, 100ns
SL5501W onsemi SL5501W -
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ECAD 8612 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) SL5501 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato SL5501W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,23 V 100 mA 5300 Vrm 25% a 10 mA 400% a 10 mA 20 µs, 50 µs (massimo) 400mV
FOD2200V onsemi FOD2200V -
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ECAD 7984 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD2200 DC 1 Tri-Stato 4,5 V~20 V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 25 mA 2,5 MBd 80ns, 25ns 1,4 V 10mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs 300ns, 300ns
CNW139 onsemi CNW139 -
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ECAD 9123 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) CNW13 DC 1 Darlington con base 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 40 60mA - 18 V - 100 mA 1000 Vrm 500% a 1,6 mA - - -
4N33300W onsemi 4N33300W -
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ECAD 5772 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N33 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N33300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 5300 Vrm 500% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1 V
H11AG3S onsemi H11AG3S -
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ECAD 1052 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AG3S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 20% a 1 mA - 5μs, 5μs 400mV
MCT2202SD onsemi MCT2202SD -
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ECAD 5180 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2202SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 2μs 400mV
H11N1SR2VM onsemi H11N1SR2VM 7.2700
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ECAD 882 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N1 DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
6N135S onsemi 6N135S -
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ECAD 3353 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N135 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 6N135S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 8mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
H11A4VM onsemi H11A4VM -
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ECAD 5543 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A4VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
CNY171SD onsemi CNY171SD -
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ECAD 7789 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY171 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY171SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
4N353SD onsemi 4N353SD -
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ECAD 4378 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N35 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N353SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
FODM3021V onsemi FODM3021V -
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ECAD 7506 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 15 mA -
HMA2701R1 onsemi HMA2701R1 -
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ECAD 1577 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA270 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock