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Isolatori(3348)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | H11N1SM | 7.0200 |  | 8965 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11N1 | DC | 1 | Collettore aperto | 4 V~15 V | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 5 MHz | 7,5 n, 12 n | 1,4 V | 30mA | 4170Vrm | 1/0 | - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||
 | MOC5008VM | - | | 6864 | 0.00000000 | onsemi | GlobalOptoisolator™ | Tubo | Obsoleto | - | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MOC500 | DC | 1 | Collettore aperto | - | 6-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 1 megahertz | - | - | 4mA | 7500Vpk | 1/0 | - | - | ||||||||||||||
| CNX36US | - | | 2731 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNX36 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CNX36US-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 30 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 80% a 10 mA | 200% a 10 mA | 20μs, 20μs | 400mV | ||||||||||||||
| MOC8204SD | - | | 4492 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC820 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 2mA | - | 400 V | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 5μs, 5μs | 400mV | |||||||||||||||
| MOC3063SVM | 1.3200 | | 986 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC306 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC3063SVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 600 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 5mA | - | ||||||||||||||
| H11F2SD | - | | 8892 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11F | DC | 1 | MOSFET | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11F2SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,3 V | 60 mA | 5300 Vrm | - | - | 25 µs, 25 µs (massimo) | - | ||||||||||||||
| H11N1 | - | | 8343 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | - | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11N | DC | 1 | Collettore aperto | - | 6-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 5 MHz | - | 1,4 V | 3,2 mA | 7500 Vrm | 1/0 | - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||
 | 6N136SM | 1.7800 | | 2581 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N136 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 250ns, 260ns | - | ||||||||||||||
 | MOC3022TM | - | | 1113 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC302 | UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC3022TM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,15 V | 60 mA | 4170Vrm | 400 V | 100μA (suggerimento) | NO | - | 10mA | - | |||||||||||||||
| H11AG3W | - | | 8277 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11AG3W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,5 V (massimo) | 50 mA | 5300 Vrm | 20% a 1 mA | - | 5μs, 5μs | 400mV | ||||||||||||||
 | MOC212M | 0,7300 | | 8165 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOC212 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,15 V | 60 mA | 2500 Vrm | 50% a 10 mA | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||
| H11AV2FR2VM | - | | 5744 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11AV2FR2VM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 70 V | 1,18 V | 60 mA | 7500Vpk | 50% a 10 mA | - | 15μs, 15μs | 400mV | ||||||||||||||
 | CNW82SD | - | | 5350 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNW82 | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 50 V | - | 100 mA | 5900 Vrm | 0,4% a 10 mA | - | - | 400mV | ||||||||||||||
| H11AV1AM | 0,9300 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11AV | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 70 V | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 100% a 10 mA | 300% a 10 mA | 15μs, 15μs (massimo) | 400mV | ||||||||||||||
 | FODM452R1V | - | | 1058 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | FODM45 | DC | 1 | Transistor | 5-Mini-Appartamento | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 8mA | - | 20 V | 1,6 V | 25 mA | 3750 Vrm | 20% a 16 mA | 50% a 16 mA | 400ns, 350ns | - | |||||||||||||||
| H11AV2FM | - | | 2222 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11AV2FM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 70 V | 1,18 V | 60 mA | 7500Vpk | 50% a 10 mA | - | 15μs, 15μs | 400mV | ||||||||||||||
| 74OL60003SD | - | | 1711 | 0.00000000 | onsemi | OPTOLOGICO™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 74OL600 | Logica | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 40 mA | 15 MBd | 45ns, 5ns | - | - | 5300 Vrm | 1/0 | 5 kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| MOC206R2M | 0,7500 | | 3686 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOC206 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,15 V | 60 mA | 2500 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||
| MOC8100TVM | - | | 6257 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC8100TVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 2μs, 2μs | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 7500Vpk | 30% a 1 mA | - | 20μs, 20μs (massimo) | 500mV | ||||||||||||||
| MOC3062SR2VM | 1.2200 | | 945 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC306 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 600 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 10mA | - | |||||||||||||||
 | H11A817D3SD | - | | 5748 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | H11A | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11A817D3SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2,4 µs, 2,4 µs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 300% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||
| MOC3162FR2VM | - | | 9048 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC316 | - | 1 | Triac | 6-SMD | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC3162FR2VM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 60 mA | 7500Vpk | 600 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | - | 10mA | - | |||||||||||||||
 | 6N139 | - | | 7355 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 6N139 | DC | 1 | Darlington con base | 8-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 18 V | 1,3 V | 20 mA | 2500 Vrm | 500% a 1,6 mA | - | 1,5 µs, 7 µs | - | |||||||||||||||
| MOC5007SR2VM | - | | 8696 | 0.00000000 | onsemi | GlobalOptoisolator™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC500 | DC | 1 | Collettore aperto | - | 6-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 1 megahertz | - | - | 1,6 mA | 7500Vpk | 1/0 | - | - | ||||||||||||||
| HMA121ER4V | - | | 7325 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 400mV | |||||||||||||||
| SL5500300 | - | | 2216 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | SL55 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | SL5500300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 30 V | 1,23 V | 100 mA | 5300 Vrm | 40% a 10 mA | 300% a 10 mA | 20 µs, 50 µs (massimo) | 400mV | ||||||||||||||
| MCT5211300W | - | | 8877 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MCT5 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MCT5211300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | - | 30 V | 1,25 V | 50 mA | 5300 Vrm | 150% a 1,6 mA | - | 14μs, 2,5μs | 400mV | ||||||||||||||
| MCT2S | - | | 1488 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MCT2 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MCT2S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,25 V | 100 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 400mV | ||||||||||||||
| H11D4SD | - | | 9613 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11D | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11D4SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 200 V | 1,15 V | 80 mA | 5300 Vrm | 10% a 10 mA | - | 5μs, 5μs | 400mV | ||||||||||||||
| MOC8100FM | - | | 2130 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC810 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC8100FM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 2μs, 2μs | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 7500Vpk | 30% a 1 mA | - | 20μs, 20μs (massimo) | 500mV |
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