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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
CNW139 onsemi CNW139 -
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 ECAD 9123 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) CNW13 DC 1 Darlington con base 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 40 60mA - 18 V - 100 mA 1000 Vrm 500% a 1,6 mA - - -
MCT2202SD onsemi MCT2202SD -
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 ECAD 5180 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2202SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 2μs 400mV
FODM1007R2 onsemi FODM1007R2 0,7800
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 ECAD 8 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM1007 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 5,7 µs, 8,5 µs 70 V 1,4 V 50 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 300mV
4N32SR2M onsemi 4N32SR2M 0,8800
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N32 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 500% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1 V
H11A1W onsemi H11A1W -
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 ECAD 1196 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A1W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
H11AG3W onsemi H11AG3W -
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 ECAD 8277 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AG3W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 20% a 1 mA - 5μs, 5μs 400mV
MCT2EM onsemi MCT2EM 0,6200
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MCT2 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 1,5μs 30 V 1,25 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
MOC3022SM onsemi MOC3022SM 0,9800
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC302 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 10mA -
HMHA2801R3 onsemi HMHA2801R3 -
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 ECAD 1641 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 600% a 5 mA - 300mV
MOC8104300W onsemi MOC8104300W -
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 ECAD 6938 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8104300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 256% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
HCPL2630SV onsemi HCPL2630SV 2.7900
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 ECAD 494 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2630 DC 2 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 30mA 2500 Vrm 2/0 10 kV/μs (tip.) 75ns, 75ns
H11N1300 onsemi H11N1300 -
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 ECAD 5334 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11N DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz - 1,4 V 3,2 mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
MCT5211300 onsemi MCT5211300 -
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 ECAD 5326 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MCT5 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT5211300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,25 V 50 mA 5300 Vrm 150% a 1,6 mA - 14μs, 2,5μs 400mV
MOC8030 onsemi MOC8030 -
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 ECAD 9331 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC803 DC 1 Darlington 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 80 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 300% a 10 mA - 3,5 µs, 95 µs -
H11AG3S onsemi H11AG3S -
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 ECAD 1052 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AG3S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 20% a 1 mA - 5μs, 5μs 400mV
H11N1SR2VM onsemi H11N1SR2VM 7.2700
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 ECAD 882 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N1 DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
FODM8801CR2V onsemi FODM8801CR2V 2.1300
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 ECAD 3730 0.00000000 onsemi OptoHit™ Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM8801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 30mA 5μs, 5,5μs 75 V 1,35 V 20 mA 3750 Vrm 200% a 1 mA 400% a 1 mA 6μs, 6μs 400mV
MOC3082FM onsemi MOC3082FM -
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 ECAD 3807 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC308 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3082FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 800 V 500μA (suggerimento) SÌ - 10mA -
H11A617D3S onsemi H11A617D3S -
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 ECAD 5340 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,35 V 50 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA - 400mV
MOC3010SVM onsemi MOC3010SVM -
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 ECAD 5418 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3010SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 250 V 100μA (suggerimento) NO - 15 mA -
CNW136 onsemi CNW136 -
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 ECAD 8255 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) CNW13 DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 40 10mA - 20 V - 100 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA - - -
MCT2713S onsemi MCT2713S -
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 ECAD 2888 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2713S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 45% a 10 mA 90% a 10 mA 1μs, 48μs 400mV
MOC81083S onsemi MOC81083S -
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 ECAD 9947 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC81083S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 250% a 10 mA 600% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
HMA121AR2 onsemi HMA121AR2 -
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 ECAD 1691 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 400mV
MCT2202S onsemi MCT2202S -
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 ECAD 2197 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2202S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 2μs 400mV
MOC3051FR2VM onsemi MOC3051FR2VM -
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 ECAD 4113 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC305 UR, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3051FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 7500Vpk 600 V 280 µA (sugger.) NO 1kV/μs 15 mA -
FOD0738 onsemi FOD0738 -
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 ECAD 5710 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD073 DC 2 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 2 mA 15 MBd 12ns, 8ns 1,45 V 20 mA 2500 Vrm 2/0 25 kV/μs 60ns, 60ns
H11L3SM onsemi H11L3SM 1.2300
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 ECAD 612 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11L3 DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
MOCD213R2M onsemi MOCD213R2M 1.1300
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 ECAD 50 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD213 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 1,6 µs, 2,2 µs 70 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA - 3μs, 2,8μs 400mV
MOC5007TM onsemi MOC5007TM -
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 ECAD 4642 0.00000000 onsemi GlobalOptoisolator™ Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC500 DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz - - 1,6 mA 7500Vpk 1/0 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

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    Produttori mondiali

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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