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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
H11N1300 onsemi H11N1300 -
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 ECAD 5334 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11N DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz - 1,4 V 3,2 mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
H11N1SR2VM onsemi H11N1SR2VM 7.2700
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 ECAD 882 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N1 DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
HMA121V onsemi HMA121V -
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 ECAD 3469 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
H11C33S onsemi H11C33S -
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 ECAD 2919 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11C UR, VDE 1 SCR 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11C33S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 200 V 300mA - NO 500 V/μs 30mA -
FOD2741BV onsemi FOD2741BV 1.9000
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 ECAD 993 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD2741 DC 1 Transistor 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
MOC8113S onsemi MOC8113S -
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 ECAD 8038 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC811 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8113S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 3μs, 14μs 70 V 1,15 V 90 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 4,2 µs, 23 µs 400mV
H11AV2M onsemi H11AV2M -
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 ECAD 1790 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AV2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 70 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 50% a 10 mA - 15μs, 15μs 400mV
CNX36US onsemi CNX36US -
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 ECAD 2731 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNX36 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX36US-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 80% a 10 mA 200% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
4N25SR2M onsemi 4N25SR2M 0,7400
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 ECAD 4 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N25 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
CNY17F43S onsemi CNY17F43S -
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 ECAD 6673 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY17F43S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
74OL6000W onsemi 74OL6000W -
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 ECAD 9433 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 74OL600 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 45ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 100ns, 100ns
H11AA814AW onsemi H11AA814AW -
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 ECAD 8127 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A CA, CC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA814AW-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 50% a 1 mA 150% a 1 mA - 200mV
CNY172SR2VM onsemi CNY172SR2VM 0,8200
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY172 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
74OL6001SD onsemi 74OL6001SD -
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 ECAD 5947 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 74OL600 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 45ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 100ns, 100ns
MOC3010SVM onsemi MOC3010SVM -
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 ECAD 5418 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3010SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 250 V 100μA (suggerimento) NO - 15 mA -
CNX36U300W onsemi CNX36U300W -
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 ECAD 1102 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNX36 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX36U300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 80% a 10 mA 200% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
CNY172VM onsemi CNY172VM 0,8600
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 ECAD 114 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY172 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato CNY172VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
HCPL2531SDV onsemi HCPL2531SDV -
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 ECAD 5697 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2531 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
FODM121A onsemi FODM121A 0,7300
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 ECAD 2602 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 400mV
MCT271300 onsemi MCT271300 -
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 ECAD 9647 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MCT2 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT271300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 45% a 10 mA 90% a 10 mA 1μs, 48μs 400mV
FODM121BR1 onsemi FODM121BR1 -
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 ECAD 5192 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 400mV
CNY172SD onsemi CNY172SD -
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 ECAD 2757 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY172 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY172SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
H11C13SD onsemi H11C13SD -
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 ECAD 9081 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11C UR, VDE 1 SCR 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11C13SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 200 V 300mA - NO 500 V/μs 20 mA -
MCT26 onsemi MCT26 -
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 ECAD 7296 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MCT26 DC 1 Transistor con base 6-DIP - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA - 30 V - 5300 Vrm 6% a 10 mA - - 400mV
6N139 onsemi 6N139 -
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 ECAD 7355 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) 6N139 DC 1 Darlington con base 8-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 18 V 1,3 V 20 mA 2500 Vrm 500% a 1,6 mA - 1,5 µs, 7 µs -
H11A2S onsemi H11A2S -
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 ECAD 1717 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
FODM3023 onsemi FODM3023 -
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 ECAD 8956 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 5mA -
H11A2SD onsemi H11A2SD -
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 ECAD 2441 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A2SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
FODM121R2V onsemi FODM121R2V 0,7700
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
FOD817DS onsemi FOD817DS 0,4800
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 ECAD 1829 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-FOD817DS-OS EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 300% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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