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Isolatori(3348)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOC3061SVM | 1.4600 |  | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC306 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 600 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 15 mA | - | |||||||||||||||||||||
 | H11C2S | - | | 8160 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11C | UR | 1 | SCR | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11C2S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 200 V | 300mA | - | NO | 500 V/μs | 20 mA | - | ||||||||||||||||||||
 | MOCD207D2M | 1.6300 | | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOCD207 | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| CNY17F3SR2M_F132 | - | | 5800 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3,5μs (massimo) | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 4170Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||
| H11N3SR2VM | - | | 4846 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11N | DC | 1 | Collettore aperto | 4 V~15 V | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 5 MHz | 7,5 n, 12 n | 1,4 V | 30mA | 4170Vrm | 1/0 | - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||||||||
 | CNY174W | - | | 1430 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | CNY174 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CNY174W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 100 mA | 5300 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 2μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | FOD8143S | 0,6100 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FOD814 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 20% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||||||
 | FODM8801AR2V | 1.7800 | | 5402 | 0.00000000 | onsemi | OptoHit™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | FODM8801 | DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 30mA | 5μs, 5,5μs | 75 V | 1,35 V | 20 mA | 3750 Vrm | 80% a 1 mA | 160% a 1 mA | 6μs, 6μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| MCT2103S | - | | 3957 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MCT2 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MCT2103S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 11μs | 30 V | 1,33 V | 100 mA | 5300 Vrm | 150% a 10 mA | - | 1μs, 50μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | HMHA2801BR3V | - | | 5614 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | HMHA28 | DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||||||
| MOC212R2VM | - | | 3532 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOC212 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,15 V | 60 mA | 2500 Vrm | 50% a 10 mA | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | 6N138SM | 1.3800 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N138 | DC | 1 | Darlington con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60mA | - | 7V | 1,3 V | 20 mA | 5000 Vrm | 300% a 1,6 mA | - | 1μs, 7,3μs | - | ||||||||||||||||||||
 | HMAA2705AR1 | - | | 2929 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMAA27 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 40 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||||||
 | FOD4118SV | 1.9737 | | 7816 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | FOD4118 | CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,25 V | 30 mA | 5000 Vrm | 800 V | 500μA | SÌ | 10 kV/μs | 1,3 mA | 60 µs | |||||||||||||||||||||
| H11N1FVM | - | | 5413 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11N | DC | 1 | Collettore aperto | 4 V~15 V | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 5 MHz | 7,5 n, 12 n | 1,4 V | 30mA | 4170Vrm | 1/0 | - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||||||||
 | NCV57252DWR2G | 7.0900 | | 3 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | NCV57252 | Accoppiamento capacitivo | VDE | 2 | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 6,5 A, 6,5 A | 6,5 A | 12ns, 10ns | - | 5000 Vrm | 100 kV/μs | 80ns, 80ns | 10ns | 32V | |||||||||||||||||||||
| H11AA3SR2VM | - | | 6462 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11A | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,17 V | 60 mA | 7500Vpk | 50% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||||||||
| H11AA2TM | - | | 2043 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11A | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,17 V | 60 mA | 7500Vpk | 10% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||||||||
| HMA2701BR1V | - | | 1353 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 40 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||||||
 | MOC8020-M | - | | 6491 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | - | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MOC802 | DC | 1 | Darlington | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC8020-MQT | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150mA | - | 50 V | - | 60 mA | 5300 Vrm | 500% a 10 mA | - | - | 2V | ||||||||||||||||||||
| HMA2701BR4V | - | | 9716 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 mA | 3μs, 3μs | 40 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||||||
| MOCD223R1VM | - | | 2764 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOCD22 | DC | 2 | Darlington | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | 1μs, 2μs | 30 V | 1,25 V | 60 mA | 2500 Vrm | 500% a 1 mA | - | 3,5 µs, 95 µs | 1 V | |||||||||||||||||||||
 | FODM121AV | 0,2104 | | 8450 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM121 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||||||
| HMA121 | - | | 2224 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||||||
| FOD814SD | 0,8900 | | 39 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FOD814 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 20% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||||||
| H11A3FR2VM | - | | 6366 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 60 mA | 7500Vpk | 20% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 400mV | |||||||||||||||||||||
| FOD617D3SD | - | | 8343 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FOD617 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,35 V | 50 mA | 5000 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||||||
| FOD2711SDV | - | | 3528 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | FOD271 | DC | 1 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,5 V (massimo) | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||||||||
 | FOD8482TR2 | 2.5300 | | 193 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | FOD8482 | Accoppiamento ottico | VDE | 1 | 6-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 15ns, 10ns | 1,4 V | 20 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 300ns, 300ns | 250ns | 4,5 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||
 | HCPL2531V | 1.9300 | | 387 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL2531 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450 n., 300 n | - |
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