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Isolatori(3348)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HMA121FR4 | - |  | 3532 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | H11C4SD | - | | 6389 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11C | UR | 1 | SCR | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11C4SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 400 V | 300mA | - | NO | 500 V/μs | 20 mA | - | ||||||||||||||||||||
 | FOD2711ASV | 1.6800 | | 9179 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | FOD2711 | DC | 1 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2832-FOD2711ASV-488 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,5 V (massimo) | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | MCT5210VM | - | | 3437 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MCT5 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | - | 30 V | 1,25 V | 50 mA | 4170Vrm | 70% a 3 mA | - | 10 µs, 400 ns | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | CNY17F2SR2M_F132 | - | | 7323 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3,5μs (massimo) | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 4170Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | FOD8314T | 1.9200 | | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | FOD8314 | Accoppiamento ottico | UL | 1 | 6-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1A, 1A | 1,5 A | 60ns, 40ns | 1,5 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 300ns | 16 V~30 V | ||||||||||||||||||||
| H11A617CS | - | | 6129 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | H11A | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2,4 µs, 2,4 µs | 70 V | 1,35 V | 50 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||||||
| H11AA3VM | - | | 5507 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11A | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,17 V | 60 mA | 7500Vpk | 50% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||||||||
| MOC3063SR2M | 1.3200 | | 4 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC306 | UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 600 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 5mA | - | |||||||||||||||||||||
 | FODM217CV | 1.0800 | | 2 | 0.00000000 | onsemi | FODM217 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | FODM217 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | FODM217CVOS | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||
| HMA121V | - | | 3469 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | FODM3023-NF098 | 1.5700 | | 2534 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM30 | cUR, UR | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | 400 V | 70 mA | 300μA (suggerimento) | NO | 10 V/μs (punta) | 5mA | - | ||||||||||||||||||||
| H11N3300 | - | | 9013 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | - | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11N | DC | 1 | Collettore aperto | - | 6-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 5 MHz | - | 1,4 V | 10mA | 7500 Vrm | 1/0 | - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||||||
| H11L2SVM | 2.0400 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11L2 | DC | 1 | Collettore aperto | 3V~15V | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11L2SVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 1 megahertz | 100ns, 100ns | 1,2 V | 30mA | 4170Vrm | 1/0 | - | 4μs, 4μs | |||||||||||||||||||
 | H11A3W | - | | 9149 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11A3W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 100 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | FOD4208SD | 4.6100 | | 13 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | FOD4208 | cUL, FIMKO, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,28 V | 30 mA | 5000 Vrm | 800 V | 500μA | NO | 10 kV/μs | 2mA | 60 µs | |||||||||||||||||||||
 | MOC212VM | - | | 6056 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOC212 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,15 V | 60 mA | 2500 Vrm | 50% a 10 mA | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | FOD815W | - | | 4664 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -30°C~105°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | FOD815 | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 80 mA | 60 µs, 53 µs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600% a 1 mA | 7500% a 1 mA | - | 1 V | |||||||||||||||||||||
| H11N2SM | - | | 3092 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11N | DC | 1 | Collettore aperto | 4 V~15 V | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 5 MHz | 7,5 n, 12 n | 1,4 V | 30mA | 4170Vrm | 1/0 | - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||||||||
| HCPL2530SM | 2.8600 | | 5799 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL2530 | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450 n., 300 n | - | ||||||||||||||||||||
 | HCPL2731M | 2.1600 | | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL2731 | DC | 2 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 18 V | 1,3 V | 20 mA | 5000 Vrm | 500% a 1,6 mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||
| FODM2701BR2V | - | | 8604 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM27 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 mA | 3μs, 3μs | 40 V | 1,4 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||||||
| H11F1SM | 4.3200 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11F | DC | 1 | MOSFET | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-H11F1SM-488 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 30 V | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | - | - | 45μs, 45μs (massimo) | - | |||||||||||||||||||
| MOC3062FM | - | | 5287 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC306 | - | 1 | Triac | 6-SMD | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC3062FM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 60 mA | 7500Vpk | 600 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | - | 10mA | - | |||||||||||||||||||||
| MOC3082TM | - | | 8983 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC308 | UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC3082TM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 800 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 10mA | - | |||||||||||||||||||||
| FOD3150TSR2 | - | | 7811 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | FOD315 | Accoppiamento ottico | UL | 1 | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1A, 1A | 1,5 A | 60ns, 60ns | 1,5 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 300ns | 15 V~30 V | |||||||||||||||||||||
| H11AA3TM | - | | 8416 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11A | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,17 V | 60 mA | 7500Vpk | 50% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||||||||
| FOD8342AT | 1.0335 | | 1097 | 0.00000000 | onsemi | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HMA121FR1V | - | | 8936 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | FOD3120TV | 2.4100 | | 9716 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | FOD3120 | Accoppiamento ottico | CEI, UL | 1 | 8-MDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 3A | 60ns, 60ns | 1,5 V | 25 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 400ns, 400ns | 100ns | 15 V~30 V |
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