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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
MOC212VM onsemi MOC212VM -
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ECAD 6056 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC212 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 50% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
FOD815W onsemi FOD815W -
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ECAD 4664 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -30°C~105°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD815 DC 1 Darlington 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
H11N2SM onsemi H11N2SM -
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ECAD 3092 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
HCPL2530SM onsemi HCPL2530SM 2.8600
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ECAD 5799 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2530 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
HCPL2731M onsemi HCPL2731M 2.1600
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL2731 DC 2 Darlington 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 18 V 1,3 V 20 mA 5000 Vrm 500% a 1,6 mA - - -
FOD3150TSR2 onsemi FOD3150TSR2 -
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ECAD 7811 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD315 Accoppiamento ottico UL 1 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1A, 1A 1,5 A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 500ns, 500ns 300ns 15 V~30 V
FOD8342AT onsemi FOD8342AT 1.0335
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ECAD 1097 0.00000000 onsemi * Nastro e bobina (TR) Attivo - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000
HMA121FR1V onsemi HMA121FR1V -
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ECAD 8936 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
FOD3120TV onsemi FOD3120TV 2.4100
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ECAD 9716 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD3120 Accoppiamento ottico CEI, UL 1 8-MDIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 2A, 2A 3A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 400ns, 400ns 100ns 15 V~30 V
FOD8163V onsemi FOD8163V 3.0400
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ECAD 8440 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) FOD8163 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 3 V ~ 5,5 V 6-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50 mA 10Mbps 20ns, 10ns 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 90ns, 80ns
HCPL2503SDV onsemi HCPL2503SDV -
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ECAD 3376 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL25 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 12% a 16 mA - 450 n., 300 n -
CNY17F4TM onsemi CNY17F4TM -
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ECAD 8597 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
FOD0708 onsemi FOD0708 -
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ECAD 6038 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD070 DC 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 2 mA 15 MBd 12ns, 8ns 1,45 V 20 mA 2500 Vrm 1/0 25 kV/μs 60ns, 60ns
HMHA2801R2V onsemi HMHA2801R2V 0,7800
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ECAD 4 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA2801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 600% a 5 mA - 300mV
FOD4208SV onsemi FOD4208SV 4.4500
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4208 cUL, FIMKO, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,28 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA NO 10 kV/μs 2mA 60 µs
FOD817BW onsemi FOD817BW -
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ECAD 9666 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD817 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 200mV
MOC3053SR2M onsemi MOC3053SR2M 0,5657
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ECAD 3940 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC305 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 2832-MOC3053SR2M-488 EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 4170Vrm 600 V 540 µA (sugger.) NO 1kV/μs 6mA -
FOD817C300 onsemi FOD817C300 0,5400
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ECAD 1504 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD817 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
FODM3083 onsemi FODM3083 3.4100
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ECAD 6 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 cUL, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 1,5 V (massimo) 60 mA 3750 Vrm 800 V 70 mA 300μA (suggerimento) 600 V/μs 5mA -
FOD815300 onsemi FOD815300 -
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ECAD 6473 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -30°C~105°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD815 DC 1 Darlington 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
6N137SDM onsemi 6N137SDM 2.0300
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ECAD 20 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N137 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 30ns, 10ns 1,45 V 50mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs (tip.) 75ns, 75ns
MOC81023SDL onsemi MOC81023SDL -
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ECAD 7098 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 73% a 10 mA 117% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
FOD3150SD onsemi FOD3150SD 2.3900
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD3150 Accoppiamento ottico UL 1 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1A, 1A 1,5 A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 500ns, 500ns 300ns 15 V~30 V
CNY17F1VM onsemi CNY17F1VM 0,2372
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ECAD 8328 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY17F1 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
FOD8384 onsemi FOD8384 6.3100
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ECAD 3588 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,346", larghezza 8,80 mm), 5 conduttori FOD838 Accoppiamento ottico UL 1 5-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1990-FOD8384 EAR99 8541.49.8000 2.000 2,5 A, 2,5 A 3A 35ns, 25ns 1,43 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 210ns, 210ns 65ns 15 V~30 V
H11AA1VM onsemi H11AA1VM 0,9400
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ECAD 990 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11AA CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,17 V 60 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - - 400mV
FOD8384V onsemi FOD8384V 6.3100
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ECAD 8995 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,346", larghezza 8,80 mm), 5 conduttori FOD8384 Accoppiamento ottico IEC/EN/DIN, UL 1 5-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 2,5 A, 2,5 A 3A 35ns, 25ns 1,43 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 210ns, 210ns 65ns 15 V~30 V
HMA121DR1V onsemi HMA121DR1V -
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ECAD 6009 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 100% a 5 mA - 400mV
FOD817C3S onsemi FOD817C3S 0,5000
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-FOD817C3S EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
MOCD211VM onsemi MOCD211VM -
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ECAD 5813 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD21 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock