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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
FODM3023R1V onsemi FODM3023R1V -
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 ECAD 7756 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 5mA -
HMA2701A onsemi HMA2701A -
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 ECAD 2151 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA270 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 150% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
MOCD208VM onsemi MOCD208VM -
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 ECAD 7089 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD20 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 70 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 40% a 10 mA 125% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
CNX39U3SD onsemi CNX39U3SD -
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 ECAD 5846 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNX39 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX39U3SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 60% a 10 mA 100% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
FOD8342TV onsemi FOD8342TV 1.0404
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 ECAD 8250 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) FOD8342 Accoppiamento ottico UL 1 6-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 2,5 A, 2,5 A 3A 38ns, 24ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 210ns, 210ns 65ns 10 V~30 V
HMHA2801AR4V onsemi HMHA2801AR4V -
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 ECAD 7017 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 300mV
74OL60003SD onsemi 74OL60003SD -
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 ECAD 1711 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 74OL600 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 45ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 100ns, 100ns
FODM3052R2V_NF098 onsemi FODM3052R2V_NF098 -
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 ECAD 4733 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 cUR, UR, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 10mA -
H11L3SD onsemi H11L3SD -
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 ECAD 1076 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11L DC 1 Collettore aperto - 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz - - 5mA 5300 Vrm 1/0 - -
6N135VM onsemi 6N135VM 0,7435
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 ECAD 2194 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) 6N135 DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 230ns, 450ns -
H11L3TVM onsemi H11L3TVM 1.1100
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 ECAD 8332 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11L3 DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
FOD817CS onsemi FOD817CS 0,5300
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 ECAD 3 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
H11AA814AW onsemi H11AA814AW -
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 ECAD 8127 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A CA, CC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA814AW-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 50% a 1 mA 150% a 1 mA - 200mV
HCPL2531SDV onsemi HCPL2531SDV -
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 ECAD 5697 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2531 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
FOD410TV onsemi FOD410TV 1.8543
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 ECAD 4259 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD410 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 600 V 500μA SÌ 10 kV/μs 2mA 60 µs
HMHAA280R1 onsemi HMHAA280R1 -
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 ECAD 1156 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHAA28 CA, CC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,4 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
HMA121V onsemi HMA121V -
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 ECAD 3469 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
FOD817B3S onsemi FOD817B3S 0,4700
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 ECAD 9644 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 200mV
MOC8105 onsemi MOC8105 -
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 ECAD 8116 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8105-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 65% a 10 mA 133% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
H11C3 onsemi H11C3 -
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 ECAD 7708 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11C UR 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 200 V 300mA - NO 500 V/μs 30mA -
MOC3062SR2VM onsemi MOC3062SR2VM 1.2200
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 ECAD 945 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC306 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,3 V 60 mA 4170Vrm 600 V 500μA (suggerimento) SÌ 600 V/μs 10mA -
H11AA1VM onsemi H11AA1VM 0,9400
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 ECAD 990 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11AA CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,17 V 60 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - - 400mV
MCT62SD onsemi MCT62SD 1.3100
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 ECAD 12 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano MCT62 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 30mA - 30 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA - 2,4 µs, 2,4 µs 400mV
MOC8102S onsemi MOC8102S -
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 ECAD 4608 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8102S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 73% a 10 mA 117% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
H11A3300 onsemi H11A3300 -
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 ECAD 3936 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A3300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
MOCD208R2VM onsemi MOCD208R2VM -
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 ECAD 1725 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD20 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 70 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 40% a 10 mA 125% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
FOD817D300 onsemi FOD817D300 0,6000
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD817 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 300% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
MOC3162SR2VM onsemi MOC3162SR2VM -
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 ECAD 8288 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC316 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3162SR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,3 V 60 mA 4170Vrm 600 V 500μA (suggerimento) SÌ 1kV/μs 10mA -
HMAA2705V onsemi HMAA2705V -
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 ECAD 3776 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMAA27 CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
6N137SDM onsemi 6N137SDM 2.0300
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 ECAD 20 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N137 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 30ns, 10ns 1,45 V 50mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs (tip.) 75ns, 75ns
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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