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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
MOC3061SVM onsemi MOC3061SVM 1.4600
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC306 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,3 V 60 mA 4170Vrm 600 V 500μA (suggerimento) SÌ 600 V/μs 15 mA -
MOCD207D2M onsemi MOCD207D2M 1.6300
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD207 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 70 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
H11D2SR2VM onsemi H11D2SR2VM -
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 ECAD 6551 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11D DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 300 V 1,15 V 80 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
HMA121CR4V onsemi HMA121CR4V -
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 ECAD 2679 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 400mV
H11A617CS onsemi H11A617CS -
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 ECAD 6129 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,35 V 50 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
FOD2711ASV onsemi FOD2711ASV 1.6800
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 ECAD 9179 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD2711 DC 1 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 2832-FOD2711ASV-488 EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
HMA121FR4 onsemi HMA121FR4 -
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 ECAD 3532 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
FOD817ASD_F117 onsemi FOD817ASD_F117 -
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 ECAD 8621 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto - - - FOD817 - - - - Non applicabile REACH Inalterato OBSOLETO 0000.00.0000 1 - - - - - - - - -
H11N3300 onsemi H11N3300 -
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 ECAD 9013 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11N DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz - 1,4 V 10mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
MOC211R2VM onsemi MOC211R2VM 0,2439
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 ECAD 6237 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC211 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
H11AA3VM onsemi H11AA3VM -
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 ECAD 5507 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,17 V 60 mA 7500Vpk 50% a 10 mA - - 400mV
MOC223VM onsemi MOC223VM -
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 ECAD 9844 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC223 DC 1 Darlington con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 8μs, 110μs 30 V 1,08 V 60 mA 2500 Vrm 500% a 1 mA - 10μs, 125μs 1 V
H11A2SVM onsemi H11A2SVM -
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 ECAD 8641 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
FODM214 onsemi FODM214 0,7400
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 ECAD 674 0.00000000 onsemi FODM214 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM214 CA, CC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 20% a 1 mA 400% a 1 mA 3μs, 3μs 400mV
HMHA2801R1V onsemi HMHA2801R1V -
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 ECAD 5920 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 600% a 5 mA - 300mV
MCT5201W onsemi MCT5201W -
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 ECAD 8990 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MCT5 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT5201W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 2,5 µs, 16 µs 30 V 1,25 V 50 mA 5300 Vrm 120% a 5 mA - 3μs, 12μs 400mV
FOD3184V onsemi FOD3184V 3.3000
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD3184 Accoppiamento ottico IEC/EN/DIN, UL 1 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2,5 A, 2,5 A 3A 38ns, 24ns 1,43 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 210ns, 210ns 65ns 15 V~30 V
FODM1007R2 onsemi FODM1007R2 0,7800
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 ECAD 8 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM1007 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 5,7 µs, 8,5 µs 70 V 1,4 V 50 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 300mV
H11A617D3S onsemi H11A617D3S -
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 ECAD 5340 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,35 V 50 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA - 400mV
HCPL2630SV onsemi HCPL2630SV 2.7900
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 ECAD 494 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2630 DC 2 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 30mA 2500 Vrm 2/0 10 kV/μs (tip.) 75ns, 75ns
MOC8204SM onsemi MOC8204SM 1.5600
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 ECAD 7640 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC8204 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 400 V 1,15 V 80 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
HCPL0701R1 onsemi HCPL0701R1 -
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 ECAD 2741 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL07 DC 1 Darlington con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 18 V 1,25 V 20 mA 2500 Vrm 500% a 1,6 mA 2600% a 1,6 mA 300 ns, 1,6 µs -
MOCD208R2VM onsemi MOCD208R2VM -
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 ECAD 1725 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD20 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 70 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 40% a 10 mA 125% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
HMA121AR2 onsemi HMA121AR2 -
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 ECAD 1691 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 400mV
HMHA2801R3 onsemi HMHA2801R3 -
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 ECAD 1641 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 600% a 5 mA - 300mV
FODM3082R1 onsemi FODM3082R1 -
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 ECAD 4708 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 cUL, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,5 V (massimo) 60 mA 3750 Vrm 800 V 70 mA 300μA (suggerimento) SÌ 600 V/μs 10mA -
HCPL3700WV onsemi HCPL3700WV -
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 ECAD 1518 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) HCPL37 CA, CC 1 Darlington 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 30mA 45 µs, 0,5 µs 20 V - 2500 Vrm - - 6μs, 25μs -
MCP3022.300 onsemi MCP3022.300 -
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 ECAD 6066 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MCP30 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 60 mA 5300 Vrm 400 V 200μA NO 10mA
FODM8801CR2V onsemi FODM8801CR2V 2.1300
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 ECAD 3730 0.00000000 onsemi OptoHit™ Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM8801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 30mA 5μs, 5,5μs 75 V 1,35 V 20 mA 3750 Vrm 200% a 1 mA 400% a 1 mA 6μs, 6μs 400mV
HMA2701R1 onsemi HMA2701R1 -
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 ECAD 1577 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA270 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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