SIC
close
Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
HMA121AR4V onsemi HMA121AR4V -
Richiesta di offerta
ECAD 8766 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 400mV
FODM2701B onsemi FODM2701B -
Richiesta di offerta
ECAD 6024 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM27 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,4 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
H11N1FM onsemi H11N1FM -
Richiesta di offerta
ECAD 9878 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11N DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
MOC81023SDL onsemi MOC81023SDL -
Richiesta di offerta
ECAD 7098 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 73% a 10 mA 117% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
H11F1M onsemi H11F1M 5.7000
Richiesta di offerta
ECAD 21 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11F1 DC 1 MOSFET 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 - - 30 V 1,3 V 60 mA 7500Vpk - - 45μs, 45μs (massimo) -
FOD816SD onsemi FOD816SD -
Richiesta di offerta
ECAD 6644 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD816 CA, CC 1 Darlington 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
FODM8061R2 onsemi FODM8061R2 3.0500
Richiesta di offerta
ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori FODM8061 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 3 V ~ 5,5 V 5-Mini-Appartamento scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 50 mA 10Mbps 20ns, 10ns 1,45 V 50mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
H11N1FR2M onsemi H11N1FR2M -
Richiesta di offerta
ECAD 3483 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
FOD817D3SD onsemi FOD817D3SD 0,6400
Richiesta di offerta
ECAD 11 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 300% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
MOC207M_F132 onsemi MOC207M_F132 -
Richiesta di offerta
ECAD 1150 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC207 DC 1 Transistor con base 8-SOIC - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
H11G1M onsemi H11G1M 1.1500
Richiesta di offerta
ECAD 3747 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11G1 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 - - 100 V 1,3 V 60 mA 4170Vrm 1000% a 10 mA - - 1 V
CNY17F1TVM onsemi CNY17F1TVM 0,7600
Richiesta di offerta
ECAD 4668 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY17F1 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
FOD8334 onsemi FOD8334 8.5700
Richiesta di offerta
ECAD 9119 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) FOD833 Accoppiamento ottico UL 1 16-SO - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 3A, 3A 4A 50ns, 50ns 1,45 V 25 mA 4243Vrm 35 kV/μs 250ns, 250ns 100ns 3V~15V
NCV57091ADWR2G onsemi NCV57091ADWR2G 3.6500
Richiesta di offerta
ECAD 4778 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) NCV57091 Accoppiamento capacitivo VDE 1 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 6,5 A, 6,5 A 6,5 A 13ns, 13ns - 5000 Vrm 100 kV/μs 90ns, 90ns 25ns 0 V~32 V
FOD3120TSR2V onsemi FOD3120TSR2V 2.5900
Richiesta di offerta
ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD3120 Accoppiamento ottico CEI, UL 1 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 700 2A, 2A 3A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 400ns, 400ns 100ns 15 V~30 V
HMA121DR1V onsemi HMA121DR1V -
Richiesta di offerta
ECAD 6009 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 100% a 5 mA - 400mV
FOD8343R2 onsemi FOD8343R2 3.3200
Richiesta di offerta
ECAD 42 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) FOD8343 Accoppiamento ottico UR 1 6-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 3A, 3A 4A 38ns, 24ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 50 kV/μs 210ns, 210ns 65ns 10 V~30 V
H11N3TM onsemi H11N3™ -
Richiesta di offerta
ECAD 2603 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11N DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
NCV57090ADWR2G onsemi NCV57090ADWR2G 1.5448
Richiesta di offerta
ECAD 4734 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) NCV57090 Accoppiamento capacitivo VDE 1 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 6,5 A, 6,5 A 6,5 A 13ns, 13ns - 5000 Vrm 100 kV/μs 90ns, 90ns - 0 V~32 V
MOC3031SDM onsemi MOC3031SDM -
Richiesta di offerta
ECAD 9071 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC303 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 60 mA 4170Vrm 250 V 400μA (suggerimento) 1kV/μs 15 mA -
HCPL2730WV onsemi HCPL2730WV -
Richiesta di offerta
ECAD 2054 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) HCPL27 DC 2 Darlington 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 7V 1,3 V 20 mA 2500 Vrm 300% a 1,6 mA - 300ns, 5μs -
FOD3150SD onsemi FOD3150SD 2.3900
Richiesta di offerta
ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD3150 Accoppiamento ottico UL 1 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1A, 1A 1,5 A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 500ns, 500ns 300ns 15 V~30 V
HCPL2731SDM onsemi HCPL2731SDM 2.7000
Richiesta di offerta
ECAD 9986 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2731 DC 2 Darlington 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 18 V 1,3 V 20 mA 5000 Vrm 500% a 1,6 mA - - -
FOD8321 onsemi FOD8321 6.6600
Richiesta di offerta
ECAD 5538 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,346", larghezza 8,80 mm), 5 conduttori FOD832 Accoppiamento ottico UL 1 5-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 2A, 2A 3A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 500ns, 500ns 300ns 16 V~30 V
H11A3M onsemi H11A3M -
Richiesta di offerta
ECAD 3465 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A3MFS EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
FOD420T onsemi FOD420T -
Richiesta di offerta
ECAD 1804 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD420 cUL, FIMKO, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,28 V 30 mA 5000 Vrm 600 V 500μA NO 10 kV/μs 2mA 60 µs
HMHA2801AR2 onsemi HMHA2801AR2 0,7200
Richiesta di offerta
ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA2801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 300mV
H11A3VM onsemi H11A3VM -
Richiesta di offerta
ECAD 5148 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
FOD8333R2 onsemi FOD8333R2 8.6500
Richiesta di offerta
ECAD 6541 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) FOD8333 Accoppiamento ottico UL 1 16-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 750 2,5 A, 2,5 A 3A 50ns, 50ns 1,45 V 25 mA 4243Vrm 35 kV/μs 250ns, 250ns 100ns 3V~15V
MCT5211TVM onsemi MCT5211TVM 0,6163
Richiesta di offerta
ECAD 2966 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MCT5211 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,25 V 50 mA 4170Vrm 150% a 1,6 mA - 14μs, 2,5μs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock