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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
HCPL2630SVM onsemi HCPL2630SVM 0,9778
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ECAD 1054 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2630 DC 2 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 30mA 2500 Vrm 2/0 10 kV/μs (tip.) 75ns, 75ns
4N27W onsemi 4N27W -
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ECAD 1425 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N27 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N27W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
H11F3 onsemi H11F3 -
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ECAD 6547 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11F DC 1 MOSFET 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 15 V 1,3 V 60 mA 5300 Vrm - - 25 µs, 25 µs (massimo) -
HCPL0630 onsemi HCPL0630 -
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ECAD 8216 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL06 DC 2 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 8-SO alto scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,75 V (massimo) 50mA 3750 Vrm 2/0 - 75ns, 75ns
CNY17F4300 onsemi CNY17F4300 -
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ECAD 7060 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY17F4300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
H11AA2SR2M onsemi H11AA2SR2M -
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ECAD 8152 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,17 V 60 mA 7500Vpk 10% a 10 mA - - 400mV
CNX38USD onsemi CNX38USD -
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ECAD 8321 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNX38 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX38USD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 80 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 70% a 10 mA 210% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
MOC3063FM onsemi MOC3063FM -
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ECAD 5096 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC306 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3063FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 600 V 500μA (suggerimento) - 5mA -
CNY174SD onsemi CNY174SD -
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ECAD 1722 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY174 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY174SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
NCP51561DADWR2G onsemi NCP51561DADWR2G 4.0700
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ECAD 815 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) Accoppiamento capacitivo CQC, UL, VDE 2 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 9A, 4,5A 4,5 A, 9 A 11ns, 10ns - 5000 Vrm 200V/ns 58ns, 58ns 5ns 18,5 V~30 V
H11G2 onsemi H11G2 -
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ECAD 2788 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11G DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 80 V 1,3 V 60 mA 5300 Vrm 1000% a 10 mA - 5 µs, 100 µs 1 V
HMA121CR2 onsemi HMA121CR2 -
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ECAD 9764 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 400mV
MOC3052SR2VM onsemi MOC3052SR2VM 1.1300
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ECAD 28 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC305 UR, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 4170Vrm 600 V 220μA (suggerimento) NO 1kV/μs 10mA -
MOC3061FVM onsemi MOC3061FVM -
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ECAD 2580 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC306 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3061FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 600 V 500μA (suggerimento) - 15 mA -
FODM3011_NF098 onsemi FODM3011_NF098 -
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ECAD 2642 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 cUR, UR 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 250 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 10mA -
H11L2 onsemi H11L2 -
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ECAD 1406 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11L DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz - - 10mA 5300 Vrm 1/0 - -
HCPL0730 onsemi HCPL0730 -
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ECAD 9317 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL07 DC 2 Darlington 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 60mA - 7V 1,35 V 20 mA 2500 Vrm 300% a 1,6 mA 5000% a 1,6 mA 2μs, 7μs -
MOC207M onsemi MOC207M 0,9200
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ECAD 3 0.00000000 onsemi - Scatola Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC207 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
CNY17F1TM onsemi CNY17F1TM -
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ECAD 5073 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
4N26TM onsemi 4N26TM -
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ECAD 5684 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N26 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N26TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
MOC3041SR2M onsemi MOC3041SR2M 1.1500
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC304 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 60 mA 4170Vrm 400 V 400μA (suggerimento) 1kV/μs 15 mA -
CNY174300 onsemi CNY174300 -
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ECAD 5715 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY174 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
MCT2ESVM onsemi MCT2ESVM -
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ECAD 6498 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2ESVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 2μs, 1,5μs 30 V 1,25 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
H11AA2SM onsemi H11AA2SM -
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ECAD 6893 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,17 V 60 mA 7500Vpk 10% a 10 mA - - 400mV
H11D1 onsemi H11D1 -
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ECAD 7163 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11D DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 300 V 1,15 V 80 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
H11C6300W onsemi H11C6300W -
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ECAD 8204 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11C UR, VDE 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11C6300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300 mA - NO 500 V/μs 30mA -
HCPL0500R1 onsemi HCPL0500R1 -
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ECAD 1749 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL05 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
MCT2EFVM onsemi MCT2EFVM -
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ECAD 6449 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2EFVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 2μs, 1,5μs 30 V 1,25 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
MOC8107SD onsemi MOC8107SD -
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ECAD 9021 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8107SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 300% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MOCD208R1VM onsemi MOCD208R1VM -
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ECAD 1697 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD20 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-MOCD208R1VM-488 EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 1,6 µs, 2,2 µs 70 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 40% a 10 mA 125% a 10 mA 3μs, 2,8μs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock