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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (max) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
FOD815 onsemi FOD815 -
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 ECAD 2846 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -30°C~105°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD815 DC 1 Darlington 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
FOD4218SDV onsemi FOD4218SDV 6.2100
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 ECAD 5517 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4218 cUL, FIMKO, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,28 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA NO 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
FODM3023R4 onsemi FODM3023R4 -
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 ECAD 7050 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 5mA -
CNY17F1M onsemi CNY17F1M 0,7700
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 ECAD 830 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY17F DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato CNY17F1MFS EAR99 8541.49.8000 50 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
HMA121CR4 onsemi HMA121CR4 -
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 ECAD 5668 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 400mV
FOD410S onsemi FOD410S 4.1600
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 ECAD 362 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD410 CSA, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 600 V 500μA SÌ 10 kV/μs 2mA 60 µs
HCPL2530SDM onsemi HCPL2530SDM 1.1179
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 ECAD 3673 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2530 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
HMA121BR2 onsemi HMA121BR2 -
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 ECAD 9660 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 400mV
HCPL0501R1V onsemi HCPL0501R1V -
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 ECAD 8436 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL05 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
HMA2701BR3V onsemi HMA2701BR3V -
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 ECAD 1629 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA270 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 300mV
4N25FR2M onsemi 4N25FR2M -
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 ECAD 6357 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N25 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N25FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
MOC215VM onsemi MOC215VM -
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 ECAD 5161 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC215 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 3μs, 3μs 30 V 1,07 V 60 mA 2500 Vrm 20% a 1 mA - 4μs, 4μs 400mV
H11AA1300W onsemi H11AA1300W -
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 ECAD 8539 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA1300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - - 400mV
H11D1SD onsemi H11D1SD -
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 ECAD 4181 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11D DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11D1SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 300 V 1,15 V 80 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
H11L1TVM onsemi H11L1TVM 0,8900
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 ECAD 445 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11L1 DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
MOC8020W onsemi MOC8020W -
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 ECAD 2554 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC802 DC 1 Darlington 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8020W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 50 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 500% a 10 mA - 3,5 µs, 95 µs 2V
MOC3162SVM onsemi MOC3162SVM -
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 ECAD 7032 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC316 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3162SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,3 V 60 mA 4170Vrm 600 V 500μA (suggerimento) SÌ 1kV/μs 10mA -
H11AG13SD onsemi H11AG13SD -
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 ECAD 4716 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AG13SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 100% a 1 mA - 5μs, 5μs 400mV
FOD8482R2 onsemi FOD8482R2 2.5000
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 ECAD 2548 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) FOD8482 Accoppiamento ottico IEC/EN/DIN, UL, VDE 1 6-SOP - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2,5 mA, 2,5 mA - 15ns, 10ns 1,4 V 20 mA 5000 Vrm 20kV/μs 300ns, 300ns 250ns 4,5 V ~ 30 V
HMHA2801CR1V onsemi HMHA2801CR1V -
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 ECAD 2502 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
CNY17F3M onsemi CNY17F3M 0,6800
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 ECAD 597 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY17F DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
HCPL0452R2 onsemi HCPL0452R2 -
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 ECAD 4340 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL04 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
SL5501300W onsemi SL5501300W -
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 ECAD 3673 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) SL5501 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato SL5501300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,23 V 100 mA 5300 Vrm 25% a 10 mA 400% a 10 mA 20 µs, 50 µs (massimo) 400mV
HCPL0600V onsemi HCPL0600V -
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 ECAD 6363 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL06 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,75 V (massimo) 50mA 3750 Vrm 1/0 5 kV/μs 75ns, 75ns
FOD4218V onsemi FOD4218V 6.1300
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 ECAD 8588 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD4218 UL, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 488-FOD4218V EAR99 8541.49.8000 1.000 1,28 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 300 mA 500μA NO 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
H11N1TM onsemi H11N1™ -
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 ECAD 6269 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11N DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
CNY1733S onsemi CNY1733S -
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 ECAD 4189 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY173 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY1733S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
FODM3023V onsemi FODM3023V -
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 ECAD 1728 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 5mA -
HMA121C onsemi HMA121C -
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 ECAD 7833 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 400mV
6N136SDV onsemi 6N136SDV -
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 ECAD 3189 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N136 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
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    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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