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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
FOD2742AR2 onsemi FOD2742AR2 -
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 ECAD 6012 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -25°C~85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD274 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA - 70 V 1,2 V 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
FODM452R2V onsemi FODM452R2V 2.8300
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori FODM452 DC 1 Transistor 5-Mini-Appartamento scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 8 mA - 20 V 1,6 V 25 mA 3750 Vrm 20% a 16 mA 50% a 16 mA 400ns, 350ns -
CNX82A300W onsemi CNX82A300W -
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 ECAD 8496 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNX82 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX82A300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 50 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 250% a 10 mA 3μs, 3μs 400mV
FOD4218T onsemi FOD4218T -
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 ECAD 6053 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD4218 cUL, FIMKO, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,28 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA NO 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
FODM453R1 onsemi FODM453R1 -
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 ECAD 2181 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori FODM45 DC 1 Transistor 5-Mini-Appartamento scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,6 V 25 mA 3750 Vrm 20% a 16 mA 50% a 16 mA 400ns, 350ns -
FODM3051 onsemi FODM3051 -
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 ECAD 4713 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 15 mA -
MOC3011SVM onsemi MOC3011SVM -
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 ECAD 1294 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3011SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 250 V 100μA (suggerimento) NO - 10mA -
H24B2 onsemi H24B2 -
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 ECAD 8278 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 85°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) H24B DC 1 Darlington 4-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 100mA - 30 V 1,7 V (massimo) 60 mA 5300 Vrm 400% a 5 mA - 105 µs, 60 µs 1 V
H11G2 onsemi H11G2 -
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 ECAD 2788 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11G DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 80 V 1,3 V 60 mA 5300 Vrm 1000% a 10 mA - 5 µs, 100 µs 1 V
H11C5W onsemi H11C5W -
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 ECAD 4984 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11C UR 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11C5W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300mA - NO 500 V/μs 20 mA -
CNY1723S onsemi CNY1723S -
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 ECAD 3164 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY172 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY1723S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
HCPL0730 onsemi HCPL0730 -
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 ECAD 9317 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL07 DC 2 Darlington 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 60mA - 7V 1,35 V 20 mA 2500 Vrm 300% a 1,6 mA 5000% a 1,6 mA 2μs, 7μs -
FODM3051R1 onsemi FODM3051R1 -
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 ECAD 8785 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 15 mA -
4N28 onsemi 4N28 -
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 ECAD 5354 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N28 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
CNW84300 onsemi CNW84300 -
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 ECAD 2218 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNW84 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 80 V - 100 mA 5900 Vrm 0,63% a 10 mA 3,20% a 10 mA - 400mV
MOC3021SVM onsemi MOC3021SVM 1.1300
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 ECAD 7110 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC302 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3021SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 15 mA -
H11A1S onsemi H11A1S -
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 ECAD 5467 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
MCT5201SD onsemi MCT5201SD -
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 ECAD 5625 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT5 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT5201SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 2,5 µs, 16 µs 30 V 1,25 V 50 mA 5300 Vrm 120% a 5 mA - 3μs, 12μs 400mV
H11N2W onsemi H11N2W -
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 ECAD 5375 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11N DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz - 1,4 V 5mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
FOD4208S onsemi FOD4208S 4.4100
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 ECAD 198 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4208 cUL, FIMKO, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,28 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA NO 10 kV/μs 2mA 60 µs
MOC8102SD onsemi MOC8102SD -
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 ECAD 6608 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8102SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 73% a 10 mA 117% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MOC3083SR2M_F132 onsemi MOC3083SR2M_F132 -
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 ECAD 4455 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC308 UL 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,3 V 60 mA 4170Vrm 800 V 500μA (suggerimento) SÌ 600 V/μs 5mA -
FODM3023R2 onsemi FODM3023R2 -
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 ECAD 3627 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 5mA -
MOC119SD onsemi MOC119SD -
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 ECAD 6093 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC119 DC 1 Darlington 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC119SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 300% a 10 mA - 3,5 µs, 95 µs 1 V
H11G3 onsemi H11G3 -
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 ECAD 4884 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11G DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 55 V 1,3 V 60 mA 5300 Vrm 200% a 1 mA - 5 µs, 100 µs 1,2 V
HCPL2531SVM onsemi HCPL2531SVM 1.2147
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 ECAD 6883 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2531 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 2832-HCPL2531SVM-488 EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 250ns, 260ns -
MOC3083FM onsemi MOC3083FM -
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 ECAD 8956 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC308 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3083FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 800 V 500μA (suggerimento) SÌ - 5mA -
HMAA2705R4V onsemi HMAA2705R4V -
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 ECAD 8959 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMAA27 CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
4N35S onsemi 4N35S -
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 ECAD 9459 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N35 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
H11AA1TVM onsemi H11AA1TVM 1.0600
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 ECAD 16 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11AA CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA - 30 V 1,17 V 60 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - - 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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