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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
H11A4SM onsemi H11A4SM -
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 ECAD 4635 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A4SM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
MOC3063TM onsemi MOC3063TM -
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 ECAD 6365 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC306 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,3 V 60 mA 4170Vrm 600 V 500μA (suggerimento) SÌ 600 V/μs 5mA -
H11B3W onsemi H11B3W -
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 ECAD 7113 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11B DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11B3W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 25 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
CNY171SM onsemi CNY171SM 0,8600
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 ECAD 540 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY171 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY171SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MOC119300 onsemi MOC119300 -
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 ECAD 6120 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC119 DC 1 Darlington 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC119300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 300% a 10 mA - 3,5 µs, 95 µs 1 V
HCPL0500R2V onsemi HCPL0500R2V 1.0142
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 ECAD 5202 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL0500 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
HMAA2705R1V onsemi HMAA2705R1V -
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 ECAD 6456 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMAA27 CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
MOC3021SR2M onsemi MOC3021SR2M 0,8500
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 ECAD 8945 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC302 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 15 mA -
H11N3S onsemi H11N3S -
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 ECAD 6229 0.00000000 onsemi - Borsa Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N DC 1 Collettore aperto - 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz - 1,4 V 10mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
HCPL4503SM onsemi HCPL4503SM 3.1200
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 ECAD 3669 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL4503 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 250ns, 260ns -
FODB102V onsemi FODB102V -
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 ECAD 5994 0.00000000 onsemi Microaccoppiatore™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-TEBGA FODB10 DC 1 Transistor 4-BGA (3,5x3,5) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 1μs, 5μs 75 V 1,5 V (massimo) 30 mA 2500 Vrm 100% a 1 mA - 3μs, 5μs 400mV
HCPL2503WV onsemi HCPL2503WV -
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 ECAD 1813 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) HCPL25 DC 1 Transistor con base 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 12% a 16 mA - 450 n., 300 n -
MOCD207VM onsemi MOCD207VM 0,5552
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 ECAD 2080 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD207 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 70 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
HCPL0452 onsemi HCPL0452 -
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 ECAD 9699 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL04 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
MOC3042SM onsemi MOC3042SM 1.4600
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 ECAD 37 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC304 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3042SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,25 V 60 mA 4170Vrm 400 V 400μA (suggerimento) SÌ 1kV/μs 10mA -
H11C5 onsemi H11C5 -
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 ECAD 1682 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11C UR 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300 mA - NO 500 V/μs 20 mA -
SL5511S onsemi SL5511S -
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 ECAD 2558 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano SL5511 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato SL5511S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,23 V 100 mA 5300 Vrm 25% a 2 mA - 20 µs, 50 µs (massimo) 400mV
FOD8802BR2 onsemi FOD8802BR2 0,7579
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 ECAD 9803 0.00000000 onsemi OptoHit™ Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-FOD8802BR2TR EAR99 8541.49.8000 2.500 30mA 6μs, 7μs 75 V 1,35 V 20 mA 2500 Vrm 130% a 1 mA 260% a 1 mA 6μs, 6μs 400mV
H11AA814 onsemi H11AA814 -
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 ECAD 7700 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A CA, CC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 20% a 1 mA 300% a 1 mA - 200mV
H11L1SM onsemi H11L1SM 1.1300
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 ECAD 583 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11L1 DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
4N36TVM onsemi 4N36TVM -
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 ECAD 2410 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N36 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N36TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
FODM121CR2V onsemi FODM121CR2V 0,7800
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 400mV
4N35 onsemi 4N35 -
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 ECAD 4411 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N35 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
MOC256VM onsemi MOC256VM -
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 ECAD 2514 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC256 CA, CC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA - 30 V 1,2 V 60 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - - 400mV
MOC8050 onsemi MOC8050 -
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 ECAD 9639 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC805 DC 1 Darlington 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 80 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 500% a 10 mA - 3,5 µs, 95 µs -
CNY173TVM onsemi CNY173TVM 0,7700
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 ECAD 2115 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY173 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MOC3031FVM onsemi MOC3031FVM -
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 ECAD 4456 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC303 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3031FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 250 V 400μA (suggerimento) SÌ - 15 mA -
CNY171FR2M onsemi CNY171FR2M -
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 ECAD 9714 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY171 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY171FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
CNX39U300 onsemi CNX39U300 -
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 ECAD 1945 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNX39 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX39U300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 60% a 10 mA 100% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
HCPL4503TM onsemi HCPL4503TM -
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 ECAD 1994 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) HCPL45 DC 1 Transistor con base 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 250ns, 260ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

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    Produttori mondiali

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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