SIC
close

Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
4N38SR2M onsemi 4N38SR2M 0,7400
Richiesta di offerta
 ECAD 141 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N38 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 80 V 1,15 V 80 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - 5μs, 5μs 1 V
H11AA43SD onsemi H11AA43SD -
Richiesta di offerta
 ECAD 1400 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA43SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - - 400mV
FODM8801B onsemi FODM8801B 1.7200
Richiesta di offerta
 ECAD 2 0.00000000 onsemi OptoHit™ Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM8801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato FODM8801BFS EAR99 8541.49.8000 100 30mA 5μs, 5,5μs 75 V 1,35 V 20 mA 3750 Vrm 130% a 1 mA 260% a 1 mA 6μs, 6μs 400mV
H11D2SR2M onsemi H11D2SR2M -
Richiesta di offerta
 ECAD 2020 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11D DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 300 V 1,15 V 80 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
FODM2701R2V onsemi FODM2701R2V -
Richiesta di offerta
 ECAD 3216 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM27 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,4 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
CNY17F2SR2VM onsemi CNY17F2SR2VM 0,7900
Richiesta di offerta
 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17F2 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MOC3083FR2VM onsemi MOC3083FR2VM -
Richiesta di offerta
 ECAD 5747 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC308 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3083FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 800 V 500μA (suggerimento) SÌ - 5mA -
MOC3083SM_F132 onsemi MOC3083SM_F132 -
Richiesta di offerta
 ECAD 2090 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC308 UL 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,3 V 60 mA 4170Vrm 800 V 500μA (suggerimento) SÌ 600 V/μs 5mA -
HMHA281V onsemi HMHA281V -
Richiesta di offerta
 ECAD 1085 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
H11AA4SM onsemi H11AA4SM 0,9300
Richiesta di offerta
 ECAD 59 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11AA CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA - 30 V 1,17 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - - 400mV
MOCD211R2VM onsemi MOCD211R2VM -
Richiesta di offerta
 ECAD 4740 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD21 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
H11A4TM onsemi H11A4TM -
Richiesta di offerta
 ECAD 6866 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A4TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
MOC3031M onsemi MOC3031M 1.2700
Richiesta di offerta
 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC303 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,25 V 60 mA 4170Vrm 250 V 400μA (suggerimento) SÌ 1kV/μs 15 mA -
MOC3012TM onsemi MOC3012TM -
Richiesta di offerta
 ECAD 5719 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC301 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3012TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 250 V 100μA (suggerimento) NO - 5mA -
FOD3180TV onsemi FOD3180TV 3.2300
Richiesta di offerta
 ECAD 985 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD3180 Accoppiamento ottico cUL, UL, VDE 1 8-MDIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 2A, 2A 2,5 A 75ns, 55ns 1,43 V 25 mA 5000 Vrm 15 kV/μs 200ns, 200ns 65ns 10 V~20 V
4N26S onsemi 4N26S -
Richiesta di offerta
 ECAD 3822 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N26 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
HCPL0600R2V onsemi HCPL0600R2V -
Richiesta di offerta
 ECAD 3285 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL06 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,75 V (massimo) 50mA 3750 Vrm 1/0 5 kV/μs 75ns, 75ns
FODM121AR1 onsemi FODM121AR1 -
Richiesta di offerta
 ECAD 2519 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 400mV
4N363SD onsemi 4N363SD -
Richiesta di offerta
 ECAD 7187 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N36 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N363SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
CNW11AV3S onsemi CNW11AV3S -
Richiesta di offerta
 ECAD 1460 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNW11 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 70 V - 100 mA 4000 Vrm 20% a 10 mA - - 400mV
HMA121DR3V onsemi HMA121DR3V -
Richiesta di offerta
 ECAD 2336 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 100% a 5 mA - 400mV
HCPL2531SM onsemi HCPL2531SM 1.2320
Richiesta di offerta
 ECAD 5775 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2531 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 2832-HCPL2531SM-488 EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 250ns, 260ns -
4N28FM onsemi 4N28FM -
Richiesta di offerta
 ECAD 6653 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N28 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N28FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
MOC3010TM onsemi MOC3010TM -
Richiesta di offerta
 ECAD 2584 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC301 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3010TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 250 V 100μA (suggerimento) NO - 15 mA -
4N25SD onsemi 4N25SD -
Richiesta di offerta
 ECAD 7175 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N25 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N25SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
MOC5009M onsemi MOC5009M -
Richiesta di offerta
 ECAD 7798 0.00000000 onsemi GlobalOptoisolator™ Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC500 DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC5009-M EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz - - 10mA 7500Vpk 1/0 - -
FODM124 onsemi FODM124 0,7000
Richiesta di offerta
 ECAD 4876 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 1 mA 1200% a 1 mA - 400mV
MOC3012M_F132 onsemi MOC3012M_F132 -
Richiesta di offerta
 ECAD 7622 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC301 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 250 V 100μA (suggerimento) NO - 5mA -
TIL111VM onsemi TIL111VM 0,9200
Richiesta di offerta
 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TIL111 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2mA 10μs, 10μs (massimo) 30 V 1,2 V 60 mA 7500Vpk - - - 400mV
FODM217BV onsemi FODM217BV 0,9900
Richiesta di offerta
 ECAD 8761 0.00000000 onsemi FODM217 Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM217 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

Elenco RFQ (0 articoli)
Elenco carrello (0 articoli)
WishlistLista dei desideri (0 articoli)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

Quantità: 1

Confronta elenco (0 articoli)
Premi Invio per cercare o ESC per chiudere