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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
MOC3032SVM onsemi MOC3032SVM -
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 ECAD 5484 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC303 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3032SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 60 mA 4170Vrm 250 V 400μA (suggerimento) SÌ 1kV/μs 10mA -
FOD070LR1 onsemi FOD070LR1 -
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 ECAD 9216 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD070 DC 1 Darlington con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 500 60mA - 7V 1,35 V 20 mA 2500 Vrm 400% a 500μA 7000% a 500μA 3μs, 50μs -
MOC3012FVM onsemi MOC3012FVM -
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 ECAD 4288 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC301 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3012FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 250 V 100μA (suggerimento) NO - 5mA -
FODM3051R3 onsemi FODM3051R3 -
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 ECAD 2040 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 15 mA -
HCPL2531W onsemi HCPL2531W -
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 ECAD 6871 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) HCPL25 DC 2 Transistor 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
H11G1SM onsemi H11G1SM 1.0600
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 ECAD 4394 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11G1 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 100 V 1,3 V 60 mA 4170Vrm 1000% a 10 mA - 5 µs, 100 µs 1 V
TIL111FM onsemi TIL111FM -
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 ECAD 1875 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano TIL111 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato TIL111FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 2mA 10μs, 10μs (massimo) 30 V 1,2 V 60 mA 7500Vpk - - - 400mV
CNY17F2M onsemi CNY17F2M 0,6900
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY17F DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MOC213R2M onsemi MOC213R2M 0,7200
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC213 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
CNW82S onsemi CNW82S -
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 ECAD 5557 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNW82 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 50 V - 100 mA 5900 Vrm 0,4% a 10 mA - - 400mV
HCPL2530SD onsemi HCPL2530SD 1.7700
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 ECAD 807 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2530 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
MOC5008FM onsemi MOC5008FM -
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 ECAD 9762 0.00000000 onsemi GlobalOptoisolator™ Borsa Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC500 DC 1 Collettore aperto - 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz - - 1,6 mA 7500Vpk 1/0 - -
H11L2TM onsemi H11L2™ -
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 ECAD 4798 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11L DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11L2TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
MCT271M onsemi MCT271M -
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 ECAD 5644 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MCT271 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 60 mA 7500Vpk 45% a 10 mA 90% a 10 mA 1μs, 48μs 400mV
FOD815SD onsemi FOD815SD -
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 ECAD 1784 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -30°C~105°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD815 DC 1 Darlington 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
HMA121FV onsemi HMA121FV -
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 ECAD 7319 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
FOD4118TV onsemi FOD4118TV 4.4100
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 ECAD 998 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD4118 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA SÌ 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
H11G2W onsemi H11G2W -
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 ECAD 1431 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11G DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11G2W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 80 V 1,3 V 60 mA 5300 Vrm 1000% a 10 mA - 5 µs, 100 µs 1 V
MCT2E300 onsemi MCT2E300 -
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 ECAD 1722 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MCT2 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2E300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 1,1 µs, 50 µs 400mV
4N32W onsemi 4N32W -
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 ECAD 9601 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N32 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N32W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 5300 Vrm 500% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1 V
HMHA2801BR4 onsemi HMHA2801BR4 -
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 ECAD 3093 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 300mV
HMA2701AR4V onsemi HMA2701AR4V -
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 ECAD 6312 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA270 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 150% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
MOC8107W onsemi MOC8107W -
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 ECAD 6218 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8107W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 300% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
FODM3053V onsemi FODM3053V -
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 ECAD 4736 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 5mA -
CNX35U300W onsemi CNX35U300W -
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 ECAD 4296 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNX35 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX35U300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 160% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
HMHA2801CV onsemi HMHA2801CV -
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 ECAD 2401 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
MOC80303S onsemi MOC80303S -
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 ECAD 8209 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC803 DC 1 Darlington 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC80303S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 80 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 300% a 10 mA - 3,5 µs, 95 µs -
CNX48U300 onsemi CNX48U300 -
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 ECAD 9160 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNX48 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX48U300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 350% a 500μA - 3,5 µs, 36 µs 1 V
MOC3061FM onsemi MOC3061FM -
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 ECAD 4743 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC306 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3061FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 600 V 500μA (suggerimento) SÌ - 15 mA -
FOD817CW onsemi FOD817CW -
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 ECAD 7545 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD817 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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