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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
FODM8801A onsemi FODM8801A 1.6900
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ECAD 6894 0.00000000 onsemi OptoHit™ Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM8801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato FODM8801AFS EAR99 8541.49.8000 150 30mA 5μs, 5,5μs 75 V 1,35 V 20 mA 3750 Vrm 80% a 1 mA 160% a 1 mA 6μs, 6μs 400mV
MOC205R2M onsemi MOC205R2M 0,7700
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC205 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
FOD2742AR1V onsemi FOD2742AR1V -
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ECAD 4224 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -25°C~85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD274 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 70 V 1,2 V 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
FOD8001R2 onsemi FOD8001R2 6.6300
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ECAD 9 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD8001 Logica 1 Push-pull, totem 3 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 10 mA 25Mbps 6,5 n., 6,5 n - - 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 40ns, 40ns
MOC81033S onsemi MOC81033S -
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ECAD 3253 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC81033S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 108% a 10 mA 173% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MOC3062TM onsemi MOC3062TM -
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ECAD 7226 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC306 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3062TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,3 V 60 mA 4170Vrm 600 V 500μA (suggerimento) 600 V/μs 10mA -
FOD8160R2V onsemi FOD8160R2V 3.7100
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ECAD 9254 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,362", larghezza 9,20 mm), 5 conduttori FOD8160 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 3 V ~ 5,5 V 5-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 22ns, 9ns 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 1/1 20kV/μs 90ns, 80ns
FODM8801CR2 onsemi FODM8801CR2 1.8000
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ECAD 3406 0.00000000 onsemi OptoHit™ Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM8801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 30mA 5μs, 5,5μs 75 V 1,35 V 20 mA 3750 Vrm 200% a 1 mA 400% a 1 mA 6μs, 6μs 400mV
MOC212R1VM onsemi MOC212R1VM -
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ECAD 4983 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC212 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 50% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
FOD2742AR1 onsemi FOD2742AR1 -
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ECAD 6825 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -25°C~85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD274 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 70 V 1,2 V 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
MOC3072SR2VM onsemi MOC3072SR2VM 1.5700
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC307 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 4170Vrm 800 V 540 µA (sugger.) NO 1kV/μs 10mA -
FODM3010R2V onsemi FODM3010R2V -
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ECAD 2480 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 250 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 15 mA -
4N40 onsemi 4N40 -
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ECAD 4430 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N40 UR 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,1 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300mA 1mA NO 500 V/μs 14mA 50 µs (massimo)
H11AA2SD onsemi H11AA2SD -
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ECAD 5741 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA2SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 10% a 10 mA - - 400mV
4N37M onsemi 4N37M 0,7400
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ECAD 46 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N37 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
H11AA33S onsemi H11AA33S -
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ECAD 8352 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA33S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - - 400mV
CNW11AV1 onsemi CNW11AV1 -
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ECAD 2281 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNW11 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 70 V - 100 mA 4000 Vrm 100% a 10 mA 300% a 10 mA - 400mV
MOC3021FR2VM onsemi MOC3021FR2VM -
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ECAD 9949 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC302 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3021FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 400 V 100μA (suggerimento) NO - 15 mA -
MOC3031FM onsemi MOC3031FM -
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ECAD 2775 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC303 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3031FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 250 V 400μA (suggerimento) - 15 mA -
H11C6SD onsemi H11C6SD -
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ECAD 8873 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11C UR 1 SCR 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11C6SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300mA - NO 500 V/μs 30mA -
HCPL2601SD onsemi HCPL2601SD 2.1100
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ECAD 11 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2601 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 50mA 2500 Vrm 1/0 5 kV/μs 75ns, 75ns
4N30300 onsemi 4N30300 -
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ECAD 2834 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N30 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N30300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 5 µs, 40 µs (massimo) 1 V
MOC5008FR2M onsemi MOC5008FR2M -
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ECAD 4336 0.00000000 onsemi GlobalOptoisolator™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC500 DC 1 Collettore aperto - 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz - - 4mA 7500Vpk 1/0 - -
H11A5W onsemi H11A5W -
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ECAD 6208 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A5W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 30% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
CNX38UW onsemi CNX38UW -
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ECAD 3168 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNX38 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX38UW-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 80 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 70% a 10 mA 210% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
4N36FR2M onsemi 4N36FR2M -
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ECAD 7027 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N36 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N36FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
FOD053LR2 onsemi FOD053LR2 6.4100
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD053 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 8 mA - 7V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 15% a 16 mA 50% a 16 mA 1μs, 1μs (massimo) -
MOC8107SD onsemi MOC8107SD -
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ECAD 9021 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8107SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 300% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MOC3009 onsemi MOC3009 -
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ECAD 4766 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC300 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3009QT EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5300 Vrm 250 V 100μA NO 30mA
TIL113300W onsemi TIL113300W -
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ECAD 5880 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) TIL113 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato TIL113300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 300% a 10 mA - 350ns, 55μs 1,25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock