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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
FODM3051R2 onsemi FODM3051R2 -
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 ECAD 1570 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 15 mA -
HCPL0452 onsemi HCPL0452 -
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 ECAD 9699 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL04 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
H11D3W onsemi H11D3W -
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 ECAD 2158 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11D DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11D3W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 200 V 1,15 V 80 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
H11B815S onsemi H11B815S -
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 ECAD 7735 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11B DC 1 Darlington 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11B815S-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 80 mA 300 µs, 250 µs (massimo) 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
FOD060L onsemi FOD060L 3.2300
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 ECAD 89 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD060 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 3 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10Mbps 22ns, 3ns 1,4 V 50mA 3750 Vrm 1/0 25 kV/μs 90ns, 75ns
MOC213R1M onsemi MOC213R1M -
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 ECAD 5087 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC213 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC213R1M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
H11A617BS onsemi H11A617BS -
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 ECAD 6550 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,35 V 50 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA - 400mV
FOD817S onsemi FOD817S 0,5500
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
H11D1 onsemi H11D1 -
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 ECAD 7163 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11D DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 300 V 1,15 V 80 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
CNY174300 onsemi CNY174300 -
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 ECAD 5715 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY174 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
MOC3061SR2M onsemi MOC3061SR2M 1.3500
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 ECAD 5313 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC306 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,3 V 60 mA 4170Vrm 600 V 500μA (suggerimento) SÌ 600 V/μs 15 mA -
HMA121AR3V onsemi HMA121AR3V -
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 ECAD 6941 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 400mV
H11B1300 onsemi H11B1300 -
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 ECAD 8691 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11B DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 25 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 500% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
CNX36USD onsemi CNX36USD -
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 ECAD 5464 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNX36 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX36USD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 80% a 10 mA 200% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
4N27FR2VM onsemi 4N27FR2VM -
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 ECAD 3736 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N27 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N27FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
4N36W onsemi 4N36W -
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 ECAD 9224 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N36 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N36W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
HCPL0701R2V onsemi HCPL0701R2V -
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 ECAD 8350 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL07 DC 1 Darlington con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 60mA - 18 V 1,25 V 20 mA 2500 Vrm 500% a 1,6 mA 2600% a 1,6 mA 300ns, 1,6μs -
MOC8080300W onsemi MOC8080300W -
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 ECAD 4667 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC808 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8080300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 55 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - 3,5 µs, 25 µs 1 V
FOD2200S onsemi FOD2200S -
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 ECAD 8394 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD220 DC 1 Tri-Stato 4,5 V~20 V 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 25 mA 2,5 MBd 80ns, 25ns 1,4 V 10mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs 300ns, 300ns
MOC3020M onsemi MOC3020M 0,7700
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 ECAD 6 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC302 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 30mA -
TIL117VM onsemi TIL117VM 0,3334
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 ECAD 5125 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TIL117 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - 2μs, 2μs 30 V 1,2 V 60 mA 7500Vpk 50% a 10 mA - 10μs, 10μs (massimo) 400mV
HCPL0730R1 onsemi HCPL0730R1 -
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 ECAD 5813 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL07 DC 2 Darlington 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 7V 1,35 V 20 mA 2500 Vrm 300% a 1,6 mA 5000% a 1,6 mA 2μs, 7μs -
H11L2SR2M onsemi H11L2SR2M 1.2400
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 ECAD 5782 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11L2 DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
MCT271SD onsemi MCT271SD -
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 ECAD 1103 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT271 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT271SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 45% a 10 mA 90% a 10 mA 1μs, 48μs 400mV
FODM3052R2V onsemi FODM3052R2V -
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 ECAD 3382 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 10mA -
MOC3163FM onsemi MOC3163FM -
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 ECAD 2203 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC316 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3163FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 600 V 500μA (suggerimento) SÌ - 5mA -
MOC81013SD onsemi MOC81013SD -
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 ECAD 1276 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC81013SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
H11C4300 onsemi H11C4300 -
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 ECAD 3860 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11C UR, VDE 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11C4300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300mA - NO 500 V/μs 20 mA -
HMHA2801B onsemi HMHA2801B 1.1200
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA2801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 150 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 300mV
H11A817W onsemi H11A817W -
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 ECAD 6314 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A817W-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
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    Unità di prodotto standard

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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