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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tipo di canale Corrente - Uscita di picco Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Mantieni (Ih) Potenza isolata Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
FOD260LS onsemi FOD260LS 2.9800
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ECAD 308 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD260 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 3 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 22ns, 3ns 1,4 V 50mA 5000 Vrm 1/0 25 kV/μs 90ns, 75ns
FOD2712A onsemi FOD2712A 1.4200
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ECAD 3831 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD2712 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
FOD2743ASV onsemi FOD2743ASV -
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ECAD 5157 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD274 DC 1 Transistor 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 70 V 1,07 V 5000 Vrm 50% a 1 mA 100% a 1 mA - 400mV
MOCD213M onsemi MOCD213M 1.1200
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ECAD 20 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD213 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 150mA 1,6 µs, 2,2 µs 70 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA - 3μs, 2,8μs 400mV
74OL6010W onsemi 74OL6010W -
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ECAD 5846 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 74OL601 Logica 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V~15 V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 50ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 180ns, 120ns
CNW11AV2 onsemi CNW11AV2 -
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ECAD 6431 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNW11 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 70 V - 100 mA 4000 Vrm 50% a 10 mA - - 400mV
MOC207R1VM onsemi MOC207R1VM -
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ECAD 2663 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC207 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
MOC217R1VM onsemi MOC217R1VM -
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ECAD 6941 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC217 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,07 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
HMA121F onsemi HMA121F -
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ECAD 2582 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
FOD8342ATR2 onsemi FOD8342ATR2 1.1077
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ECAD 7120 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) Accoppiamento ottico UL, VDE 1 6-SOP - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-FOD8342ATR2TR EAR99 8541.49.8000 1.000 2,5 A, 2,5 A 3A 38ns, 24ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 210ns, 210ns 65ns 10 V~30 V
MOCD213VM onsemi MOCD213VM -
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ECAD 2447 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD21 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 1,6 µs, 2,2 µs 70 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA - 3μs, 2,8μs 400mV
H11A5FR2M onsemi H11A5FR2M -
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ECAD 2939 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 30% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
FOD617C300 onsemi FOD617C300 -
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ECAD 4536 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD617 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
FOD617C300W onsemi FOD617C300W -
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ECAD 9075 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD617 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
HMA121ER3 onsemi HMA121ER3 -
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ECAD 4337 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 150% a 5 mA 300% a 5 mA - 400mV
4N37TVM onsemi 4N37TVM 0,8100
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ECAD 7236 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N37 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
FOD8342V onsemi FOD8342V 3.2700
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ECAD 1606 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) FOD8342 Accoppiamento ottico UL 1 6-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato FOD8342VOS EAR99 8541.49.8000 100 2,5 A, 2,5 A 3A 38ns, 24ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 210ns, 210ns 65ns 10 V~30 V
MOC8101 onsemi MOC8101 -
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ECAD 6537 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8101-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MOC1193S onsemi MOC1193S -
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ECAD 6550 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC119 DC 1 Darlington 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC1193S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 300% a 10 mA - 3,5 µs, 95 µs 1 V
H11F3SVM onsemi H11F3SVM 3,5500
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ECAD 981 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11F DC 1 MOSFET 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 15 V 1,3 V 60 mA 4170Vrm - - 45μs, 45μs (massimo) -
NCV57090FDWR2G onsemi NCV57090FDWR2G 3.0800
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ECAD 7799 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) NCV57090 Accoppiamento capacitivo VDE 1 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 6,5 A, 6,5 A 6,5 A 13ns, 13ns - 5000 Vrm 100 kV/μs 90ns, 90ns 30ns 0 V~32 V
FOD4116SDV onsemi FOD4116SDV 5.4400
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ECAD 998 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4116 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 600 V 500μA 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
H11A617D300W onsemi H11A617D300W -
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ECAD 6807 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,35 V 50 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA - 400mV
MID400SDM onsemi MID400SDM 5.2500
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ECAD 9880 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano Monitoraggio della linea CA METÀ400 CA, CC UR 1 7V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 20 mA - 1,5 V 30 mA 2500 Vrm - 1 ms, 1 ms (tipico)
HCPL4503SDVM onsemi HCPL4503SDVM 2.8600
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ECAD 7722 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL4503 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 250ns, 260ns -
MID400SD onsemi MID400SD 6.8500
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ECAD 11 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano Monitoraggio della linea CA METÀ400 CA, CC UR 1 7V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 20 mA - 1,5 V 30 mA 2500 Vrm - 1 ms, 1 ms (tipico)
NCID9411R2 onsemi NCID9411R2 4.2718
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ECAD 7439 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) I²C, SPI NCID94 Accoppiamento capacitivo 4 2,5 V ~ 5,5 V 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 750 10Mbps Unidirezionale 3ns, 2ns 5000 Vrm NO 3/1 100 kV/μs 170ns, 170ns 70ns
6N136TSVM onsemi 6N136TSVM 2.0700
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ECAD 3357 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N136 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 250ns, 260ns -
FOD617BS onsemi FOD617BS -
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ECAD 4249 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD617 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA - 400mV
MID400VM onsemi MID400VM 2.4688
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ECAD 6488 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) Monitoraggio della linea CA METÀ400 CA, CC UR, VDE 1 7V 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 488-MID400VM EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 1,5 V 2500 Vrm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock