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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
CNY174300 onsemi CNY174300 -
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ECAD 5715 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY174 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
HMA121AR3V onsemi HMA121AR3V -
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ECAD 6941 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 400mV
CNX36USD onsemi CNX36USD -
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ECAD 5464 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNX36 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX36USD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 80% a 10 mA 200% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
4N36W onsemi 4N36W -
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ECAD 9224 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N36 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N36W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
HCPL0730R1 onsemi HCPL0730R1 -
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ECAD 5813 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL07 DC 2 Darlington 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 7V 1,35 V 20 mA 2500 Vrm 300% a 1,6 mA 5000% a 1,6 mA 2μs, 7μs -
MCT271SD onsemi MCT271SD -
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ECAD 1103 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT271 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT271SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 45% a 10 mA 90% a 10 mA 1μs, 48μs 400mV
FODM3052R2V onsemi FODM3052R2V -
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ECAD 3382 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 10mA -
MOC3163FM onsemi MOC3163FM -
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ECAD 2203 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC316 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3163FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 600 V 500μA (suggerimento) - 5mA -
H11C4300 onsemi H11C4300 -
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ECAD 3860 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11C UR, VDE 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11C4300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300mA - NO 500 V/μs 20 mA -
HMHA2801B onsemi HMHA2801B 1.1200
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA2801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 150 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 300mV
4N29M onsemi 4N29M 0,7100
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ECAD 643 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N29 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 2156-4N29M-488 EAR99 8541.49.8000 50 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - 5 µs, 40 µs (massimo) 1 V
FODM8801A onsemi FODM8801A 1.6900
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ECAD 6894 0.00000000 onsemi OptoHit™ Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM8801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato FODM8801AFS EAR99 8541.49.8000 150 30mA 5μs, 5,5μs 75 V 1,35 V 20 mA 3750 Vrm 80% a 1 mA 160% a 1 mA 6μs, 6μs 400mV
FOD2742AR1V onsemi FOD2742AR1V -
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ECAD 4224 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -25°C~85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD274 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 70 V 1,2 V 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
FOD8001R2 onsemi FOD8001R2 6.6300
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ECAD 9 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD8001 Logica 1 Push-pull, totem 3 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 10 mA 25Mbps 6,5 n., 6,5 n - - 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 40ns, 40ns
FOD8160R2V onsemi FOD8160R2V 3.7100
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ECAD 9254 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,362", larghezza 9,20 mm), 5 conduttori FOD8160 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 3 V ~ 5,5 V 5-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 22ns, 9ns 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 1/1 20kV/μs 90ns, 80ns
MOC212R1VM onsemi MOC212R1VM -
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ECAD 4983 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC212 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 50% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
FOD2742AR1 onsemi FOD2742AR1 -
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ECAD 6825 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -25°C~85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD274 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 70 V 1,2 V 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
4N40 onsemi 4N40 -
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ECAD 4430 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N40 UR 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,1 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300mA 1mA NO 500 V/μs 14mA 50 µs (massimo)
CNW11AV1 onsemi CNW11AV1 -
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ECAD 2281 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNW11 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 70 V - 100 mA 4000 Vrm 100% a 10 mA 300% a 10 mA - 400mV
H11C6SD onsemi H11C6SD -
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ECAD 8873 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11C UR 1 SCR 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11C6SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300mA - NO 500 V/μs 30mA -
4N30300 onsemi 4N30300 -
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ECAD 2834 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N30 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N30300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 5 µs, 40 µs (massimo) 1 V
H11A5W onsemi H11A5W -
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ECAD 6208 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A5W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 30% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
FOD053LR2 onsemi FOD053LR2 6.4100
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD053 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 8 mA - 7V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 15% a 16 mA 50% a 16 mA 1μs, 1μs (massimo) -
TIL113300W onsemi TIL113300W -
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ECAD 5880 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) TIL113 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato TIL113300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 300% a 10 mA - 350ns, 55μs 1,25 V
MOC3031FR2M onsemi MOC3031FR2M -
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ECAD 5408 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC303 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3031FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 250 V 400μA (suggerimento) - 15 mA -
H11C6 onsemi H11C6 -
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ECAD 8544 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11C UR 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300mA - NO 500 V/μs 30mA -
HCPL2611SV onsemi HCPL2611SV -
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ECAD 6368 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2611 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 50mA 2500 Vrm 1/0 10 kV/μs 75ns, 75ns
CNX48UW onsemi CNX48UW -
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ECAD 4105 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNX48 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX48UW-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 350% a 500μA - 3,5 µs, 36 µs 1 V
FOD0720 onsemi FOD0720 3.8000
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD072 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 10 mA 25Mbps 5ns, 4,5ns - - 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 40ns, 40ns
6N135TVM onsemi 6N135TVM 0,8079
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ECAD 1225 0.00000000 onsemi - Massa Attivo 0°C ~ 70°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) 6N135 DC 1 Transistor con base 8-MDIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 230ns, 450ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock