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Isolatori(3348)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | H11N3SR2M | - |  | 3462 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11N | DC | 1 | Collettore aperto | 4 V~15 V | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 5 MHz | 7,5 n, 12 n | 1,4 V | 30mA | 4170Vrm | 1/0 | - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||||||||
| 4N36SR2M | 0,6200 | | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N36 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 40% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | HCPL2630V | - | | 9037 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL2630 | DC | 2 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1,4 V | 30mA | 2500 Vrm | 2/0 | 10 kV/μs (tip.) | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||||
| H11AG1SM | 0,7236 | | 6422 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11AG | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2832-H11AG1SM-488 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,25 V | 50 mA | 4170Vrm | 100% a 1 mA | - | 5μs, 5μs | 400mV | |||||||||||||||||||
| MOC3021SR2VM | 1.1500 | | 3 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC302 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,15 V | 60 mA | 4170Vrm | 400 V | 100μA (suggerimento) | NO | - | 15 mA | - | |||||||||||||||||||||
 | 4N38SD | - | | 9630 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N38 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4N38SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 80 V | 1,15 V | 80 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 5μs, 5μs | 1 V | ||||||||||||||||||||
 | MOC217M | 0,8700 | | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOC217 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,07 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | FODM3011R4 | - | | 2066 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | 250 V | 70 mA | 300μA (suggerimento) | NO | 10 V/μs (punta) | 10mA | - | |||||||||||||||||||||
 | H11AG2300 | - | | 2528 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11AG2300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,5 V (massimo) | 50 mA | 5300 Vrm | 50% a 1 mA | - | 5μs, 5μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | H11A817300W | - | | 2531 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11A | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11A817300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2,4 µs, 2,4 µs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||||||
| CNY173FR2M | - | | 6957 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY173 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CNY173FR2M-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 7500Vpk | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | FOD420SV | 4.2800 | | 900 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | FOD420 | cUL, FIMKO, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,28 V | 30 mA | 5000 Vrm | 600 V | 500μA | NO | 10 kV/μs | 2mA | 60 µs | |||||||||||||||||||||
| H11N2FM | - | | 1925 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11N | DC | 1 | Collettore aperto | 4 V~15 V | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 5 MHz | 7,5 n, 12 n | 1,4 V | 30mA | 4170Vrm | 1/0 | - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||||||||
| FODM1007R2V | 0,2263 | | 4361 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM1007 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 488-FODM1007R2VTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 5,7 µs, 8,5 µs | 70 V | 1,4 V | 50 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||||
 | FODM2701R2 | 0,7600 | | 9 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM2701 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 mA | 3μs, 3μs | 40 V | 1,4 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||||||
| NCV57540DWKR2G | 5.0600 | | 1012 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 14 conduttori | Accoppiamento capacitivo | VDE | 2 | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 6,5 A, 6,5 A | 6,5 A | 12ns, 10ns | - | 5000 Vrm | 100 kV/μs | 90ns, 90ns | 20ns | 32V | ||||||||||||||||||||||
 | FOD8320R2 | 6.4300 | | 5471 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,362", larghezza 9,20 mm), 5 conduttori | FOD8320 | Accoppiamento ottico | UL | 1 | 5-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 2A, 2A | 3A | 60ns, 60ns | 1,5 V | 25 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 400ns, 400ns | 100ns | 16 V~30 V | ||||||||||||||||||||
 | H11F1TVM | 5.4100 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11F | DC | 1 | MOSFET | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2832-H11F1TVM-488 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | - | - | 45μs, 45μs (massimo) | - | |||||||||||||||||||
| HCPL2601VM | 2.2700 | | 4427 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL2601 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 5,5 V | 8-PDIP | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 488-HCPL2601VM | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1,4 V | 30mA | 2500 Vrm | 1/0 | 5 kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||
 | HMHA2801AR3 | - | | 6410 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | HMHA28 | DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||||||
| HCPL0452R1 | - | | 9345 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HCPL04 | DC | 1 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450 n., 300 n | - | |||||||||||||||||||||
| CNY17F4S | - | | 6932 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 100 mA | 5300 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 2μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||||
 | MOC3062TVM | 1.1800 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC306 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | MOC3062TVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 600 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 10mA | - | ||||||||||||||||||||
| CNX38U300W | - | | 8048 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | CNX38 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CNX38U300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 80 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 70% a 10 mA | 210% a 10 mA | 20μs, 20μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| MOC213R2VM | - | | 3516 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOC213 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,15 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | FOD8173TR2 | 1.4543 | | 5568 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | FOD8173 | DC | 1 | Push-pull, totem | 3 V ~ 5,5 V | 6-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 10 mA | 20Mbps | 7ns, 7ns | 1,35 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 55ns, 55ns | ||||||||||||||||||||
 | FOD3182TSV | 3.2600 | | 1649 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | FOD3182 | Accoppiamento ottico | UL, VDE | 1 | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2,5 A, 2,5 A | 3A | 38ns, 24ns | 1,43 V | 25 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 210ns, 210ns | 65ns | 10 V~30 V | ||||||||||||||||||||
| MOC3072SM | 1.5100 | | 2229 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC307 | UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 800 V | 540 µA (sugger.) | NO | 1kV/μs | 10mA | - | |||||||||||||||||||||
| H11AA23S | - | | 1414 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11A | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11AA23S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,2 V | 100 mA | 5300 Vrm | 10% a 10 mA | - | - | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | HMAA2705 | - | | 8067 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMAA27 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 40 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV |
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