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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tipo di canale Corrente - Uscita di picco Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Potenza isolata Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora Grado Qualificazione
FOD617ASD onsemi FOD617ASD -
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 ECAD 1609 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD617 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA - 400mV
HCPL2530SV onsemi HCPL2530SV -
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 ECAD 8175 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL25 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
HCPL0501R2V onsemi HCPL0501R2V 3.1100
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 ECAD 6101 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL0501 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
FOD8332R2V onsemi FOD8332R2V 9.0800
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 ECAD 4466 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) FOD8332 Accoppiamento ottico IEC/EN/DIN, UL 1 16-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 750 2,5 A, 2,5 A 3A 50ns, 50ns 1,45 V 25 mA 4243Vrm 35 kV/μs 250ns, 250ns 100ns 3V~15V
CNY174TVM onsemi CNY174TVM 0,2253
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 ECAD 4295 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY174 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
NCIV9410R2 onsemi NCIV9410R2 6.2500
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 ECAD 6209 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) I²C, SPI Accoppiamento capacitivo 4 2,5 V ~ 5,5 V 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 750 10Mbps Bidirezionale 3ns, 2ns 5000 Vrm NO 3/1 100 kV/μs 200ns, 200ns 80ns
NCID9311 onsemi NCID9311 3.5616
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 ECAD 7124 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) I²C, SPI NCID9311 Accoppiamento capacitivo 2 2,5 V ~ 5,5 V 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NCID9311 EAR99 8542.39.0001 1.000 15Mbps Bidirezionale 2,7 n, 2 n 5000 Vrm SÌ 1/1 100 kV/μs 170ns, 170ns 60ns
MOC215R1VM onsemi MOC215R1VM -
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 ECAD 4954 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC215 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 3μs, 3μs 30 V 1,07 V 60 mA 2500 Vrm 20% a 1 mA - 4μs, 4μs 400mV
HMA124R1 onsemi HMA124R1 -
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 ECAD 4439 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA124 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 1 mA 1200% a 1 mA - 400mV
FODM1008R4V onsemi FODM1008R4V 0,7500
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM1008 DC 1 Transistor 4-SOP - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 5,7 µs, 8,5 µs 70 V 1,4 V 50 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 300mV
FOD8334R2 onsemi FOD8334R2 8.6500
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 ECAD 3362 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) FOD8334 Accoppiamento ottico UL 1 16-SO - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 750 3A, 3A 4A 50ns, 50ns 1,45 V 25 mA 4243Vrm 35 kV/μs 250ns, 250ns 100ns 3V~15V
MOC211R1VM onsemi MOC211R1VM -
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 ECAD 9436 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC211 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
FOD3181SD onsemi FOD3181SD -
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 ECAD 4284 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -20°C~85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD318 Accoppiamento ottico cUL, UL 1 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 500 mA, 500 mA 1,5 A 75ns, 55ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 10 kV/μs 500ns, 500ns - 10 V~20 V
FOD2742B onsemi FOD2742B 1.5900
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -25°C~85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD2742 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA - 70 V 1,2 V 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
FOD816S onsemi FOD816S -
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 ECAD 5219 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD816 CA, CC 1 Darlington 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
NCD57084DR2G onsemi NCD57084DR2G 2.8600
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 ECAD 3 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) NCD57084 Accoppiamento capacitivo VDE 1 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 2.500 7A, 7A 7A 10ns, 15ns - 2500 Vrm 100 kV/μs 90ns, 90ns 25ns 3,3 V~20 V Automobilistico AEC-Q100
FOD8802B onsemi FOD8802B 0,8659
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 ECAD 1914 0.00000000 onsemi OptoHit™ Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 30mA 6μs, 7μs 75 V 1,35 V 20 mA 2500 Vrm 130% a 1 mA 260% a 1 mA 6μs, 6μs 400mV
HCPL4502WV onsemi HCPL4502WV -
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 ECAD 8777 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) HCPL45 DC 1 Transistor con base 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
HMHA2801AV onsemi HMHA2801AV 0,2194
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 ECAD 7155 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA2801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 300mV
H11A3TM onsemi H11A3™ -
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 ECAD 9655 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
MOC3052FM onsemi MOC3052FM -
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 ECAD 5365 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC305 UR 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3052FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 7500Vpk 600 V 280 µA (sugger.) NO 1kV/μs 10mA -
FOD260LT onsemi FOD260LT -
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 ECAD 6068 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD260 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 3 V ~ 5,5 V 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 22ns, 3ns 1,4 V 50mA 5000 Vrm 1/0 25 kV/μs 90ns, 75ns
FOD8523S onsemi FOD8523S 1.2200
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 ECAD 18 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD852 DC 1 Darlington 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 150mA 100 µs, 20 µs 300 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 1000% a 1 mA 15000% a 1 mA - 1,2 V
FODM3012R1_NF098 onsemi FODM3012R1_NF098 -
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 ECAD 9752 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 cUR, UR 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 250 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 5mA -
H11B1SM onsemi H11B1SM 0,9800
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 ECAD 160 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11B1 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 500% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
MOC3073SR2M onsemi MOC3073SR2M 1.7700
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 ECAD 3042 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC307 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 4170Vrm 800 V 540 µA (sugger.) NO 1kV/μs 6mA -
FOD4108SD onsemi FOD4108SD 3.8700
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 ECAD 3 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4108 CSA, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA SÌ 10 kV/μs 2mA 60 µs
HMA121DR4 onsemi HMA121DR4 -
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 ECAD 8807 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 100% a 5 mA - 400mV
HMA121BR4V onsemi HMA121BR4V -
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 ECAD 1815 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 400mV
H11L1M_F132 onsemi H11L1M_F132 -
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 ECAD 2985 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11L DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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