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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
4N28300 onsemi 4N28300 -
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ECAD 3244 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N28 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N28300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
MOC256VM onsemi MOC256VM -
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ECAD 2514 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC256 CA, CC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA - 30 V 1,2 V 60 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - - 400mV
CNY17F4M onsemi CNY17F4M 0,6900
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY17F DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
CNY17F1300 onsemi CNY17F1300 -
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ECAD 7029 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY17F1300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
FODM121CR2V onsemi FODM121CR2V 0,7800
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 400mV
MOC80803SD onsemi MOC80803SD -
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ECAD 1892 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC808 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC80803SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 55 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - 3,5 µs, 25 µs 1 V
MOCD207VM onsemi MOCD207VM 0,5552
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ECAD 2080 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD207 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 70 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
FODM8801A onsemi FODM8801A 1.6900
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ECAD 6894 0.00000000 onsemi OptoHit™ Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM8801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato FODM8801AFS EAR99 8541.49.8000 150 30mA 5μs, 5,5μs 75 V 1,35 V 20 mA 3750 Vrm 80% a 1 mA 160% a 1 mA 6μs, 6μs 400mV
FOD8001R2 onsemi FOD8001R2 6.6300
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ECAD 9 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD8001 Logica 1 Push-pull, totem 3 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 10 mA 25Mbps 6,5 n., 6,5 n - - 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 40ns, 40ns
FOD2742AR1V onsemi FOD2742AR1V -
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ECAD 4224 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -25°C~85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD274 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 70 V 1,2 V 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
MOC212R1VM onsemi MOC212R1VM -
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ECAD 4983 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC212 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 50% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
4N40 onsemi 4N40 -
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ECAD 4430 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N40 UR 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,1 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300mA 1mA NO 500 V/μs 14mA 50 µs (massimo)
FOD617CSD onsemi FOD617CSD -
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ECAD 9188 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD617 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
H11A4TVM onsemi H11A4TVM -
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ECAD 3532 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A4TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
FOD817BS onsemi FOD817BS 0,5800
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ECAD 28 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 2166-FOD817BS-488 EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 200mV
MOC3042FR2M onsemi MOC3042FR2M -
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ECAD 2936 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC304 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3042FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 400 V 400μA (suggerimento) - 10mA -
H11A817C300W onsemi H11A817C300W -
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ECAD 5268 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A817C300W-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
FODM3022R2V onsemi FODM3022R2V -
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ECAD 9965 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 10mA -
4N36SD onsemi 4N36SD -
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ECAD 4324 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N36 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N36SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
FOD817B3SD onsemi FOD817B3SD 0,5300
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ECAD 220 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 200mV
H24B1 onsemi H24B1 -
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ECAD 8124 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) H24B DC 1 Darlington 4-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 - - 30 V - 60 mA 5300 Vrm 1000% a 5 mA - - 1 V
FOD053LR2 onsemi FOD053LR2 6.4100
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD053 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 8 mA - 7V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 15% a 16 mA 50% a 16 mA 1μs, 1μs (massimo) -
MOC3043SM onsemi MOC3043SM 1.0700
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ECAD 37 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC304 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3043SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,25 V 60 mA 4170Vrm 400 V 400μA (suggerimento) 1kV/μs 5mA -
FOD2743CSD onsemi FOD2743CSD -
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ECAD 5646 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD274 DC 1 Transistor 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 70 V 1,07 V 5000 Vrm 50% a 1 mA 100% a 1 mA - 400mV
FOD0720 onsemi FOD0720 3.8000
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD072 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 10 mA 25Mbps 5ns, 4,5ns - - 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 40ns, 40ns
MOC3022.300 onsemi MOC3022.300 -
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ECAD 8646 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC302 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5300 Vrm 400 V 100μA NO 10mA
TIL113300W onsemi TIL113300W -
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ECAD 5880 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) TIL113 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato TIL113300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 300% a 10 mA - 350ns, 55μs 1,25 V
HMHA281R4 onsemi HMHA281R4 -
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ECAD 1413 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
CNX48UW onsemi CNX48UW -
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ECAD 4105 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNX48 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX48UW-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 350% a 500μA - 3,5 µs, 36 µs 1 V
H11C6 onsemi H11C6 -
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ECAD 8544 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11C UR 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300mA - NO 500 V/μs 30mA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock