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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
FODM3053R2-NF098 onsemi FODM3053R2-NF098 1.9000
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ECAD 34 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 cUR, UR 1 Triac 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 5mA -
FODM121F onsemi FODM121F -
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ECAD 1832 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
MOC8106M onsemi MOC8106M 0,7600
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ECAD 15 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC8106 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,15 V 60 mA 4170Vrm 50% a 10 mA 150% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
FOD819SD onsemi FOD819SD 0,9900
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD819 CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 30mA 12μs, 20μs 80 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 100% a 1,5 mA 600% a 1,5 mA 18μs, 18μs 300mV
H11A617CSD onsemi H11A617CSD -
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ECAD 8265 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,35 V 50 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
HCPL2630SDVM onsemi HCPL2630SDVM 0,9596
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ECAD 4553 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2630 DC 2 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 30mA 2500 Vrm 2/0 10 kV/μs (tip.) 75ns, 75ns
HMAA2705R3 onsemi HMAA2705R3 -
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ECAD 8053 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMAA27 CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
FOD4116S onsemi FOD4116S 5.4400
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4116 CSA, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 600 V 500μA 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
FOD8342ATR2V onsemi FOD8342ATR2V 1.1150
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ECAD 8064 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) Accoppiamento ottico UL, VDE 1 6-SOP - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-FOD8342ATR2VTR EAR99 8541.49.8000 1.000 2,5 A, 2,5 A 3A 38ns, 24ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 210ns, 210ns 65ns 10 V~30 V
FODM121R1 onsemi FODM121R1 -
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ECAD 3860 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
CNY174VM onsemi CNY174VM 0,2112
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ECAD 6981 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY174 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
TIL113M onsemi TIL113M 0,7700
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ECAD 4 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TIL113 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 2156-TIL113M-488 EAR99 8541.49.8000 50 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 300% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1,25 V
HCPL3700SV onsemi HCPL3700SV -
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ECAD 8076 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL3700 CA, CC 1 Darlington 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 30mA 45 µs, 0,5 µs 20 V - 2500 Vrm - - 6μs, 25μs -
FODM8071 onsemi FODM8071 3.6400
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ECAD 2093 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori FODM80 DC 1 Push-pull, totem 3 V ~ 5,5 V 5-Mini-Appartamento scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 10 mA 20Mbps 5,8 n., 5,3 n 1,35 V 20 mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 55ns, 55ns
H11F3VM onsemi H11F3VM 4.3100
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ECAD 1801 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11F DC 1 MOSFET 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 15 V 1,3 V 60 mA 4170Vrm - - 45μs, 45μs (massimo) -
FOD3120SD onsemi FOD3120SD 2.6800
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ECAD 8554 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD3120 Accoppiamento ottico UL 1 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2A, 2A 3A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 400ns, 400ns 100ns 15 V~30 V
FOD3180S onsemi FOD3180S 3.1600
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD3180 Accoppiamento ottico cUL, UL 1 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 2A, 2A 2,5 A 75ns, 55ns 1,43 V 25 mA 5000 Vrm 15 kV/μs 200ns, 200ns 65ns 10 V~20 V
FODM352R2 onsemi FODM352R2 1.2500
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ECAD 2 0.00000000 onsemi FODM352 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM352 DC 1 Darlington 4-MFP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 20 µs, 100 µs 300 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 1000% a 1 mA - - 1,2 V
HCPL0700R1V onsemi HCPL0700R1V -
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ECAD 9041 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL07 DC 1 Darlington con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 7V 1,25 V 20 mA 2500 Vrm 300% a 1,6 mA 2600% a 1,6 mA 1μs, 7μs -
FOD3182SD onsemi FOD3182SD 3.2100
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD3182 Accoppiamento ottico UL 1 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2,5 A, 2,5 A 3A 38ns, 24ns 1,43 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 210ns, 210ns 65ns 10 V~30 V
FOD3182SV onsemi FOD3182SV 3.2600
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ECAD 863 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD3182 Accoppiamento ottico UL, VDE 1 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2,5 A, 2,5 A 3A 38ns, 24ns 1,43 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 210ns, 210ns 65ns 10 V~30 V
FODM1008 onsemi FODM1008 0,6300
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ECAD 908 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM10 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 5,7 µs, 8,5 µs 70 V 1,4 V 50 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 300mV
4N37M_F132 onsemi 4N37M_F132 -
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ECAD 2338 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N37 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
FOD816 onsemi FOD816 -
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ECAD 2828 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD816 CA, CC 1 Darlington 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
HMHA2801R3V onsemi HMHA2801R3V -
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ECAD 3218 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 600% a 5 mA - 300mV
FODM121DR1 onsemi FODM121DR1 -
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ECAD 8015 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
H11A2SR2VM onsemi H11A2SR2VM -
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ECAD 2767 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
HCPL2611M onsemi HCPL2611M 2.3400
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ECAD 190 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL2611 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,45 V 50mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs 75ns, 75ns
FOD819S onsemi FOD819S 1.1000
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD819 CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 30mA 12μs, 20μs 80 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 100% a 1,5 mA 600% a 1,5 mA 18μs, 18μs 300mV
HCPL3700SDV onsemi HCPL3700SDV -
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ECAD 4423 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL3700 CA, CC 1 Darlington 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 30mA 45 µs, 0,5 µs 20 V - 2500 Vrm - - 6μs, 25μs -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock