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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
HMA2701AR2 onsemi HMA2701AR2 -
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 ECAD 2035 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA270 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 150% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
NCD57080ADR2G onsemi NCD57080ADR2G 2.3800
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 ECAD 4650 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C (TA) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) NCD57080 Accoppiamento capacitivo - 1 8-SOIC - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 8A, 8A 8A 13ns, 13ns - 3750 Vrm 100 kV/μs 85ns, 85ns - 0 V~32 V
NCV57530DWKR2G onsemi NCV57530DWKR2G 4.8200
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 ECAD 4530 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 14 conduttori Accoppiamento capacitivo VDE 2 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 6,5 A, 6,5 A 6,5 A 12ns, 10ns - 5000 Vrm 100 kV/μs 90ns, 90ns 20ns 32V
FODM121CV onsemi FODM121CV -
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 ECAD 4278 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 400mV
NCV51561BBDWR2G onsemi NCV51561BBDWR2G 5.0600
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 ECAD 4842 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) Accoppiamento magnetico CQC, UL, VDE 2 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 2,6 A, 7 A 4,5 A, 9 A 11ns, 10ns - 5000 Vrm 200V/ns 58ns, 58ns 5ns 9,5 V ~ 30 V
FOD8342R2 onsemi FOD8342R2 3.1300
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) FOD8342 Accoppiamento ottico UR 1 6-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2,5 A, 2,5 A 3A 38ns, 24ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 210ns, 210ns 65ns 10 V~30 V
FOD8314R2 onsemi FOD8314R2 1.7200
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 ECAD 992 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) FOD8314 Accoppiamento ottico UL 1 6-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1A, 1A 1,5 A 60ns, 40ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 500ns, 500ns 300ns 16 V~30 V
FODM217AR2 onsemi FODM217AR2 0,7900
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 ECAD 4 0.00000000 onsemi FODM217 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM217 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
MCT5201SM onsemi MCT5201SM -
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 ECAD 4197 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT5 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 2,5 µs, 16 µs 30 V 1,25 V 50 mA 7500Vpk 120% a 5 mA - - 400mV
4N30M onsemi 4N30M 0,7600
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 ECAD 567 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N30 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - 5 µs, 40 µs (massimo) 1 V
HMHA2801BR3 onsemi HMHA2801BR3 -
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 ECAD 2968 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 300mV
FODM121GR4 onsemi FODM121GR4 0,9300
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 ECAD 6392 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM121 DC 1 Transistor 4-SMD - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
FOD814S onsemi FOD814S 0,6700
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 ECAD 2710 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C ~ 105°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD814 CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-FOD814S-OS EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 20% a 1 mA 300% a 1 mA - 200mV
FODM121BR2 onsemi FODM121BR2 0,5500
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 400mV
H11AA1TM onsemi H11AA1TM -
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 ECAD 4438 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,17 V 60 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - - 400mV
MOC8021SM onsemi MOC8021SM 1.1800
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 ECAD 6632 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC8021 DC 1 Darlington 6-SMD - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8021SMOS EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 50 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 1000% a 10 mA - 8,5 µs, 95 µs -
FOD814AW onsemi FOD814AW -
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 ECAD 5838 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C ~ 105°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD814 CA, CC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 1 mA 150% a 1 mA - 200mV
FODM8801BV onsemi FODM8801BV 1.6700
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 ECAD 3 0.00000000 onsemi OptoHit™ Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM8801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 2832-FODM8801BV-488 EAR99 8541.49.8000 150 30mA 5μs, 5,5μs 75 V 1,35 V 20 mA 3750 Vrm 130% a 1 mA 260% a 1 mA 6μs, 6μs 400mV
4N30SM onsemi 4N30SM 1.4000
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 ECAD 992 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N30 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - 5 µs, 40 µs (massimo) 1 V
H11N3FR2M onsemi H11N3FR2M -
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 ECAD 2186 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
HMHA2801R4V onsemi HMHA2801R4V -
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 ECAD 1913 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 600% a 5 mA - 300mV
FOD3125SD onsemi FOD3125SD 4.1100
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 ECAD 996 0.00000000 onsemi OPTOPLANAR® Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD3125 Accoppiamento ottico UL 1 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2A, 2A 3A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 400ns, 400ns 100ns 15 V~30 V
6N138SDM onsemi 6N138SDM 1.8500
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 ECAD 496 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N138 DC 1 Darlington con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 7V 1,3 V 20 mA 5000 Vrm 300% a 1,6 mA - 1μs, 7,3μs -
H11A2VM onsemi H11A2VM -
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 ECAD 8384 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
HMA121AR4 onsemi HMA121AR4 -
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 ECAD 9281 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 400mV
HCPL2531M onsemi HCPL2531M 2.4200
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 ECAD 6649 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL2531 DC 2 Transistor 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 250ns, 260ns -
FOD3184S onsemi FOD3184S 2.9400
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 ECAD 6637 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD3184 Accoppiamento ottico UL 1 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 2,5 A, 2,5 A 3A 38ns, 24ns 1,43 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 210ns, 210ns 65ns 15 V~30 V
FOD4108S onsemi FOD4108S 3.7600
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 ECAD 9123 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4108 CSA, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA SÌ 10 kV/μs 2mA 60 µs
FOD8314TR2V onsemi FOD8314TR2V 1.3649
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 ECAD 6775 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) FOD8314 Accoppiamento ottico IEC/EN/DIN, UL 1 6-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1A, 1A 1,5 A 60ns, 40ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 500ns, 500ns 300ns 16 V~30 V
HCPL2530M onsemi HCPL2530M 2.4100
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 ECAD 964 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL2530 DC 2 Transistor 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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