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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
6N137SM onsemi 6N137SM 1.4100
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 ECAD 206 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N137 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10Mbps 30ns, 10ns 1,45 V 50mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs (tip.) 75ns, 75ns
HCPL0637 onsemi HCPL0637 4.2300
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 ECAD 5731 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL06 DC 2 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 15 mA 10Mbps 17ns, 5ns 1,75 V (massimo) - 3750 Vrm 2/0 5 kV/μs 75ns, 75ns
MOC217R2M_F132 onsemi MOC217R2M_F132 -
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 ECAD 3086 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC217 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,07 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
FOD8332V onsemi FOD8332V 9.0800
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 ECAD 7430 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) FOD8332 Accoppiamento ottico IEC/EN/DIN, UL 1 16-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 50 2,5 A, 2,5 A 3A 50ns, 50ns 1,45 V 25 mA 4243Vrm 35 kV/μs 250ns, 250ns 100ns 3V~15V
FOD410SDV onsemi FOD410SDV 4.1400
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD410 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 600 V 500μA SÌ 10 kV/μs 2mA 60 µs
MOC3072M onsemi MOC3072M 1.5500
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 ECAD 598 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC307 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 4170Vrm 800 V 540 µA (sugger.) NO 1kV/μs 10mA -
NCV57255DR2G onsemi NCV57255DR2G 2.4672
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 ECAD 5526 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) Accoppiamento capacitivo VDE 2 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NCV57255DR2GTR EAR99 8542.39.0001 2.500 3,5 A, 3,5 A 3,5 A, 6,5 A 12ns, 10ns - 2500 Vrm 100 kV/μs 80ns, 80ns 20ns 32V
FOD617DS onsemi FOD617DS -
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 ECAD 1534 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD617 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA - 400mV
MOC217R2VM onsemi MOC217R2VM 0,8100
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC217 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,07 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
FOD3181 onsemi FOD3181 -
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 ECAD 4819 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -20°C~85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD318 Accoppiamento ottico cUL, UL 1 8-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 500 mA, 500 mA 1,5 A 75ns, 55ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 10 kV/μs 500ns, 500ns - 10 V~20 V
FOD3184SDV onsemi FOD3184SDV 3.1700
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 ECAD 1139 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD3184 Accoppiamento ottico IEC/EN/DIN, UL 1 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2,5 A, 2,5 A 3A 38ns, 24ns 1,43 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 210ns, 210ns 65ns 15 V~30 V
FOD817300W onsemi FOD817300W 0,6400
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD817 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 2166-FOD817300W-488 EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
FOD8383R2V onsemi FOD8383R2V 6.6800
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 ECAD 1341 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,362", larghezza 9,20 mm), 5 conduttori FOD8383 Accoppiamento ottico IEC/EN/DIN, UL 1 5-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2,5 A, 2,5 A 3A 35ns, 25ns 1,43 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 210ns, 210ns 65ns 15 V~30 V
FOD8482 onsemi FOD8482 2.4700
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 ECAD 9 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) FOD8482 Accoppiamento ottico - 1 6-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 - - 15ns, 10ns 1,4 V 20 mA 5000 Vrm 20kV/μs 300ns, 300ns 250ns 4,5 V ~ 30 V
FOD3120TSV onsemi FOD3120TSV 0,8376
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 ECAD 3178 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD3120 Accoppiamento ottico CEI, UL 1 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2A, 2A 3A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 400ns, 400ns 100ns 15 V~30 V
H11N2VM onsemi H11N2VM -
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 ECAD 9489 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11N DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
HMA121BR3 onsemi HMA121BR3 -
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 ECAD 6723 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 400mV
CNY17F1SR2VM onsemi CNY17F1SR2VM 0,7300
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17F1 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MOCD223VM onsemi MOCD223VM 2.0200
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD223 DC 2 Darlington 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 150mA 8μs, 110μs 30 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 500% a 1 mA - 10μs, 125μs 1 V
FOD3180ASD onsemi FOD3180ASD -
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 ECAD 4425 0.00000000 onsemi * Massa Obsoleto FOD318 - Non applicabile REACH Inalterato OBSOLETO 0000.00.0000 1
FOD3150SDV onsemi FOD3150SDV 0,9090
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 ECAD 1170 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD3150 Accoppiamento ottico CEI, UL 1 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1A, 1A 1,5 A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 500ns, 500ns 300ns 15 V~30 V
H11G3TM onsemi H11G3TM -
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 ECAD 8821 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11G DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 55 V 1,3 V 60 mA 7500Vpk 200% a 1 mA - 5 µs, 100 µs 1,2 V
H11N3FM onsemi H11N3FM -
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 ECAD 1783 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
HMHAA280V onsemi HMHAA280V 0,2363
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 ECAD 4374 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHAA280 CA, CC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,4 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
HMA121FR3 onsemi HMA121FR3 -
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 ECAD 7086 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
MOC8021M onsemi MOC8021M 0,8300
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 ECAD 4995 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC8021 DC 1 Darlington 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 150mA - 50 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 1000% a 10 mA - 8,5 µs, 95 µs -
HCPL2630M onsemi HCPL2630M 3.2400
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 ECAD 874 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL2630 DC 2 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 30ns, 10ns 1,45 V 30mA 5000 Vrm 2/0 10 kV/μs (tip.) 75ns, 75ns
FOD817W onsemi FOD817W -
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 ECAD 8103 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD817 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
6N139SM onsemi 6N139SM 1.7700
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N139 DC 1 Darlington con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 60mA - 18 V 1,3 V 20 mA 5000 Vrm 500% a 1,6 mA - 240ns, 1,3μs -
6N139SDVM onsemi 6N139SDVM 0,7092
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 ECAD 7342 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N139 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 18 V 1,3 V 20 mA 5000 Vrm 500% a 1,6 mA - 240ns, 1,3μs -
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    30.000.000

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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