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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
4N25SM onsemi 4N25SM 0,7800
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 ECAD 3802 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N25 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
MOC3071M onsemi MOC3071M 1.0300
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC307 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,18 V 60 mA 4170Vrm 800 V 540 µA (sugger.) NO 1kV/μs 15 mA -
TIL113300 onsemi TIL113300 -
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 ECAD 1073 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TIL113 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato TIL113300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 300% a 10 mA - 350ns, 55μs 1,25 V
HCPL2531SD onsemi HCPL2531SD 2.1400
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 ECAD 7085 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2531 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
MOC3163SR2M onsemi MOC3163SR2M 2.0200
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 ECAD 478 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC316 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,3 V 60 mA 4170Vrm 600 V 500μA (suggerimento) SÌ 1kV/μs 5mA -
MCT2ES onsemi MCT2ES -
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 ECAD 9516 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2ES-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 1,1 µs, 50 µs 400mV
HMA2701BV onsemi HMA2701BV -
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 ECAD 7274 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA270 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 300mV
H11AA814A300 onsemi H11AA814A300 -
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 ECAD 3673 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A CA, CC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA814A300-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 50% a 1 mA 150% a 1 mA - 200mV
TIL117TM onsemi TIL117TM -
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 ECAD 4701 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) TIL117 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato TIL117TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 2μs, 2μs 30 V 1,2 V 60 mA 7500Vpk 50% a 10 mA - 10μs, 10μs (massimo) 400mV
H11AA23S onsemi H11AA23S -
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 ECAD 1414 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA23S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 10% a 10 mA - - 400mV
FODM3012R2 onsemi FODM3012R2 -
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 ECAD 8383 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 250 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 5mA -
H11A817CW onsemi H11A817CW -
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 ECAD 6042 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A817CW-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
CNY17F2W onsemi CNY17F2W -
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 ECAD 6003 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY17F2W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
HMHA2801V onsemi HMHA2801V 0,7000
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 ECAD 4419 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA2801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 600% a 5 mA - 300mV
H11AG1300 onsemi H11AG1300 -
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 ECAD 1412 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AG1300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 100% a 1 mA - 5μs, 5μs 400mV
FOD4108SDV onsemi FOD4108SDV 4.1800
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4108 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA SÌ 10 kV/μs 2mA 60 µs
FOD8321V onsemi FOD8321V 2.8603
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 ECAD 8526 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,346", larghezza 8,80 mm), 5 conduttori FOD8321 Accoppiamento ottico IEC/EN/DIN, UL 1 5-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 2A, 2A 3A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 500ns, 500ns 300ns 16 V~30 V
MOC3033VM onsemi MOC3033VM -
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 ECAD 2802 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC303 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3033VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 60 mA 4170Vrm 250 V 400μA (suggerimento) SÌ 1kV/μs 5mA -
H11A817300 onsemi H11A817300 -
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 ECAD 9786 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A817300-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
MOC3023M onsemi MOC3023M 0,8000
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC302 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 5mA -
MOC80503S onsemi MOC80503S -
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 ECAD 6664 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC805 DC 1 Darlington 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC80503S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 80 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 500% a 10 mA - 3,5 µs, 95 µs -
FODM3021R2 onsemi FODM3021R2 -
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 ECAD 9184 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 15 mA -
H11A23SD onsemi H11A23SD -
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 ECAD 5086 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A23SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
FOD617B onsemi FOD617B -
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 ECAD 2660 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD617 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA - 400mV
HCPL2611S onsemi HCPL2611S -
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 ECAD 5278 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2611 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 50mA 2500 Vrm 1/0 10 kV/μs 75ns, 75ns
MOC80303S onsemi MOC80303S -
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 ECAD 8209 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC803 DC 1 Darlington 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC80303S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 80 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 300% a 10 mA - 3,5 µs, 95 µs -
FOD2742C onsemi FOD2742C -
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 ECAD 8316 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -25°C~85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD274 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA - 70 V 1,2 V 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
4N323S onsemi 4N323S -
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 ECAD 4299 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N32 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N323S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 5300 Vrm 500% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1 V
FOD4216SV onsemi FOD4216SV 4.4000
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4216 cUL, FIMKO, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,28 V 30 mA 5000 Vrm 600 V 500μA NO 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
H11L2TM onsemi H11L2TM -
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 ECAD 4798 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11L DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11L2TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

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    Produttori mondiali

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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