SIC
close

Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
H11A817S onsemi H11A817S -
Richiesta di offerta
 ECAD 5690 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A817S-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
HMA121R1V onsemi HMA121R1V -
Richiesta di offerta
 ECAD 6281 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
TIL117TM onsemi TIL117TM -
Richiesta di offerta
 ECAD 4701 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) TIL117 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato TIL117TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 2μs, 2μs 30 V 1,2 V 60 mA 7500Vpk 50% a 10 mA - 10μs, 10μs (massimo) 400mV
H11A817CW onsemi H11A817CW -
Richiesta di offerta
 ECAD 6042 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A817CW-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
MOC3023M onsemi MOC3023M 0,8000
Richiesta di offerta
 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC302 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 5mA -
HMA121CR3 onsemi HMA121CR3 -
Richiesta di offerta
 ECAD 7178 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 400mV
HMHA2801AR1 onsemi HMHA2801AR1 -
Richiesta di offerta
 ECAD 6848 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 300mV
MOC8080S onsemi MOC8080S -
Richiesta di offerta
 ECAD 8744 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC808 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8080S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 55 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - 3,5 µs, 25 µs 1 V
CNY17F3W onsemi CNY17F3W -
Richiesta di offerta
 ECAD 3785 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY17F3W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
4N25SM onsemi 4N25SM 0,7800
Richiesta di offerta
 ECAD 3802 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N25 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
H11B3300 onsemi H11B3300 -
Richiesta di offerta
 ECAD 6886 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11B DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11B3300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 25 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
HMA121CR1 onsemi HMA121CR1 -
Richiesta di offerta
 ECAD 6152 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 400mV
TIL113300 onsemi TIL113300 -
Richiesta di offerta
 ECAD 1073 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TIL113 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato TIL113300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 300% a 10 mA - 350ns, 55μs 1,25 V
MCT2ES onsemi MCT2ES -
Richiesta di offerta
 ECAD 9516 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2ES-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 1,1 µs, 50 µs 400mV
HMA2701BV onsemi HMA2701BV -
Richiesta di offerta
 ECAD 7274 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA270 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 300mV
H11A2M onsemi H11A2M -
Richiesta di offerta
 ECAD 8594 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A2MFS EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
6N136SDVM onsemi 6N136SDVM 1.8400
Richiesta di offerta
 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N136 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 250ns, 260ns -
MOC3082FR2M onsemi MOC3082FR2M -
Richiesta di offerta
 ECAD 7283 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC308 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3082FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 800 V 500μA (suggerimento) SÌ - 10mA -
TIL113SM onsemi TIL113SM 0,9200
Richiesta di offerta
 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano TIL113 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 300% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1,25 V
SL5500300W onsemi SL5500300W -
Richiesta di offerta
 ECAD 5858 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) SL55 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato SL5500300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,23 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 300% a 10 mA 20 µs, 50 µs (massimo) 400mV
4N273S onsemi 4N273S -
Richiesta di offerta
 ECAD 9765 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N27 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N273S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
MOC3012SR2M onsemi MOC3012SR2M 0,9800
Richiesta di offerta
 ECAD 484 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC301 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 250 V 100μA (suggerimento) NO - 5mA -
FODM3022R3V onsemi FODM3022R3V -
Richiesta di offerta
 ECAD 5518 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 10mA -
H11N23SD onsemi H11N23SD -
Richiesta di offerta
 ECAD 7964 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N DC 1 Collettore aperto - 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz - 1,4 V 5mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
H11A13S onsemi H11A13S -
Richiesta di offerta
 ECAD 9597 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A13S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
H11C13S onsemi H11C13S -
Richiesta di offerta
 ECAD 9577 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11C UR, VDE 1 SCR 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11C13S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 200 V 300mA - NO 500 V/μs 20 mA -
CNY17F2W onsemi CNY17F2W -
Richiesta di offerta
 ECAD 6003 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY17F2W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
4N37FR2M onsemi 4N37FR2M -
Richiesta di offerta
 ECAD 8753 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N37 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N37FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
FODM3022R3 onsemi FODM3022R3 -
Richiesta di offerta
 ECAD 6505 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 10mA -
HCPL2630V onsemi HCPL2630V -
Richiesta di offerta
 ECAD 9037 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL2630 DC 2 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 30mA 2500 Vrm 2/0 10 kV/μs (tip.) 75ns, 75ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

Elenco RFQ (0 articoli)
Elenco carrello (0 articoli)
WishlistLista dei desideri (0 articoli)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

Quantità: 1

Confronta elenco (0 articoli)
Premi Invio per cercare o ESC per chiudere