SIC
close
Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
MID400W onsemi METÀ400W -
Richiesta di offerta
ECAD 9620 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) Monitoraggio della linea CA METÀ400 CA, CC UR 1 7V 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MID400W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 20 mA - 1,5 V 30 mA 2500 Vrm - 1 ms, 1 ms (tipico)
H11AG1300 onsemi H11AG1300 -
Richiesta di offerta
ECAD 1412 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AG1300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 100% a 1 mA - 5μs, 5μs 400mV
FOD4108SDV onsemi FOD4108SDV 4.1800
Richiesta di offerta
ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4108 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA 10 kV/μs 2mA 60 µs
FOD2711AS onsemi FOD2711AS 1.7600
Richiesta di offerta
ECAD 15 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD2711 DC 1 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
H11A4SD onsemi H11A4SD -
Richiesta di offerta
ECAD 9025 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A4SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
MOC217M onsemi MOC217M 0,8700
Richiesta di offerta
ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC217 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,07 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
CNW11AV2300 onsemi CNW11AV2300 -
Richiesta di offerta
ECAD 4308 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNW11 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 70 V - 100 mA 4000 Vrm 50% a 10 mA - - 400mV
6N137TSR2VM onsemi 6N137TSR2VM 2.3500
Richiesta di offerta
ECAD 8 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N137 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 700 50 mA 10Mbps 30ns, 10ns 1,45 V 50mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs (tip.) 75ns, 75ns
MOC3033FR2M onsemi MOC3033FR2M -
Richiesta di offerta
ECAD 3625 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC303 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3033FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 250 V 400μA (suggerimento) - 5mA -
MOC81113SD onsemi MOC81113SD -
Richiesta di offerta
ECAD 6116 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC811 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC81113SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 2μs, 11μs 70 V 1,15 V 90 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 3μs, 18μs 400mV
4N25S onsemi 4N25S -
Richiesta di offerta
ECAD 3410 0.00000000 onsemi - Borsa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N25 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
H11G13SD onsemi H11G13SD -
Richiesta di offerta
ECAD 2482 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11G DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11G13SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 100 V 1,3 V 60 mA 5300 Vrm 1000% a 10 mA - 5 µs, 100 µs 1 V
H11B13S onsemi H11B13S -
Richiesta di offerta
ECAD 7667 0.00000000 onsemi - Borsa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11B DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11B13S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 25 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 500% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
H11D43S onsemi H11D43S -
Richiesta di offerta
ECAD 1152 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11D DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11D43S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 200 V 1,15 V 80 mA 5300 Vrm 10% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
4N36300W onsemi 4N36300W -
Richiesta di offerta
ECAD 1422 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N36 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N36300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
MOC8080S onsemi MOC8080S -
Richiesta di offerta
ECAD 8744 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC808 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8080S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 55 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - 3,5 µs, 25 µs 1 V
74OL60113S onsemi 74OL60113S -
Richiesta di offerta
ECAD 2006 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 74OL601 Logica 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V~15 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 50ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 180ns, 120ns
H11L3SR2VM onsemi H11L3SR2VM 1.3400
Richiesta di offerta
ECAD 9771 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11L3 DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
MOC81063S onsemi MOC81063S -
Richiesta di offerta
ECAD 2412 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC81063S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA 150% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
HCPL2531SDVM onsemi HCPL2531SDVM 2.4400
Richiesta di offerta
ECAD 4320 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2531 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 250ns, 260ns -
CNY174SVM onsemi CNY174SVM 0,3156
Richiesta di offerta
ECAD 5968 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY174 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MOC3062SM onsemi MOC3062SM 1.5600
Richiesta di offerta
ECAD 8718 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC306 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3062SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,3 V 60 mA 4170Vrm 600 V 500μA (suggerimento) 600 V/μs 10mA -
MOC3052VM_F132 onsemi MOC3052VM_F132 -
Richiesta di offerta
ECAD 1572 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC305 UR, VDE 1 Triac 6-DIP - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 4170Vrm 600 V 220μA (suggerimento) NO 1kV/μs 10mA -
MCT22013S onsemi MCT22013S -
Richiesta di offerta
ECAD 8249 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT22013S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
MOC3011VM onsemi MOC3011VM -
Richiesta di offerta
ECAD 2178 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3011VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 250 V 100μA (suggerimento) NO - 10mA -
FOD4108 onsemi FOD4108 3.9300
Richiesta di offerta
ECAD 3 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD410 CSA, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500 µA 10 kV/μs 2mA 60 µs
H11AA43S onsemi H11AA43S -
Richiesta di offerta
ECAD 2052 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA43S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - - 400mV
MCT6S onsemi MCT6S 1.0000
Richiesta di offerta
ECAD 72 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano MCT6 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT6S-NDR EAR99 8541.49.8000 50 30mA - 30 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 20% a 10 mA - 2,4 µs, 2,4 µs 400mV
HCPL2530SDM onsemi HCPL2530SDM 1.1179
Richiesta di offerta
ECAD 3673 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2530 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
4N31W onsemi 4N31W -
Richiesta di offerta
ECAD 1048 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N31 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N31W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - 5 µs, 40 µs (massimo) 1,2 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock