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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
SL5583300W onsemi SL5583300W -
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ECAD 7129 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) SL5583 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato SL5583300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 50 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 320% a 10 mA 20 µs, 50 µs (massimo) 400mV
SL5501300W onsemi SL5501300W -
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ECAD 3673 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) SL5501 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato SL5501300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,23 V 100 mA 5300 Vrm 25% a 10 mA 400% a 10 mA 20 µs, 50 µs (massimo) 400mV
MOC3041M onsemi MOC3041M 1.0700
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ECAD 3 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC304 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,25 V 60 mA 4170Vrm 400 V 400μA (suggerimento) 1kV/μs 15 mA -
CNY171SR2M onsemi CNY171SR2M 0,7900
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ECAD 1588 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY171 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
H11D23S onsemi H11D23S -
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ECAD 4892 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11D DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11D23S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 300 V 1,15 V 80 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
4N32SM onsemi 4N32SM 0,9800
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N32 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 500% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1 V
MOC216R2VM onsemi MOC216R2VM 0,2817
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ECAD 4280 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC216 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,07 V 60 mA 2500 Vrm 50% a 1 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
TIL111300 onsemi TIL111300 -
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ECAD 9628 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TIL111 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato TIL111300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 2mA 10μs, 10μs (massimo) 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm - - - 400mV
MOC3012TVM onsemi MOC3012TVM 1.1900
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ECAD 6521 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 250 V 100μA (suggerimento) NO - 5mA -
MOC3082FVM onsemi MOC3082FVM -
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ECAD 6719 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC308 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3082FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 800 V 500μA (suggerimento) - 10mA -
FOD816300 onsemi FOD816300 -
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ECAD 1835 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD816 CA, CC 1 Darlington 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 80 mA 60 µs, 53 µs 1,2 V 50mA 5000 Vrm
H11B1VM onsemi H11B1VM 1.0800
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11B1 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 500% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
HCPL2630V onsemi HCPL2630V -
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ECAD 9037 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL2630 DC 2 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 30mA 2500 Vrm 2/0 10 kV/μs (tip.) 75ns, 75ns
MOC3051FM onsemi MOC3051FM -
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ECAD 4944 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC305 UR 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3051FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 7500Vpk 600 V 280 µA (sugger.) NO 1kV/μs 15 mA -
H11AA1300 onsemi H11AA1300 -
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ECAD 8463 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - - 400mV
H11L1VM onsemi H11L1VM 1.1900
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ECAD 5 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11L1 DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
HCPL2530S onsemi HCPL2530S 3.1600
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ECAD 479 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2530 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
H11AA3SM onsemi H11AA3SM -
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ECAD 5886 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,17 V 60 mA 7500Vpk 50% a 10 mA - - 400mV
MOC3163TM onsemi MOC3163TM -
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ECAD 3990 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC316 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3163TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,3 V 60 mA 4170Vrm 600 V 500μA (suggerimento) 1kV/μs 5mA -
MOC3032FR2VM onsemi MOC3032FR2VM -
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ECAD 8639 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC303 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3032FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 250 V 400μA (suggerimento) - 10mA -
H11L1300W onsemi H11L1300W -
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ECAD 4120 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11L DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz - - 1,6 mA 5300 Vrm 1/0 - -
H11L1SR2M onsemi H11L1SR2M 1.0700
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ECAD 30 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11L1 DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
FOD617B onsemi FOD617B -
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ECAD 2660 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD617 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA - 400mV
CNW83300 onsemi CNW83300 -
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ECAD 9432 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNW83 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 50 V - 100 mA 5900 Vrm 0,4% a 10 mA - - 400mV
FOD817C3SD onsemi FOD817C3SD 0,6300
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ECAD 45 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
HCPL2630SDV onsemi HCPL2630SDV -
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ECAD 6208 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2630 DC 2 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 30mA 2500 Vrm 2/0 10 kV/μs (tip.) 75ns, 75ns
FOD852 onsemi FOD852 1.1400
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ECAD 3 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD852 DC 1 Darlington 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 150mA 100 µs, 20 µs 300 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 1000% a 1 mA 15000% a 1 mA - 1,2 V
FODM3022R1V onsemi FODM3022R1V -
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ECAD 2521 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 10mA -
FODM452 onsemi FODM452 2.8300
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ECAD 936 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori FODM45 DC 1 Transistor 5-Mini-Appartamento scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 8 mA - 20 V 1,6 V 25 mA 3750 Vrm 20% a 16 mA 50% a 16 mA 400ns, 350ns -
HCPL3700SVM onsemi HCPL3700SVM 8.0900
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ECAD 6892 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL3700 CA, CC 1 Darlington 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 30mA 45 µs, 0,5 µs 20 V - 50 mA 5000 Vrm - - 6μs, 25μs -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock