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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (max) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
FODM3022R3 onsemi FODM3022R3 -
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 ECAD 6505 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 10mA -
FODM217D onsemi FODM217D 0,6400
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi FODM217 Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM217 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 300% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
FOD8314TR2 onsemi FOD8314TR2 1.8000
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 ECAD 800 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) FOD8314 Accoppiamento ottico UL 1 6-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1A, 1A 1,5 A 60ns, 40ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 500ns, 500ns 300ns 16 V~30 V
NCV51561DADWR2G onsemi NCV51561DADWR2G 2.6712
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 ECAD 8662 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) NCV51561 Accoppiamento magnetico CQC, UL, VDE 2 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NCV51561DADWR2GTR EAR99 8542.39.0001 1.000 2,6 A, 7 A 4,5 A, 9 A 11ns, 10ns - 5000 Vrm 200V/ns 58ns, 58ns 5ns 18,5 V~30 V
MOC8204 onsemi MOC8204 -
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 ECAD 3762 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC820 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2mA - 400 V 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
6N135W onsemi 6N135W -
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 ECAD 6970 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) 6N135 DC 1 Transistor con base 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 6N135W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
H11L3VM onsemi H11L3VM 1.7100
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 ECAD 234 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11L3 DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
FOD4108 onsemi FOD4108 3.9300
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 ECAD 3 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD410 CSA, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA SÌ 10 kV/μs 2mA 60 µs
FOD817A onsemi FOD817A 0,5100
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 ECAD 4 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD817 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 200mV
NCD57256DR2G onsemi NCD57256DR2G 5.6200
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) Accoppiamento capacitivo VDE 2 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 2.500 3,5 A, 3,5 A 3,5 A, 6,5 A 12ns, 10ns - 2500 Vrm 100 kV/μs 80ns, 80ns 20ns 32V
H11AG3300W onsemi H11AG3300W -
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 ECAD 2637 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AG3300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 20% a 1 mA - 5μs, 5μs 400mV
NCV57000DWR2G onsemi NCV57000DWR2G 6.6300
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 ECAD 7 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C (TA) Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) NCV57000 Accoppiamento capacitivo UL, VDE 1 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 7,8 A, 7,1 A - 10ns, 15ns - 1200 Vrm 100 kV/μs 90ns, 90ns - 0 V~24 V
CNW11AV1SD onsemi CNW11AV1SD -
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 ECAD 6438 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNW11 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 70 V - 100 mA 4000 Vrm 100% a 10 mA 300% a 10 mA - 400mV
HCPL2531VM onsemi HCPL2531VM 3.0900
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 ECAD 5995 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL2531 DC 2 Transistor 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 250ns, 260ns -
MOC216VM onsemi MOC216VM -
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 ECAD 6416 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC216 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,07 V 60 mA 2500 Vrm 50% a 1 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
FOD3182 onsemi FOD3182 3.3200
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 ECAD 5464 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD318 Accoppiamento ottico UL 1 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 2,5 A, 2,5 A 3A 38ns, 24ns 1,43 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 210ns, 210ns 65ns 10 V~30 V
NCD57090EDWR2G onsemi NCD57090EDWR2G 2.9400
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 ECAD 7513 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) NCD57090 Accoppiamento capacitivo VDE 1 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 6,5 A, 6,5 A 6,5 A 13ns, 13ns - 5000 Vrm 100 kV/μs (massimo) 90ns, 90ns 25ns 0 V~32 V
HCPL0452R2V onsemi HCPL0452R2V -
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 ECAD 8907 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL04 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
FOD8320 onsemi FOD8320 6.4300
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 ECAD 2930 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,362", larghezza 9,20 mm), 5 conduttori FOD832 Accoppiamento ottico UL 1 5-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1990-FOD8320 EAR99 8541.49.8000 2.000 2A, 2A 3A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 400ns, 400ns 100ns 16 V~30 V
MOC3071SR2VM onsemi MOC3071SR2VM 0,3873
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 ECAD 4683 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC307 UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-MOC3071SR2VMTR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 4170Vrm 800 V 540 µA (sugger.) NO 1kV/μs 15 mA -
FOD617BSD onsemi FOD617BSD -
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 ECAD 5521 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD617 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA - 400mV
HMA121BR4 onsemi HMA121BR4 -
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 ECAD 2287 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 400mV
FOD053LR1 onsemi FOD053LR1 -
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 ECAD 4121 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD053 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 7V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 15% a 16 mA 50% a 16 mA 1μs, 1μs (massimo) -
HMA2701R2V onsemi HMA2701R2V -
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 ECAD 2038 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA270 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
FOD816300 onsemi FOD816300 -
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 ECAD 1835 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD816 CA, CC 1 Darlington 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 80 mA 60 µs, 53 µs 1,2 V 50mA 5000 Vrm
NCD57080BDR2G onsemi NCD57080BDR2G 5.1000
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 ECAD 7480 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) NCD57080 Accoppiamento capacitivo - 1 8-SOIC - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 2.500 6,5 A, 6,5 A 6,5 A 13ns, 13ns - 3750 Vrm 100 kV/μs 90ns, 90ns - 0 V~32 V
NCV57081ADR2G onsemi NCV57081ADR2G 5.6200
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 ECAD 7934 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) Accoppiamento capacitivo UL, VDE 1 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 2.500 6,5 A, 6,5 A 6,5 A 13ns, 13ns - 3750 Vrm 100 kV/μs 90ns, 90ns 25ns 0 V~32 V
HCPL2611VM onsemi HCPL2611VM -
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 ECAD 1901 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Collettore aperto 5,5 V 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-HCPL2611VM EAR99 8541.49.8000 1 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 50mA 2500 Vrm 1/0 10 kV/μs 75ns, 75ns
FOD3184SD onsemi FOD3184SD 3.3600
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD3184 Accoppiamento ottico UL 1 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2,5 A, 2,5 A 3A 38ns, 24ns 1,43 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 210ns, 210ns 65ns 15 V~30 V
MCT210M onsemi MCT210M -
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 ECAD 7311 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MCT210 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 30mA 1μs, 11μs 30 V 1,33 V 60 mA 7500Vpk 150% a 10 mA - 1μs, 50μs 400mV
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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