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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tipo di canale Corrente - Uscita di picco Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Potenza isolata Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
HMA121BR4 onsemi HMA121BR4 -
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 ECAD 2287 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 400mV
MOC3031SR2VM onsemi MOC3031SR2VM -
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 ECAD 2084 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC303 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3031SR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 60 mA 4170Vrm 250 V 400μA (suggerimento) SÌ 1kV/μs 15 mA -
MOC8106S onsemi MOC8106S -
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 ECAD 8392 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8106S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA 150% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
6N135SVM onsemi 6N135SVM 2.0400
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 ECAD 1163 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N135 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 230ns, 450ns -
TIL111SM onsemi TIL111SM -
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 ECAD 3485 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano TIL111 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato TIL111SM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 2mA 10μs, 10μs (massimo) 30 V 1,2 V 60 mA 7500Vpk - - - 400mV
MOC3043TVM onsemi MOC3043TVM 1.5000
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 ECAD 6730 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato MOC3043TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,25 V 60 mA 4170Vrm 400 V 400μA (suggerimento) SÌ 1kV/μs 5mA -
MOC3083SM onsemi MOC3083SM 1.3100
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 ECAD 970 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC308 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3083SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,3 V 60 mA 4170Vrm 800 V 500μA (suggerimento) SÌ 600 V/μs 5mA -
FODM3053R3V onsemi FODM3053R3V -
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 ECAD 8984 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 5mA -
H11A617A onsemi H11A617A -
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 ECAD 2369 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,35 V 50 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA - 400mV
H11AA3S onsemi H11AA3S -
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 ECAD 5934 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA3S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - - 400mV
4N25SR2VM onsemi 4N25SR2VM 0,8800
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 ECAD 975 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N25 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
74OL60113SD onsemi 74OL60113SD -
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 ECAD 2705 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 74OL601 Logica 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V~15 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 50ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 180ns, 120ns
H11N1W onsemi H11N1W -
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 ECAD 3832 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11N DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz - 1,4 V 3,2 mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
FOD2741BSDV onsemi FOD2741BSDV 1.9700
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 ECAD 6696 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD2741 DC 1 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
CNY171W onsemi CNY171W -
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 ECAD 7978 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY171 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY171W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
H11A617DS onsemi H11A617DS -
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 ECAD 2057 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,35 V 50 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA - 400mV
FOD4118TV onsemi FOD4118TV 4.4100
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 ECAD 998 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD4118 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA SÌ 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
FOD3125 onsemi FOD3125 3.9800
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 ECAD 864 0.00000000 onsemi OPTOPLANAR® Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD3125 Accoppiamento ottico UL 1 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 2A, 2A 3A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 400ns, 400ns 100ns 15 V~30 V
H11A8173SD onsemi H11A8173SD -
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 ECAD 2825 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A8173SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
FOD420TV onsemi FOD420TV 4.2400
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 ECAD 5204 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD420 cUL, FIMKO, UL, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,28 V 30 mA 5000 Vrm 600 V 500μA NO 10 kV/μs 2mA 60 µs
H11G2300 onsemi H11G2300 -
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 ECAD 4137 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11G DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11G2300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 80 V 1,3 V 60 mA 5300 Vrm 1000% a 10 mA - 5 µs, 100 µs 1 V
CNY17F4SD onsemi CNY17F4SD -
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 ECAD 7253 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY17F4SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
NCID9301R2 onsemi NCID9301R2 4.1075
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 ECAD 7979 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) I²C, SPI NCID9301 Accoppiamento capacitivo 2 2,5 V ~ 5,5 V 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NCID9301R2TR EAR99 8542.39.0001 750 15Mbps Unidirezionale 3,9 n., 2,3 n 5000 Vrm SÌ 1/1 100 kV/μs 170ns, 170ns 70ns
CNY17F2TM onsemi CNY17F2TM -
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 ECAD 1903 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
H11N2SD onsemi H11N2SD -
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 ECAD 3899 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N DC 1 Collettore aperto - 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz - 1,4 V 5mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
MOC8204 onsemi MOC8204 -
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 ECAD 3762 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC820 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2mA - 400 V 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
FOD617D onsemi FOD617D -
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 ECAD 4109 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD617 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA - 400mV
4N30SR2M onsemi 4N30SR2M 1.0800
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 ECAD 48 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N30 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - 5 µs, 40 µs (massimo) 1 V
FOD2742CR1 onsemi FOD2742CR1 -
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 ECAD 8019 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -25°C~85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD274 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 70 V 1,2 V 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
FODM3022R4 onsemi FODM3022R4 -
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 ECAD 9696 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 10mA -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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