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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tipo di canale Corrente - Uscita di picco Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Mantieni (Ih) Potenza isolata Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (max) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
FODM217CR4 onsemi FODM217CR4 0,2305
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 ECAD 6711 0.00000000 onsemi FODM217 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-FODM217CR4TR EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
FOD617D300W onsemi FOD617D300W -
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 ECAD 7612 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD617 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA - 400mV
HCPL0600R1V onsemi HCPL0600R1V -
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 ECAD 6655 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL06 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,75 V (massimo) 50mA 3750 Vrm 1/0 5 kV/μs 75ns, 75ns
MID400V onsemi METÀ400V -
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 ECAD 7466 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) Monitoraggio della linea CA METÀ400 CA, CC UR, VDE 1 7V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 20 mA - 1,5 V 30 mA 2500 Vrm - 1 ms, 1 ms (tipico)
H11AA4SR2VM onsemi H11AA4SR2VM 0,8700
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11AA CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,17 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - - 400mV
FOD3150TV onsemi FOD3150TV 2.2000
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD3150 Accoppiamento ottico CEI, UL 1 8-MDIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1A, 1A 1,5 A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 500ns, 500ns 300ns 15 V~30 V
NCV57090DDWR2G onsemi NCV57090DDWR2G 1.7066
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 ECAD 7054 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) NCV57090 Accoppiamento capacitivo VDE 1 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NCV57090DDWR2GTR EAR99 8542.39.0001 1.000 6,5 A, 6,5 A 6,5 A 13ns, 13ns - 5000 Vrm 100 kV/μs 90ns, 90ns 30ns 0 V~32 V
MOC3163M onsemi MOC3163M 1.9200
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 ECAD 4 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC316 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,3 V 60 mA 4170Vrm 600 V 500μA (suggerimento) SÌ 1kV/μs 5mA -
FOD8333 onsemi FOD8333 9.0800
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 ECAD 7850 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) FOD833 Accoppiamento ottico UL 1 16-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 2,5 A, 2,5 A 3A 50ns, 50ns 1,45 V 25 mA 4243Vrm 35 kV/μs 250ns, 250ns 100ns 3V~15V
NCV51563CADWR2G onsemi NCV51563CADWR2G 5.0600
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 ECAD 7824 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 14 conduttori Accoppiamento magnetico CQC, UL, VDE 2 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 2,6 A, 7 A 4,5 A, 9 A 11ns, 10ns - 5000 Vrm 200V/ns 58ns, 58ns 5ns 14,5 V~30 V
H11AA3W onsemi H11AA3W -
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 ECAD 1665 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA3W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - - 400mV
FOD3182 onsemi FOD3182 3.3200
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 ECAD 5464 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD318 Accoppiamento ottico UL 1 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 2,5 A, 2,5 A 3A 38ns, 24ns 1,43 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 210ns, 210ns 65ns 10 V~30 V
HCPL0452R2V onsemi HCPL0452R2V -
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 ECAD 8907 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL04 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
NCD57090EDWR2G onsemi NCD57090EDWR2G 2.9400
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 ECAD 7513 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) NCD57090 Accoppiamento capacitivo VDE 1 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 6,5 A, 6,5 A 6,5 A 13ns, 13ns - 5000 Vrm 100 kV/μs (massimo) 90ns, 90ns 25ns 0 V~32 V
MOC3071SR2VM onsemi MOC3071SR2VM 0,3873
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 ECAD 4683 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC307 UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-MOC3071SR2VMTR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 4170Vrm 800 V 540 µA (sugger.) NO 1kV/μs 15 mA -
HMA2701R2V onsemi HMA2701R2V -
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 ECAD 2038 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA270 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
FOD8320 onsemi FOD8320 6.4300
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 ECAD 2930 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,362", larghezza 9,20 mm), 5 conduttori FOD832 Accoppiamento ottico UL 1 5-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1990-FOD8320 EAR99 8541.49.8000 2.000 2A, 2A 3A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 400ns, 400ns 100ns 16 V~30 V
FOD816300 onsemi FOD816300 -
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 ECAD 1835 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD816 CA, CC 1 Darlington 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 80 mA 60 µs, 53 µs 1,2 V 50mA 5000 Vrm
NCD57080BDR2G onsemi NCD57080BDR2G 5.1000
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 ECAD 7480 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) NCD57080 Accoppiamento capacitivo - 1 8-SOIC - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 2.500 6,5 A, 6,5 A 6,5 A 13ns, 13ns - 3750 Vrm 100 kV/μs 90ns, 90ns - 0 V~32 V
NCV57081ADR2G onsemi NCV57081ADR2G 5.6200
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 ECAD 7934 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) Accoppiamento capacitivo UL, VDE 1 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 2.500 6,5 A, 6,5 A 6,5 A 13ns, 13ns - 3750 Vrm 100 kV/μs 90ns, 90ns 25ns 0 V~32 V
NCID9410R2 onsemi NCID9410R2 4.2718
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 ECAD 2846 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) I²C, SPI NCID9410 Accoppiamento capacitivo 4 2,5 V ~ 5,5 V 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NCID9410R2TR EAR99 8542.39.0001 750 10Mbps Unidirezionale 3ns, 2ns 5000 Vrm NO 3/1 100 kV/μs 170ns, 170ns 70ns
4N32VM onsemi 4N32VM 0,8700
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 ECAD 687 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N32 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 500% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1 V
MOC3071M onsemi MOC3071M 1.0300
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC307 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,18 V 60 mA 4170Vrm 800 V 540 µA (sugger.) NO 1kV/μs 15 mA -
NCIV9400R2 onsemi NCIV9400R2 6.2500
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 ECAD 7326 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) I²C, SPI Accoppiamento capacitivo 4 2,5 V ~ 5,5 V 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 750 10Mbps Unidirezionale 3ns, 2ns 5000 Vrm NO 4/0 100 kV/μs 200ns, 200ns 80ns
HCPL0501 onsemi HCPL0501 2.8800
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Scatola Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL05 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
FOD8333R2V onsemi FOD8333R2V 9.0800
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 ECAD 4 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) FOD8333 Accoppiamento ottico IEC/EN/DIN, UL 1 16-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 750 2,5 A, 2,5 A 3A 50ns, 50ns 1,45 V 25 mA 4243Vrm 35 kV/μs 250ns, 250ns 100ns 3V~15V
FOD3184TSR2V onsemi FOD3184TSR2V 3.3000
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 ECAD 302 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD3184 Accoppiamento ottico IEC/EN/DIN, UL 1 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 700 2,5 A, 2,5 A 3A 38ns, 24ns 1,43 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 210ns, 210ns 65ns 15 V~30 V
FODM1008R2V onsemi FODM1008R2V 0,7800
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 ECAD 192 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM1008 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 5,7 µs, 8,5 µs 70 V 1,4 V 50 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 300mV
HCPL2611SDM onsemi HCPL2611SDM 2.0400
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 ECAD 5172 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2611 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 30ns, 10ns 1,45 V 50mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs 75ns, 75ns
MOCD207R2VM onsemi MOCD207R2VM 1.3800
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 ECAD 131 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD207 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 70 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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