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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (massimo) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
CNY17F1SD onsemi CNY17F1SD -
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 ECAD 2510 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY17F1SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
H11G1300 onsemi H11G1300 -
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 ECAD 6787 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11G DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11G1300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 100 V 1,3 V 60 mA 5300 Vrm 1000% a 10 mA - 5 µs, 100 µs 1 V
MOC8106SR2M onsemi MOC8106SR2M 0,8400
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC8106 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,15 V 60 mA 4170Vrm 50% a 10 mA 150% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
4N32M onsemi 4N32M 0,7300
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 ECAD 631 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N32 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 500% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1 V
H11A2TVM onsemi H11A2TVM -
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 ECAD 3867 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
H11A23SD onsemi H11A23SD -
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 ECAD 5086 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A23SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
FODM2701A onsemi FODM2701A -
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 ECAD 9709 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM27 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,4 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
H11C2 onsemi H11C2 -
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 ECAD 6092 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11C UR 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 200 V 300 mA - NO 500 V/μs 20 mA -
HCPL0453R1 onsemi HCPL0453R1 -
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 ECAD 2570 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL04 DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
MOC8204300W onsemi MOC8204300W -
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 ECAD 6973 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC820 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 2mA - 400 V 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
MOC3031TVM onsemi MOC3031TVM -
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 ECAD 7671 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC303 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3031TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 60 mA 4170Vrm 250 V 400μA (suggerimento) SÌ 1kV/μs 15 mA -
4N26SM onsemi 4N26SM 0,7600
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 ECAD 9101 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N26 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
H11A3FR2M onsemi H11A3FR2M -
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 ECAD 9337 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
FOD852SD onsemi FOD852SD 1.1400
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 ECAD 2888 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD852 DC 1 Darlington 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 100 µs, 20 µs 300 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 1000% a 1 mA 15000% a 1 mA - 1,2 V
H11B13S onsemi H11B13S -
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 ECAD 7667 0.00000000 onsemi - Borsa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11B DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11B13S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 25 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 500% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
FODM3021 onsemi FODM3021 -
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 ECAD 2436 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 15 mA -
FODM121AR2 onsemi FODM121AR2 0,7000
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 ECAD 50 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 400mV
6N135W onsemi 6N135W -
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 ECAD 6970 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) 6N135 DC 1 Transistor con base 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 6N135W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
FOD4118SD onsemi FOD4118SD 4.4100
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 ECAD 974 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4118 CSA, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA SÌ 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
FOD250L onsemi FOD250L -
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 ECAD 8105 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD250 DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 7V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 15% a 16 mA 50% a 16 mA 1μs, 1μs (massimo) -
TIL117FR2VM onsemi TIL117FR2VM -
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 ECAD 8794 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano TIL117 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato TIL117FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 2μs, 2μs 30 V 1,2 V 60 mA 7500Vpk 50% a 10 mA - 10μs, 10μs (massimo) 400mV
FOD4108SDV onsemi FOD4108SDV 4.1800
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4108 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA SÌ 10 kV/μs 2mA 60 µs
H11AG2300 onsemi H11AG2300 -
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 ECAD 2528 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AG2300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 50% a 1 mA - 5μs, 5μs 400mV
H11C4300W onsemi H11C4300W -
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 ECAD 8019 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11C UR, VDE 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11C4300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300 mA - NO 500 V/μs 20 mA -
MOC81063SD onsemi MOC81063SD -
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 ECAD 8850 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC81063SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA 150% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
4N37FR2VM onsemi 4N37FR2VM -
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 ECAD 5452 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N37 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N37FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
4N25M onsemi 4N25M 0,6700
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 ECAD 290 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N25 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
H11AA1SR2VM onsemi H11AA1SR2VM 1.0600
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11AA CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,17 V 60 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - - 400mV
H11A13SD onsemi H11A13SD -
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 ECAD 9582 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A13SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
6N136SDV onsemi 6N136SDV -
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 ECAD 3189 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N136 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

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    Produttori mondiali

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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