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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
MOC3063FR2VM onsemi MOC3063FR2VM -
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ECAD 8067 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC306 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3063FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 600 V 500μA (suggerimento) - 5mA -
6N135SDV onsemi 6N135SDV -
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ECAD 6587 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N135 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
H11B1SR2M onsemi H11B1SR2M 0,9900
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ECAD 980 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11B1 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 500% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
4N40SD onsemi 4N40SD -
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ECAD 7111 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N40 UR 1 SCR 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N40SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,1 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300 mA 1mA NO 500 V/μs 14mA 50 µs (massimo)
CNY1743S onsemi CNY1743S -
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ECAD 3366 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY174 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY1743S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
74OL60003S onsemi 74OL60003S -
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ECAD 7934 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 74OL600 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 45ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 100ns, 100ns
MCT61W onsemi MCT61W -
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ECAD 1125 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) MCT61 DC 2 Transistor 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT61W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 30mA - 30 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA - 2,4 µs, 2,4 µs 400mV
MOC8102S onsemi MOC8102S -
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ECAD 4608 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8102S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 73% a 10 mA 117% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
FOD4116SV onsemi FOD4116SV 2.4126
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ECAD 7128 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4116 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 600 V 500μA 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
CNY17F33SD onsemi CNY17F33SD -
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ECAD 1999 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY17F33SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
H11C2300W onsemi H11C2300W -
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ECAD 7893 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11C UR, VDE 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11C2300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 200 V 300 mA - NO 500 V/μs 20 mA -
FOD270LS onsemi FOD270LS -
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ECAD 9359 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD270 DC 1 Darlington con base 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 7V 1,35 V 20 mA 5000 Vrm 400% a 500μA 7000% a 500μA 3μs, 50μs -
FOD2741BV onsemi FOD2741BV 1.9000
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ECAD 993 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD2741 DC 1 Transistor 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
H11N3300W onsemi H11N3300W -
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ECAD 6742 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11N DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz - 1,4 V 10mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
FOD2741AS onsemi FOD2741AS 1.9200
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ECAD 122 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD2741 DC 1 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
4N253S onsemi 4N253S -
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ECAD 2126 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N25 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N253S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
H11B1SD onsemi H11B1SD -
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ECAD 3595 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11B DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11B1SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 25 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 500% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
MOC3041SVM onsemi MOC3041SVM 1.8500
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ECAD 950 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 60 mA 4170Vrm 400 V 400μA (suggerimento) 1kV/μs 15 mA -
MID400S onsemi MID400S 6.9200
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano Monitoraggio della linea CA METÀ400 CA, CC UR 1 7V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato MID400S-NDR EAR99 8541.49.8000 50 20 mA - 1,5 V 30 mA 2500 Vrm - 1 ms, 1 ms (tipico)
H11A5VM onsemi H11A5VM -
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ECAD 8443 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 30% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
MOC3052TVM onsemi MOC3052TVM 1.1200
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ECAD 492 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC305 UR, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato MOC3052TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 4170Vrm 600 V 220μA (suggerimento) NO 1kV/μs 10mA -
H11AA4 onsemi H11AA4 -
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ECAD 9840 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - - 400mV
FODM121R2V onsemi FODM121R2V 0,7700
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
HMHA2801R1 onsemi HMHA2801R1 -
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ECAD 3343 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 600% a 5 mA - 300mV
H11A3SD onsemi H11A3SD -
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ECAD 1982 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A3SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
MCT2FR2M onsemi MCT2FR2M -
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ECAD 6804 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 2μs, 1,5μs 30 V 1,25 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
MOC5008VM onsemi MOC5008VM -
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ECAD 6864 0.00000000 onsemi GlobalOptoisolator™ Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC500 DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz - - 4mA 7500Vpk 1/0 - -
74OL6001300W onsemi 74OL6001300W -
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ECAD 6059 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 74OL600 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 45ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 100ns, 100ns
6N135SD onsemi 6N135SD -
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ECAD 9507 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N135 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 6N135SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
MOC217R2M onsemi MOC217R2M 0,8800
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC217 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,07 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock