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Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (massimo) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
H11G2SVM onsemi H11G2SVM -
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 ECAD 7222 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11G DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 80 V 1,3 V 60 mA 4170Vrm 1000% a 10 mA - 5 µs, 100 µs 1 V
6N139S onsemi 6N139S -
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 ECAD 4429 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N139 DC 1 Darlington con base 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 6N139S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 18 V 1,3 V 20 mA 2500 Vrm 500% a 1,6 mA - 1,5 µs, 7 µs -
H11AA814300 onsemi H11AA814300 -
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 ECAD 4989 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A CA, CC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA814300-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 20% a 1 mA 300% a 1 mA - 200mV
HMA121CR4V onsemi HMA121CR4V -
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 ECAD 2679 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 400mV
4N253SD onsemi 4N253SD -
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 ECAD 8288 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N25 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N253SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
MOC3083VM onsemi MOC3083VM 1.1700
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 ECAD 6594 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC308 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato MOC3083VM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,3 V 60 mA 4170Vrm 800 V 500μA (suggerimento) SÌ 600 V/μs 5mA -
H11A617D3S onsemi H11A617D3S -
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 ECAD 5340 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,35 V 50 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA - 400mV
FOD815W onsemi FOD815W -
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 ECAD 4664 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -30°C~105°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD815 DC 1 Darlington 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
6N135V onsemi 6N135V -
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 ECAD 1960 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) 6N135 DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
MCP3022.300 onsemi MCP3022.300 -
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 ECAD 6066 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MCP30 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 60 mA 5300 Vrm 400 V 200μA NO 10mA
MOC3020TVM onsemi MOC3020TVM 0,8600
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC302 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato MOC3020TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 30mA -
CNY1713SD onsemi CNY1713SD -
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 ECAD 10000 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY171 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY1713SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
CNX36U3S onsemi CNX36U3S -
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 ECAD 6739 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNX36 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX36U3S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 80% a 10 mA 200% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
FODM3022R4_NF098 onsemi FODM3022R4_NF098 -
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 ECAD 3214 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 cUR, UR 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 10mA -
H11AV1AVM onsemi H11AV1AVM 0,9800
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 ECAD 901 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11AV DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 - - 70 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA 300% a 10 mA 15μs, 15μs (massimo) 400mV
MOC3052FR2VM onsemi MOC3052FR2VM -
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 ECAD 2942 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC305 UR, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3052FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 7500Vpk 600 V 280 µA (sugger.) NO 1kV/μs 10mA -
H11AV2M onsemi H11AV2M -
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 ECAD 1790 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AV2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 70 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 50% a 10 mA - 15μs, 15μs 400mV
CNW82SD onsemi CNW82SD -
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 ECAD 5350 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNW82 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 50 V - 100 mA 5900 Vrm 0,4% a 10 mA - - 400mV
H11B3S onsemi H11B3S -
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 ECAD 4692 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11B DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11B3S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 25 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
4N333SD onsemi 4N333SD -
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 ECAD 2054 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N33 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N333SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 5300 Vrm 500% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1 V
74OL6011SD onsemi 74OL6011SD -
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 ECAD 5806 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 74OL601 Logica 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V~15 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 50ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 180ns, 120ns
HMA121BR1 onsemi HMA121BR1 -
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 ECAD 7261 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 400mV
FODM8801CV onsemi FODM8801CV 2.0800
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 ECAD 5275 0.00000000 onsemi OptoHit™ Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM8801 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 30mA 5μs, 5,5μs 75 V 1,35 V 20 mA 3750 Vrm 200% a 1 mA 400% a 1 mA 6μs, 6μs 400mV
MOC8020300 onsemi MOC8020300 -
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 ECAD 4425 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC802 DC 1 Darlington 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8020300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 50 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 500% a 10 mA - 3,5 µs, 95 µs 2V
FOD270LSD onsemi FOD270LSD -
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 ECAD 6283 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD270 DC 1 Darlington con base 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 7V 1,35 V 20 mA 5000 Vrm 400% a 500μA 7000% a 500μA 3μs, 50μs -
CNY172SM onsemi CNY172SM 0,6900
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY172 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY172SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
H11G2M_F132 onsemi H11G2M_F132 -
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 ECAD 2638 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11G DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 80 V 1,3 V 60 mA 4170Vrm 1000% a 10 mA - 5 µs, 100 µs 1 V
H11C3300 onsemi H11C3300 -
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 ECAD 6366 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11C UR, VDE 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11C3300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 200 V 300 mA - NO 500 V/μs 30mA -
MCT2SVM onsemi MCT2SVM -
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 ECAD 6541 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 2μs, 1,5μs 30 V 1,25 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
FODM3053 onsemi FODM3053 -
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 ECAD 2954 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 5mA -
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    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

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    Produttori mondiali

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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