SIC
close

Isolatori(3348)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (massimo) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
MOC205VM onsemi MOC205VM -
Richiesta di offerta
 ECAD 4775 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC205 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
H11D2 onsemi H11D2 -
Richiesta di offerta
 ECAD 4544 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11D DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 300 V 1,15 V 80 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
H11D4300W onsemi H11D4300W -
Richiesta di offerta
 ECAD 3498 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11D DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11D4300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 200 V 1,15 V 80 mA 5300 Vrm 10% a 10 mA - 5μs, 5μs 400mV
FOD817B3S onsemi FOD817B3S 0,4700
Richiesta di offerta
 ECAD 9644 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 200mV
CNX39U onsemi CNX39U -
Richiesta di offerta
 ECAD 6681 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNX39 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX39U-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 60% a 10 mA 100% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
HMHA281R3 onsemi HMHA281R3 -
Richiesta di offerta
 ECAD 9213 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
MOC8102W onsemi MOC8102W -
Richiesta di offerta
 ECAD 1549 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8102W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 73% a 10 mA 117% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MOC5008SR2M onsemi MOC5008SR2M -
Richiesta di offerta
 ECAD 8783 0.00000000 onsemi GlobalOptoisolator™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC500 DC 1 Collettore aperto - 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz - - 4mA 7500Vpk 1/0 - -
H11B8153S onsemi H11B8153S -
Richiesta di offerta
 ECAD 9253 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11B DC 1 Darlington 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11B8153S-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 80 mA 300 µs, 250 µs (massimo) 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
MOC3162FR2M onsemi MOC3162FR2M -
Richiesta di offerta
 ECAD 5643 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC316 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3162FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 600 V 500μA (suggerimento) SÌ - 10mA -
74OL60103S onsemi 74OL60103S -
Richiesta di offerta
 ECAD 1300 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 74OL601 Logica 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V~15 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 50ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 180ns, 120ns
MOC3022SR2M onsemi MOC3022SR2M 0,9400
Richiesta di offerta
 ECAD 5 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC302 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 10mA -
MOC5008VM onsemi MOC5008VM -
Richiesta di offerta
 ECAD 6864 0.00000000 onsemi GlobalOptoisolator™ Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC500 DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz - - 4mA 7500Vpk 1/0 - -
74OL6011W onsemi 74OL6011W -
Richiesta di offerta
 ECAD 1900 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 74OL601 Logica 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V~15 V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 50ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 180ns, 120ns
MCT61W onsemi MCT61W -
Richiesta di offerta
 ECAD 1125 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) MCT61 DC 2 Transistor 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT61W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 30mA - 30 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA - 2,4 µs, 2,4 µs 400mV
HCPL2601W onsemi HCPL2601W -
Richiesta di offerta
 ECAD 2469 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) HCPL26 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 50mA 2500 Vrm 1/0 5 kV/μs 75ns, 75ns
H11AA8143S onsemi H11AA8143S -
Richiesta di offerta
 ECAD 4602 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11A CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA8143S-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 20% a 1 mA 300% a 1 mA - 200mV
4N33300W onsemi 4N33300W -
Richiesta di offerta
 ECAD 5772 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N33 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N33300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 5300 Vrm 500% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1 V
MCT2202S onsemi MCT2202S -
Richiesta di offerta
 ECAD 2197 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2202S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 2μs 400mV
CNX39US onsemi CNX39US -
Richiesta di offerta
 ECAD 3038 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNX39 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX39US-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 60% a 10 mA 100% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
HCPL2631SDM onsemi HCPL2631SDM 3.1900
Richiesta di offerta
 ECAD 275 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL2631 DC 2 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 25 mA 10Mbps 30ns, 10ns 1,45 V 30mA 5000 Vrm 2/0 5 kV/μs 75ns, 75ns
CNY171300W onsemi CNY171300W -
Richiesta di offerta
 ECAD 5018 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY171 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY171300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
MCT2200S onsemi MCT2200S -
Richiesta di offerta
 ECAD 6123 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2200S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
6N137S onsemi 6N137S -
Richiesta di offerta
 ECAD 2972 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N137 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 6N137S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 50mA 2500 Vrm 1/0 10 kV/μs (tip.) 75ns, 75ns
MOC3052SM_F132 onsemi MOC3052SM_F132 -
Richiesta di offerta
 ECAD 7083 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC305 UR 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 4170Vrm 600 V 220μA (suggerimento) NO 1kV/μs 10mA -
4N27VM onsemi 4N27VM -
Richiesta di offerta
 ECAD 5973 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N27 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N27VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
4N37 onsemi 4N37 -
Richiesta di offerta
 ECAD 3154 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N37 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
MOC8100FR2VM onsemi MOC8100FR2VM -
Richiesta di offerta
 ECAD 8822 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8100FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 2μs, 2μs 30 V 1,2 V 60 mA 7500Vpk 30% a 1 mA - 20μs, 20μs (massimo) 500mV
H11L2VM onsemi H11L2VM 1.8900
Richiesta di offerta
 ECAD 987 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11L2 DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
FODM121DR1V onsemi FODM121DR1V -
Richiesta di offerta
 ECAD 3339 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

Elenco RFQ (0 articoli)
Elenco carrello (0 articoli)
WishlistLista dei desideri (0 articoli)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

Quantità: 1

Confronta elenco (0 articoli)
Premi Invio per cercare o ESC per chiudere