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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (max) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
FODM2701BV onsemi FODM2701BV -
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ECAD 7936 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM27 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,4 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
4N29300W onsemi 4N29300W -
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ECAD 3473 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N29 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N29300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 5 µs, 40 µs (massimo) 1 V
CNW136300 onsemi CNW136300 -
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ECAD 9768 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) CNW13 DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 40 10mA - 20 V - 100 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA - - -
FOD3120TV onsemi FOD3120TV 2.4100
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ECAD 9716 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD3120 Accoppiamento ottico CEI, UL 1 8-MDIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 2A, 2A 3A 60ns, 60ns 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 400ns, 400ns 100ns 15 V~30 V
FODM121BR1 onsemi FODM121BR1 -
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ECAD 5192 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 400mV
CNY174W onsemi CNY174W -
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ECAD 1430 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY174 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY174W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
MCT62SD onsemi MCT62SD 1.3100
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ECAD 12 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano MCT62 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 30mA - 30 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA - 2,4 µs, 2,4 µs 400mV
FOD2743BS onsemi FOD2743BS 2.1000
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ECAD 3244 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD2743 DC 1 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 70 V 1,07 V 5000 Vrm 50% a 1 mA 100% a 1 mA - 400mV
4N36VM onsemi 4N36VM -
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ECAD 3370 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N36 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N36VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
H11N2 onsemi H11N2 -
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ECAD 6574 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11N DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz - 1,4 V 5mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
HMA2701BR1V onsemi HMA2701BR1V -
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ECAD 1353 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA270 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 300mV
MCT6SD onsemi MCT6SD 1.1500
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ECAD 6 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano MCT6 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 30mA - 30 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 20% a 10 mA - 2,4 µs, 2,4 µs 400mV
H11AA8143S onsemi H11AA8143S -
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ECAD 4602 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11A CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA8143S-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 20% a 1 mA 300% a 1 mA - 200mV
HMA121DR3 onsemi HMA121DR3 -
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ECAD 9060 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 100% a 5 mA - 400mV
MOC3033SM onsemi MOC3033SM 1.4600
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ECAD 3 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC303 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3033SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,25 V 60 mA 4170Vrm 250 V 400μA (suggerimento) 1kV/μs 5mA -
H11AA3TM onsemi H11AA3TM -
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ECAD 8416 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,17 V 60 mA 7500Vpk 50% a 10 mA - - 400mV
H11AG1W onsemi H11AG1W -
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ECAD 7972 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AG1W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 100% a 1 mA - 5μs, 5μs 400mV
HCPL2530V onsemi HCPL2530V -
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ECAD 2176 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL25 DC 2 Transistor 8-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
CNW11AV3 onsemi CNW11AV3 -
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ECAD 3024 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNW11 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 70 V - 100 mA 4000 Vrm 20% a 10 mA - - 400mV
CNY172SM onsemi CNY172SM 0,6900
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY172 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY172SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
FOD4118T onsemi FOD4118T -
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ECAD 2022 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD4118 CSA, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
MID400S onsemi MID400S 6.9200
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano Monitoraggio della linea CA METÀ400 CA, CC UR 1 7V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato MID400S-NDR EAR99 8541.49.8000 50 20 mA - 1,5 V 30 mA 2500 Vrm - 1 ms, 1 ms (tipico)
CNY17F2SD onsemi CNY17F2SD -
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ECAD 3302 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY17F2SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
6N139SD onsemi 6N139SD -
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ECAD 5004 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N139 DC 1 Darlington con base 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 18 V 1,3 V 20 mA 2500 Vrm 500% a 1,6 mA - 1,5 µs, 7 µs -
MOC3043VM onsemi MOC3043VM 2.0400
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ECAD 800 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 60 mA 4170Vrm 400 V 400μA (suggerimento) 1kV/μs 5mA -
6N138WV onsemi 6N138WV -
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ECAD 2915 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) 6N138 DC 1 Darlington con base 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 7V 1,3 V 20 mA 2500 Vrm 300% a 1,6 mA - 1,5 µs, 7 µs -
H11A5VM onsemi H11A5VM -
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ECAD 8443 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 30% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
6N136 onsemi 6N136 -
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ECAD 2198 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) 6N136 DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
CNY1743S onsemi CNY1743S -
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ECAD 3366 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY174 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY1743S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
MOC3022SM onsemi MOC3022SM 0,9800
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC302 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 10mA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock