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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
FODM121FV onsemi FODM121FV -
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ECAD 6806 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
HCPL2530SDV onsemi HCPL2530SDV -
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ECAD 2753 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL25 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
HMA121 onsemi HMA121 -
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ECAD 2224 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
HCPL0501V onsemi HCPL0501V 2.6100
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ECAD 7055 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL0501 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
MOCD211VM onsemi MOCD211VM -
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ECAD 5813 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD21 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
MOC3033FVM onsemi MOC3033FVM -
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ECAD 5058 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC303 - 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3033FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 250 V 400μA (suggerimento) - 5mA -
4N36 onsemi 4N36 -
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ECAD 2155 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N36 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
H11N3SR2VM onsemi H11N3SR2VM -
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ECAD 4846 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
SL5583W onsemi SL5583W -
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ECAD 8628 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) SL5583 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato SL5583W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 50 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 320% a 10 mA 20 µs, 50 µs (massimo) 400mV
MOC8105300W onsemi MOC8105300W -
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ECAD 7663 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8105300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 65% a 10 mA 133% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
CNY17F33S onsemi CNY17F33S -
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ECAD 2381 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY17F33S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
CNY172SR2M onsemi CNY172SR2M 0,7200
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ECAD 90 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY172 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
HMA121AR3 onsemi HMA121AR3 -
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ECAD 8196 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 400mV
4N37SR2VM onsemi 4N37SR2VM 0,7100
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N37 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
FODM3053R2V-NF098 onsemi FODM3053R2V-NF098 1.7100
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ECAD 3 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 cUR, UR, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 5mA -
FOD8173T onsemi FOD8173T 3.6500
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) FOD8173 DC 1 Push-pull, totem 3 V ~ 5,5 V 6-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato FOD8173TOS EAR99 8541.49.8000 2.000 10 mA 20Mbps 7ns, 7ns 1,35 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 55ns, 55ns
4N33SR2M onsemi 4N33SR2M 0,7900
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ECAD 12 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N33 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 500% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1 V
FODM3023 onsemi FODM3023 -
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ECAD 8956 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 5mA -
4N36SR2VM onsemi 4N36SR2VM -
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ECAD 3856 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N36 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N36SR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
H11N2300 onsemi H11N2300 -
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ECAD 4705 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11N DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz - 1,4 V 5mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
FOD2741ATV onsemi FOD2741ATV 1.9200
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ECAD 500 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD2741 DC 1 Transistor 8-MDIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
MOC8100SM onsemi MOC8100SM -
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ECAD 5134 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8100SM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 2μs, 2μs 30 V 1,2 V 60 mA 7500Vpk 30% a 1 mA - 20μs, 20μs (massimo) 500mV
MOC3022TVM onsemi MOC3022TVM 1.0100
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ECAD 5 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC302 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato MOC3022TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 10mA -
MOC3082SVM onsemi MOC3082SVM 1.5600
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ECAD 950 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC308 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3082SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,3 V 60 mA 4170Vrm 800 V 500μA (suggerimento) 600 V/μs 10mA -
H11AA814300 onsemi H11AA814300 -
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ECAD 4989 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A CA, CC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AA814300-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 20% a 1 mA 300% a 1 mA - 200mV
HCPL0534 onsemi HCPL0534 2.4400
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL05 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 15% a 16 mA - 450 n., 300 n -
FOD270LS onsemi FOD270LS -
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ECAD 9359 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD270 DC 1 Darlington con base 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 7V 1,35 V 20 mA 5000 Vrm 400% a 500μA 7000% a 500μA 3μs, 50μs -
MOC8105S onsemi MOC8105S -
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ECAD 5690 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8105S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 65% a 10 mA 133% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
H11A4FVM onsemi H11A4FVM -
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ECAD 9843 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A4FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
FOD2741AS onsemi FOD2741AS 1.9200
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ECAD 122 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD2741 DC 1 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock