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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (massimo) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
FOD0738 onsemi FOD0738 -
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ECAD 5710 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FOD073 DC 2 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 2 mA 15 MBd 12ns, 8ns 1,45 V 20 mA 2500 Vrm 2/0 25 kV/μs 60ns, 60ns
FOD4118SV onsemi FOD4118SV 1.9737
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ECAD 7816 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4118 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
FODM3052R3V onsemi FODM3052R3V -
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ECAD 3966 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 10mA -
FOD2743BSV onsemi FOD2743BSV 2.2300
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ECAD 7083 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano FOD2743 DC 1 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 70 V 1,07 V 5000 Vrm 50% a 1 mA 100% a 1 mA - 400mV
4N29 onsemi 4N29 -
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ECAD 3795 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N29 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 5 µs, 40 µs (massimo) 1 V
MCT2202 onsemi MCT2202 -
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ECAD 1678 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MCT2 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2202-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 2μs 400mV
MOC8107300W onsemi MOC8107300W -
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ECAD 5311 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8107300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 300% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
H11A4SVM onsemi H11A4SVM -
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ECAD 8689 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A4SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
MOC3063FR2VM onsemi MOC3063FR2VM -
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ECAD 8067 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC306 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3063FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 600 V 500μA (suggerimento) - 5mA -
4N40SD onsemi 4N40SD -
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ECAD 7111 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N40 UR 1 SCR 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N40SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,1 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300 mA 1mA NO 500 V/μs 14mA 50 µs (massimo)
MOC3052TVM onsemi MOC3052TVM 1.1200
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ECAD 492 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC305 UR, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato MOC3052TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 4170Vrm 600 V 220μA (suggerimento) NO 1kV/μs 10mA -
MOC3023FR2M onsemi MOC3023FR2M -
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ECAD 1794 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC302 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3023FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 400 V 100μA (suggerimento) NO - 5mA -
MOC216R1M onsemi MOC216R1M -
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ECAD 1190 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC216 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC216R1M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,07 V 60 mA 2500 Vrm 50% a 1 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
CNY17F4TM onsemi CNY17F4TM -
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ECAD 8597 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MCT2TVM onsemi MCT2TVM -
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ECAD 6239 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MCT2 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 2μs, 1,5μs 30 V 1,25 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
MOC5009FM onsemi MOC5009FM -
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ECAD 8742 0.00000000 onsemi GlobalOptoisolator™ Borsa Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC500 DC 1 Collettore aperto - 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz - - 10mA 7500Vpk 1/0 - -
H11F3S onsemi H11F3S -
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ECAD 7646 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11F DC 1 MOSFET 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11F3S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 15 V 1,3 V 60 mA 5300 Vrm - - 25 µs, 25 µs (massimo) -
4N283SD onsemi 4N283SD -
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ECAD 6916 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N28 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N283SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
MOC3072TVM onsemi MOC3072TVM 1.6700
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ECAD 970 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC307 UL 1 Triac 6-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 4170Vrm 800 V 540 µA (sugger.) NO 1kV/μs 10mA -
CNX35USD onsemi CNX35USD -
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ECAD 7247 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNX35 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX35USD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 160% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
FODM3051R2V onsemi FODM3051R2V -
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ECAD 2869 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 15 mA -
FODM121R2V onsemi FODM121R2V 0,7700
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
MOC3022 onsemi MOC3022 -
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ECAD 1231 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC302 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3022QT EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5300 Vrm 400 V 100μA NO 10mA
H11A33S onsemi H11A33S -
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ECAD 6913 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A33S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
FOD8163SD onsemi FOD8163SD -
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ECAD 6716 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD816 CA, CC 1 Darlington 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 60 µs, 53 µs 1,2 V 50mA 5000 Vrm
4N27300W onsemi 4N27300W -
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ECAD 2010 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N27 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N27300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
4N35FR2M onsemi 4N35FR2M -
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ECAD 1584 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N35 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N35FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
MOC3010FM onsemi MOC3010FM -
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ECAD 8749 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC301 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3010FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 250 V 100μA (suggerimento) NO - 15 mA -
MOC3051FR2VM onsemi MOC3051FR2VM -
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ECAD 4113 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC305 UR, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3051FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 7500Vpk 600 V 280 µA (sugger.) NO 1kV/μs 15 mA -
H11AA4 onsemi H11AA4 -
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ECAD 9840 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - - 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock